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质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究 被引量:6
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作者 汪波 李豫东 +5 位作者 郭旗 刘昌举 文林 任迪远 曾骏哲 玛丽娅 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期189-195,共7页
对某国产0.5μm工艺制造的互补金属氧化物半导体有源像素传感器进行了10 Me V质子辐射试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件暗信号的变化情况.试验结果表明,随着辐射注量的增加暗信号迅速增大.采用MULASS... 对某国产0.5μm工艺制造的互补金属氧化物半导体有源像素传感器进行了10 Me V质子辐射试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件暗信号的变化情况.试验结果表明,随着辐射注量的增加暗信号迅速增大.采用MULASSIS(multi-layered shielding simulation software)软件计算了电离损伤剂量和位移损伤剂量,在与γ辐射试验数据对比的基础上,结合器件结构和工艺参数,建立了分离质子辐射引起的电离效应和位移效应理论模型,深入分析了器件暗信号的退化机理.研究结果表明,对该国产器件而言,电离效应导致的表面暗信号和位移效应导致的体暗信号对整个器件暗信号退化的贡献大致相当. 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体有源像素传感器 暗信号 质子辐射 位移效应
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基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究 被引量:9
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作者 王帆 李豫东 +4 位作者 郭旗 汪波 张兴尧 文林 何承发 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期176-181,共6页
对基于4晶体管像素结构互补金属氧化物半导体图像传感器的电离总剂量效应进行了研究,着重分析了器件的满阱容量和暗电流随总剂量退化的物理机理.实验的总剂量为200 krad(Si),测试点分别为30 krad(Si),100 krad(Si),150 krad(Si)和200 kr... 对基于4晶体管像素结构互补金属氧化物半导体图像传感器的电离总剂量效应进行了研究,着重分析了器件的满阱容量和暗电流随总剂量退化的物理机理.实验的总剂量为200 krad(Si),测试点分别为30 krad(Si),100 krad(Si),150 krad(Si)和200 krad(Si),剂量率为50 rad(Si)/s.实验结果发现随着辐照总剂量的增加,器件的满阱容量下降并且暗电流显著增加.其中辐照使得传输门沟道掺杂分布发生改变是满阱容量下降的主要原因,而暗电流退化则主要来自于浅槽隔离界面缺陷产生电流和传输门-光电二极管交叠区产生电流.实验还表明样品器件的转换增益在辐照前后未发生明显变化,并且与3晶体管像素结构不同,4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器没有显著的总剂量辐照偏置效应. 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体图像传感器 电离总剂量效应 钳位二极管 满阱容量
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互补金属氧化物半导体图像传感器
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作者 权五凤 《传感器世界》 2004年第2期53-53,共1页
关键词 CMOS 图像传感器 互补金属氧化物半导体 光电二极管
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CMOS有源像素传感器辐射损伤对星敏感器星图识别影响机理与识别算法 被引量:2
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作者 冯婕 崔益豪 +2 位作者 李豫东 文林 郭旗 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第18期217-225,共9页
为分析恶劣空间辐射环境导致星敏感器性能退化、姿态测量精度降低的原因,深入研究了^(60)Co-γ射线辐射环境下互补金属氧化物半导体有源像素传感器(complementary metal oxide semiconductor active pixel sensor,CMOS APS)电离总剂量... 为分析恶劣空间辐射环境导致星敏感器性能退化、姿态测量精度降低的原因,深入研究了^(60)Co-γ射线辐射环境下互补金属氧化物半导体有源像素传感器(complementary metal oxide semiconductor active pixel sensor,CMOS APS)电离总剂量效应对星敏感器星图识别的影响机理.通过搭建外场观星试验系统,实际观测天顶和猎户座天区,经过星图数据采集、星点提取与星图识别等试验流程,获得^(60)Co-γ射线辐照后CMOS APS噪声对星图背景灰度均值、识别星点数量的影响机理,并提出一种寻找被辐射噪声湮没星点的识别算法.通过理论推导分别建立了CMOS APS暗电流噪声、暗信号非均匀性噪声和光响应非均匀性噪声与星点质心定位误差的定量关系.研究结果表明^(60)Co-γ射线辐照后星敏感器星图背景灰度均值增大、星点识别数量减少,CMOS APS辐照后噪声增大导致星点质心定位误差增大,从而影响星敏感器的姿态定位精度,该研究结果为高精度星敏感器的设计和抗辐射加固提供一定的理论依据. 展开更多
