提出了一种基于查表的开环记忆多项式模型(MPM,Memory Polynomial Model)预失真器.从MPM预失真器系数估计和执行信号预失真处理两方面加以考虑.首先,利用预失真器和高功率放大器(HPA,High Power Amplifier)传输特性的互补性,由采集到的...提出了一种基于查表的开环记忆多项式模型(MPM,Memory Polynomial Model)预失真器.从MPM预失真器系数估计和执行信号预失真处理两方面加以考虑.首先,利用预失真器和高功率放大器(HPA,High Power Amplifier)传输特性的互补性,由采集到的HPA输入、输出基带数据进行单次最小二乘估计得到MPM预失真器的系数,避免了以往递归结构的收敛性和计算量大等问题.然后,利用MPM预失真器的特点,建立了基于输入信号强度索引的一维向量表,通过查表实现MPM预失真器的幂次累加项,极大地减少了实现预失真器所需的计算量及硬件开销.仿真显示,采用提出的预失真器可以有效补偿HPA对信号的记忆非线性失真,有效带宽内获得了近20 dB的功率改善,也显著改善了系统误码性能.展开更多
提出一种在欠采样条件下的经过混合结构设计的射频发射机线性化方法。该方法基于欠采样频率选择性的非线性模型来校正调制器产生的镜像干扰信号以及射频功率放大器的互调失真信号。实验结果表明LTE的70 MHz双载波信号在发射机采样速率从...提出一种在欠采样条件下的经过混合结构设计的射频发射机线性化方法。该方法基于欠采样频率选择性的非线性模型来校正调制器产生的镜像干扰信号以及射频功率放大器的互调失真信号。实验结果表明LTE的70 MHz双载波信号在发射机采样速率从491.52 Ms/s降低至122.88 Ms/s时使用该组合方法较之前方法有10 d B的归一化最小均方误差改善以及10 d B的邻道功率泄露比抑制改善。展开更多
针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN High Electron Mobility Transistor,GaN HEMT)小信号等效电路模型参数提取和优化过程中存在的误差累计问题,基于GaN HEMT 19元件小信号模型,提出了一种扫参与迭代相结合的参数提取算法.该算法在迭代...针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN High Electron Mobility Transistor,GaN HEMT)小信号等效电路模型参数提取和优化过程中存在的误差累计问题,基于GaN HEMT 19元件小信号模型,提出了一种扫参与迭代相结合的参数提取算法.该算法在迭代过程中,每次使用比前一次更准确的元件值进行计算,可使结果趋向最优解.通过Matlab编程实现后计算结果表明,仿真与实测S参数在0.1~40GHz频率范围内吻合良好.展开更多
文摘提出一种在欠采样条件下的经过混合结构设计的射频发射机线性化方法。该方法基于欠采样频率选择性的非线性模型来校正调制器产生的镜像干扰信号以及射频功率放大器的互调失真信号。实验结果表明LTE的70 MHz双载波信号在发射机采样速率从491.52 Ms/s降低至122.88 Ms/s时使用该组合方法较之前方法有10 d B的归一化最小均方误差改善以及10 d B的邻道功率泄露比抑制改善。
文摘针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN High Electron Mobility Transistor,GaN HEMT)小信号等效电路模型参数提取和优化过程中存在的误差累计问题,基于GaN HEMT 19元件小信号模型,提出了一种扫参与迭代相结合的参数提取算法.该算法在迭代过程中,每次使用比前一次更准确的元件值进行计算,可使结果趋向最优解.通过Matlab编程实现后计算结果表明,仿真与实测S参数在0.1~40GHz频率范围内吻合良好.
