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2.5Gb/s低噪声差分交叉耦合跨阻放大器的设计与实现 被引量：5
1
作者 谢生 高谦 +2 位作者 毛陆虹 吴思聪 谷由之 《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》 EI CSCD 北大核心 2017年第6期656-660,共5页
本文基于UMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一款低噪声交叉耦合结构的跨阻放大器.该电路由优化的调节型共源共栅(RGC)结构和输出缓冲级构成,其中采用两级共源放大器作为RGC结构的辅助放大器,用于提升电路的等效跨导和带宽.此外,通过优化电... 本文基于UMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一款低噪声交叉耦合结构的跨阻放大器.该电路由优化的调节型共源共栅(RGC)结构和输出缓冲级构成,其中采用两级共源放大器作为RGC结构的辅助放大器,用于提升电路的等效跨导和带宽.此外,通过优化电路参数以及在输入端引入阶梯型无源匹配网络来进一步拓展带宽和降低电路噪声.测试结果表明,在探测器等效电容为300pF时,所设计跨阻放大器芯片的-3d B带宽为2.2GHz,跨阻增益为61.8d B?,平均等效输入噪声电流谱密度仅为9 pA/(Hz)^(1/2),成功实现了2.5Gb/s的传输速率.在1.8V电源电压下,芯片功耗为43m W,包括焊盘在内的芯片总面积为1×1mm^2. 展开更多
关键词 光接收机 调节型共源共栅 跨阻放大器 低噪声 CMOS
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一种低功耗的高速光接收器跨阻前置电路设计 被引量：1
2
作者 商红桃 《电子器件》 CAS 北大核心 2018年第1期50-55,共6页
为了降低芯片面积和功耗,提出了一种10 Gbyte/s光接收器跨阻前置放大电路。该电路采用了两个带有可调共源共栅(RGC)输入的交叉有源反馈结构,其中的跨阻放大器未使用电感,从而减少了芯片的总体尺寸。该跨阻前置电路采用0.13μm CMOS工艺... 为了降低芯片面积和功耗,提出了一种10 Gbyte/s光接收器跨阻前置放大电路。该电路采用了两个带有可调共源共栅(RGC)输入的交叉有源反馈结构,其中的跨阻放大器未使用电感,从而减少了芯片的总体尺寸。该跨阻前置电路采用0.13μm CMOS工艺设计而成,数据速率高达10 Gbyte/s。测试结果表明,相比其他类似电路,提出的电路芯片面积和功耗更小,芯片面积仅为0.072 mm^2,当电源电压为1.3 V时,功率损耗为9.1 mW,实测平均等效输入噪声电流谱密度为20 pA/(0.1~10)Hz,且-3 dB带宽为6.9 GHz。 展开更多
关键词 光接收器 CMOS前置电路 跨阻放大器 可调共源共栅(rgc)
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一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现 被引量：9
3
作者 唐立田 张海英 +2 位作者 黄清华 李潇 尹军舰 《电子器件》 CAS 2009年第3期566-569,共4页
采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标... 采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标间的折中。测试结果表明单端跨阻增益高达78dB·Ω,-3dB带宽超过300MHz,100MHz处的等效输入噪声电流谱密度低至6.3pA/(Hz)～(1/2),功耗仅为14.4mW。芯片面积(包括所有PAD)为500μm×460μm。 展开更多
关键词 跨阻放大器 rgc结构 等效输入噪声电流谱密度 0.18μm CMOS工艺
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1Gb/s CMOS调节型共源共栅光接收机 被引量：6
4
作者 肖新东 毛陆虹 +2 位作者 余长亮 张世林 谢生 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期520-523,共4页
基于特许0.35μm EEPROM CMOS标准工艺设计了一种单片集成光接收机芯片,集成了双光电探测器(DPD)、调节型共源共栅(RGC)跨阻前置放大器(TIA)、三级限幅放大器(LA,limiting amplifier)和输出电路,其中RGCTIA能够隔离光电二极管的电容影响... 基于特许0.35μm EEPROM CMOS标准工艺设计了一种单片集成光接收机芯片,集成了双光电探测器(DPD)、调节型共源共栅(RGC)跨阻前置放大器(TIA)、三级限幅放大器(LA,limiting amplifier)和输出电路,其中RGCTIA能够隔离光电二极管的电容影响,并可以有效地扩展光接收机的带宽。测试结果表明,光接收机的3dB带宽为821MHz,在误码率为10-9、灵敏度为-11dBm的条件下,光接收机的数据传输速率达到了1Gb/s;在3.3V电压下工作,芯片的功耗为54mW。 展开更多
关键词 光接收机 跨阻放大器(TIA) 双光电探测器(DPD) 调节型共源共栅(rgc) CMOS
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基于标准BiCMOS工艺的1.5 Gbit/s调节型共源共栅光接收机 被引量：4
5
作者 郭增笑 谢生 +3 位作者 付友 毛陆虹 康玉琢 张世林 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期26-30,共5页
基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS标准工艺设计实现了一种高速、低功耗的光接收机前端模拟电路。接收机芯片包括调节型共源共栅(RGC)跨阻放大器(TIA)、四级限幅放大器(LA)和输出缓冲电路(buffer)。采用高跨导SiGe异质结双极晶体管(HBT)作为... 基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS标准工艺设计实现了一种高速、低功耗的光接收机前端模拟电路。接收机芯片包括调节型共源共栅(RGC)跨阻放大器(TIA)、四级限幅放大器(LA)和输出缓冲电路(buffer)。采用高跨导SiGe异质结双极晶体管(HBT)作为输入级的RGC TIA有效隔离了探测器结电容和输入寄生电容的影响,更好地拓展了光接收机的带宽。仿真结果表明,在1.8V电源电压供电下,驱动50Ω电阻和10pF电容负载时,光接收机前端的跨阻增益为76.67dB,-3dB带宽为2.1GHz。测试结果表明,光接收机前端电路的-3dB带宽为1.2GHz,跨阻增益为72.2dB,在误码率(BER)为10-9的条件下,光接收机实现了1.5Gbit/s的数据传输速率。在1.8V电源电压下,芯片功耗仅为44mW,芯片总面积为800μm×370μm。 展开更多
关键词 光接收机 单片集成 调节型共源共栅(rgc) 跨阻放大器(TIA) BICMOS
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