关键词 星敏感器 辐射损伤机理 星图识别 互补金属氧化物半导体有源像素传感器 识别算法
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安森美半导体PYTHON CMOS图像传感器为工业应用提供通用性及优异性能
5
《单片机与嵌入式系统应用》 2014年第6期88-88,共1页
安森美半导体(ON Semiconductor)推出新的PYTHON互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器系列的首批器件。PYTHON 300、PYTHON 500及PYTHON1300的分辨率分别为30万像素、50万像素及130万像素,它们针对工业图像传感应用的通用需求而... 安森美半导体(ON Semiconductor)推出新的PYTHON互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器系列的首批器件。PYTHON 300、PYTHON 500及PYTHON1300的分辨率分别为30万像素、50万像素及130万像素,它们针对工业图像传感应用的通用需求而设计, 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 PYTHON 安森美半导体 工业应用 通用性 互补金属氧化物半导体 130万像素 性能
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互补金属氧化物半导体图像传感器亚像元细分精度实验研究 被引量:11
6
作者 刘智 翟林培 郝志航 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期118-124,共7页
通过图像处理方法,用软件的方式(亚像元细分)对目标进行定位是一个可有效提高测量精度的途径。主要对互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器亚像元细分精度的测试方法和测试结果进行研讨。利用压电陶瓷(PZT)精密快扫振镜(FSM)... 通过图像处理方法,用软件的方式(亚像元细分)对目标进行定位是一个可有效提高测量精度的途径。主要对互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器亚像元细分精度的测试方法和测试结果进行研讨。利用压电陶瓷(PZT)精密快扫振镜(FSM)和基于互补金属氧化物半导体图像传感器OV7620的数字相机构建了实验系统,对该互补金属氧化物半导体图像传感器OV7620的亚像元细分精度进行了实验研究。结果表明,OV7620的质心定位精度达到0.17pixel,即能够实现六细分,互补金属氧化物半导体图像传感器具有实现亚像元细分的能力,能够应用于以光斑质心检测为手段的测量系统中。 展开更多
关键词 成像系统 互补金属氧化物半导体图像传感器 亚像元细分 细分精度 填充率
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安森美半导体推出业界最小的有源时钟产生器IC,用于降低便携应用的电磁干扰
7
《电源技术应用》 2011年第11期77-77,共1页
安森美半导体推出新系列的有源时钟产生器集成电路(IC),管理时钟源的电磁干扰(EMl)及射频干扰(RF『),为所有依赖于时钟的信号提供降低全系统级的EMl。新的P3MS650100H及P3MS650103H低压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)降低峰值... 安森美半导体推出新系列的有源时钟产生器集成电路(IC),管理时钟源的电磁干扰(EMl)及射频干扰(RF『),为所有依赖于时钟的信号提供降低全系统级的EMl。新的P3MS650100H及P3MS650103H低压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)降低峰值EMI时钟产生器非常适合用于空间受限的应用,如便携电池供电设备,包括手机及平板电脑。这些便携设备的EMl/RFl可能是一项重要挑战,而符合相关规范是先决条件。 展开更多
关键词 时钟产生器 安森美半导体 电磁干扰 有源 应用 互补金属氧化物半导体 lC 电池供电设备
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有源像素传感器引领牙科影像技术进入数字化时代
8
作者 唐甜 《军民两用技术与产品》 2017年第1期39-40,共2页
最初起源于美国国家航空航天局(NASA)的互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器现在已广泛应用于手机相机和数码相机中,而随着CMOS图像传感器技术的快速发展,其又被推广应用到了牙科的X射线检测设备中。
关键词 有源像传感器 数字化时代 影像技术 牙科 互补金属氧化物半导体 美国国家航空航天局 数码相机 传感器技术
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CCD与CMOS像素传感器γ射线电离辐射响应特性对比研究 被引量:6
9
作者 徐守龙 邹树梁 +2 位作者 黄有骏 郭赞 匡雅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期815-822,共8页
