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不对称势垒对共振隧穿二极管I-V特性的影响
1
作者 武一宾 杨瑞霞 +2 位作者 商耀辉 牛晨亮 王健 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第11期663-667,共5页
利用Airy函数和传输矩阵方法计算了不对称势垒厚度的InP基AlAs/InGaAs/AlAs DBS结构在偏压情况下的共振透射系数,并通过材料生长和器件工艺制作得到了共振隧穿二极管的直流I-V特性。在峰值电流密度为132kA/cm2下,获得了17.84的电流峰谷... 利用Airy函数和传输矩阵方法计算了不对称势垒厚度的InP基AlAs/InGaAs/AlAs DBS结构在偏压情况下的共振透射系数,并通过材料生长和器件工艺制作得到了共振隧穿二极管的直流I-V特性。在峰值电流密度为132kA/cm2下,获得了17.84的电流峰谷比。测试结果还表明不对称势垒厚度的RTD在偏压情况下,当电子从较薄势垒向较厚势垒穿透时,更容易获得高的电流峰谷比,反之可获得较大的负微分电阻电压区域。 展开更多
关键词 不对称势垒 共振隧穿二极管(RTD) 电流峰谷比(PVCR) 负微分电阻(NDR) 分子束外延(MBE) 磷化铟
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不对称势垒体系中分子分离的随机行走模拟
2
作者 高昀荞 陈莉莉 +1 位作者 傅应强 赵健伟 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期818-824,共7页
利用微尺度受限空间随机行走方法模拟了分子的扩散过程.研究表明,扩散系数越大,粒子越显著地偏离驱动速度的方向;通过选择合适的驱动速度,调控不同组分偏离驱动方向的概率差,从而达到更理想的分离效果.此外,讨论了分子运动的随机分布特... 利用微尺度受限空间随机行走方法模拟了分子的扩散过程.研究表明,扩散系数越大,粒子越显著地偏离驱动速度的方向;通过选择合适的驱动速度,调控不同组分偏离驱动方向的概率差,从而达到更理想的分离效果.此外,讨论了分子运动的随机分布特征对分析样品带展宽效应的影响. 展开更多
关键词 不对称势垒 扩散 分离 随机行走模拟
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粒子与不对称双势垒相互作用的隧穿现象
3
作者 任青 杨文平 《山西大同大学学报（自然科学版）》 2015年第4期19-20,共2页
本文在非相对论条件下,计算了粒子与不对称双势垒相互作用的反射系数和透射系数,并计算了特殊条件下的反射系数和透射系数以及隧穿时间和相位,通过计算,对隧穿现象有了更深的理解。
关键词 不对称双势垒 反射子数 透射子数 隧穿时间
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用电容和电导测量法研究SiNx/nc-Si/SiNx双势垒结构界面特性
4
作者 王祥 《韩山师范学院学报》 2011年第3期37-41,共5页
利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,淀积a-SiNx/nc-Si/a-SiNx不对称双势垒存储结构.通过电容和电导测试研究结构的界面态特性.实验结果表明,采用PECVD方法制备的不对称存储结构的界面特性良好,其界面态密度为3×1010 cm-2eV-1.
关键词 界面态 不对称双势垒结构 电容测量法 电导测量法
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甲硅硫醛单分子热反应中隧道效应的研究
5
作者 郑学仿 王玉蓉 《大连大学学报》 1996年第2期132-135,共4页
采用不对称EcFart势垒,研究了甲硅硫醛单分子热解体系中的隧道效应。讨论了多种因素影响下的反应速率常数及相应的活化能及在考虑隧道效应条件下,势垒的不对称对计算结果的影响,所得结果与甲硫醛结果作了比较。
关键词 隧道效应 不对称EcFart势垒 甲硅硫醛热反应
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