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一种高速高宽带主从式采样保持电路 被引量：3
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作者 丁浩 王建业 +1 位作者 刘伟 熊永忠 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期123-128,共6页
基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计并实现了一种新型高速高宽带主从式采样保持电路.该电路采用PMOS源极跟随器作输入级实现了直流耦合,使得低频、低偏置电压信号也可以被正常采样.采用Cherry-Hooper放大器将带宽提升至18GHz.通过主从式... 基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计并实现了一种新型高速高宽带主从式采样保持电路.该电路采用PMOS源极跟随器作输入级实现了直流耦合,使得低频、低偏置电压信号也可以被正常采样.采用Cherry-Hooper放大器将带宽提升至18GHz.通过主从式采样结构和交叉耦合电容消除了信号馈通,使用互补三极管抵消了时钟馈通的影响,将无杂散动态范围控制在33~38dB.对比结果表明,这种设计方案在带宽方面具有较大的优势,并且具有较高的采样率. 展开更多
关键词 高速高宽带 主从式采样 采样保持电路 信号馈通 时钟馈通 模数转换器
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