为了研究CCD与CMOS像素传感器对γ射线电离辐射的响应差异,对比研究了4类像素传感器的结构特点和辐射响应特性。通过辐射实验,对各传感器在不同辐射水平条件下的光子响应事件分布、平均灰度值以及典型光子响应事件进行研究。研究结果表... 为了研究CCD与CMOS像素传感器对γ射线电离辐射的响应差异,对比研究了4类像素传感器的结构特点和辐射响应特性。通过辐射实验,对各传感器在不同辐射水平条件下的光子响应事件分布、平均灰度值以及典型光子响应事件进行研究。研究结果表明:光子响应程度均与辐射剂量率相关;CCD像素传感器的沟道传输方式使每列像元间的辐射响应更容易相互干扰;平均灰度值随剂量率的增大存在明显的梯度,各积分周期内输出信号灰度值围绕均值上下波动,CCD像素传感器输出信号灰度浮动范围较小;CMOS像素传感器各像元对光子的响应更加明显,CCD像素传感器各像元的响应信号易与相邻像元发生串扰;各类像素传感器典型辐射响应事件区域中发生光子响应的像元数量随剂量率的增大而增多,响应事件并非单个光子的行为,而是反映了多个光子在区域内同时沉积能量的过程。本研究为开发像素传感器的γ射线辐射探测技术和应用提供了重要的理论分析和实验数据支撑。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 电荷耦合元件 像素传感器 光子电离辐射 辐射响应特性
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CMOS图像传感器用像素级双采样存储技术
10
作者 裴志军 国澄明 +1 位作者 姚素英 赵毅强 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期335-339,共5页
多次曝光技术是扩展CM O S APS图像传感器动态范围较为有效的方法,但多于两次的曝光,信号处理复杂,使传感器的帧频受到限制,而像素级双采样存储技术将两次曝光采样及图像组合处理在像素内实现,在获得高动态范围的同时,可有效提高图像实... 多次曝光技术是扩展CM O S APS图像传感器动态范围较为有效的方法,但多于两次的曝光,信号处理复杂,使传感器的帧频受到限制,而像素级双采样存储技术将两次曝光采样及图像组合处理在像素内实现,在获得高动态范围的同时,可有效提高图像实时处理的速度,并且可以工作于高速同步曝光模式。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 图像传感器 动态范围 双采样存储
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1064nm纳秒单脉冲激光对互补金属氧化物半导体探测器的损伤效应实验研究 被引量:4
11
作者 郭锋 朱志武 +1 位作者 朱荣臻 程湘爱 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第F06期192-197,共6页
实验采用60ns、1064nm单脉冲激光辐照前照式有源型可见光CMOS探测器,随着损伤程度的加深,分别观察到点损伤、半边黑线损伤以及十字交叉黑线损伤等硬损伤现象。各损伤现象出现时对应的探测器表面激光能量密度分别为0.38、0.64、1.0J... 实验采用60ns、1064nm单脉冲激光辐照前照式有源型可见光CMOS探测器,随着损伤程度的加深,分别观察到点损伤、半边黑线损伤以及十字交叉黑线损伤等硬损伤现象。各损伤现象出现时对应的探测器表面激光能量密度分别为0.38、0.64、1.0J/cm2。进一步提高激光能量密度,观察到十字交叉黑线变粗,覆盖面积扩大。即使激光能量密度达到2.8J/cm2,此时黑线已经覆盖绝大部分探测器像元,但探测器仍然没有完全失效,未损伤区域还可以成像。基于CMOS样品的结构和工作原理,对损伤机理进行了理论分析,认为点损伤是由于热效应引起结构缺陷从而造成漏电流增加,半边黑线损伤和十字交叉黑线损伤是由于器件电路的熔断导致信号中断。 展开更多
关键词 传感器 硬损伤 单脉冲激光 前照式互补金属氧化物半导体
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一种用于单细胞阻抗检测的CMOS-MEMS单芯片电化学阻抗传感器
12
作者 聂鉴卿 蔡盛训 +2 位作者 王琨 关一民 刘德盟 《微纳电子技术》 CAS 2024年第12期114-121,共8页
传统的基于贵金属的共面电极价格昂贵,且难以与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺集成,阻碍了采用共面电极的传感器的量产与大规模应用。开发了一种基于微机电系统(MEMS)工艺的共面钽电极电化学阻抗传感器,该传感器集成了精准微泵和微流道... 传统的基于贵金属的共面电极价格昂贵,且难以与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺集成,阻碍了采用共面电极的传感器的量产与大规模应用。开发了一种基于微机电系统(MEMS)工艺的共面钽电极电化学阻抗传感器,该传感器集成了精准微泵和微流道,可实现单细胞在共面电极上的精准操控和非侵入性电阻抗检测和分析。设计了3组不同宽度和间距的钽电极,其中30μm/10μm的配置对细胞响应最为灵敏。细胞流过电极的动态阻抗测试表明,在500 kHz~2 MHz频率范围内,传感器能有效检测HEK 293细胞和CHO细胞,两种细胞的阻抗响应指数分别达到3.93%和1.80%。研究表明基于钽电极的电化学阻抗传感器在单细胞阻抗分析中有较高的应用潜力,测试结果可以指导高通量、低成本的单细胞电阻抗检测芯片的量产开发。 展开更多
关键词 单细胞阻抗检测 共面钽电极 微型阻抗传感器 精准微泵 互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容
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简化4T像素结构CMOS图像传感器设计与实现
13
作者 赵秋卫 李晓宇 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期179-183,共5页
阐述了一种简化4T像素结构的设计。较普通4T像素结构而言,该简化结构像素内部去掉了行选通管,从而提高了像素的填充因子,简化了内部电路设计,减小了版图的面积,消除了行选通管引入的随机噪声。该像素结构采用0.11μm CIS工艺,成功应用... 阐述了一种简化4T像素结构的设计。较普通4T像素结构而言,该简化结构像素内部去掉了行选通管,从而提高了像素的填充因子,简化了内部电路设计,减小了版图的面积,消除了行选通管引入的随机噪声。该像素结构采用0.11μm CIS工艺,成功应用于一款像素阵列为640×480的CMOS图像传感器芯片,经过流片测试,芯片整体性能达到了预期的设计目标。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体图像传感器 简化4T像素结构 填充因子 灵敏度
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东芝CMOS图像传感器又添320万像素、200万像素新品
14
《电子测试(新电子)》 2006年第11期109-109,共1页
东芝近日宣布,已经研制出了互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器Dynastron的新品,用于手机,在原来基础上升级,并且扩充了产品阵容。两种新品分别为320万像素的ET8EE6-AS和200万像素的ET8EF2-AS,进一步小型化,适用于手机和其... 东芝近日宣布,已经研制出了互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器Dynastron的新品,用于手机,在原来基础上升级,并且扩充了产品阵容。两种新品分别为320万像素的ET8EE6-AS和200万像素的ET8EF2-AS,进一步小型化,适用于手机和其他带有拍摄功能的便携式产品。这些产品于10月日本暮张会展中心举办的CEATEC JAPAN 2006中展出。 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 320万像素 200万像素 东芝 互补金属氧化物半导体 便携式产品 JAPAN 拍摄功能
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CMOS传感器紫外敏化膜层的厚度优化及其光电性能测试 被引量:9
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作者 刘琼 马守宝 +3 位作者 钱晓晨 阮俊 卢忠荣 陶春先 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期225-230,共6页
采用真空热阻蒸方式在CMOS图像传感器感光面上镀制不同厚度性比价高的Lumogen薄膜.研究发现不同Lumogen薄膜厚度的CMOS传感器的暗电流噪声未发生明显变化,说明真空热蒸发方式对互补金属氧化物半导体器件本身未造成热损伤;光响应非均匀... 采用真空热阻蒸方式在CMOS图像传感器感光面上镀制不同厚度性比价高的Lumogen薄膜.研究发现不同Lumogen薄膜厚度的CMOS传感器的暗电流噪声未发生明显变化,说明真空热蒸发方式对互补金属氧化物半导体器件本身未造成热损伤;光响应非均匀度随膜厚增加而增大;动态范围却随膜厚增加而减小;量子效率随膜厚增加呈现先增大后减小.同时,研究发现敏化膜层最佳厚度为389nm,此时CMOS传感器的量子效率提高了10%,且光响应非均匀度,动态范围均在相对较好的范围内. 展开更多
关键词 传感器技术 薄膜技术 紫外敏化 互补金属氧化物半导体传感器 荧光材料 量子效率 动态范围
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集成CMOS温度传感器设计、实现和测试 被引量:7
16
作者 曹新亮 余宁梅 卫秦啸 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期38-42,共5页
基于MOS管的阈值电压和载流子迁移率随温度的变化关系,设计了一种与CMOS工艺兼容的集成温度传感器。该温度传感器选用charted0.35μm工艺库,以Cadence进行电路图、版图设计,并以CadenceSpectre工具进行仿真,最后经流片、测试,实测与仿... 基于MOS管的阈值电压和载流子迁移率随温度的变化关系,设计了一种与CMOS工艺兼容的集成温度传感器。该温度传感器选用charted0.35μm工艺库,以Cadence进行电路图、版图设计,并以CadenceSpectre工具进行仿真,最后经流片、测试,实测与仿真对比结果显示:温度在25~105℃之间变化时,输出频率的变化范围为10.19~5.81MHz,且有较好的线性。此传感器对片上系统温度的监测、过热报警和振荡器频率漂移的补偿等均有重要的意义。 展开更多
关键词 互补对称金属-氧化物半导体 温度传感器 频率 测试 分析
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应用于RFID的超低功耗CMOS温度传感器设计 被引量:6
17
作者 吴翔 邓芳明 +1 位作者 何怡刚 丁青锋 《传感器与微系统》 CSCD 2016年第2期106-108,112,共4页
针对融合射频识别(RFID)的无线温度传感器节点设计的需求,采用0.18μm 1P6M台积电CMOS工艺,设计了一种低功耗集成温度传感器。该温度传感器首先将温度信号转换为电压信号,然后通过经压控振荡器将电压信号转换为受温度控制的频率信号,... 针对融合射频识别(RFID)的无线温度传感器节点设计的需求,采用0.18μm 1P6M台积电CMOS工艺,设计了一种低功耗集成温度传感器。该温度传感器首先将温度信号转换为电压信号,然后通过经压控振荡器将电压信号转换为受温度控制的频率信号,再通过计数器,将频率信号转换为数字信号。传感器电路利用MOS管工作在亚阈值区,并采用动态阈值技术获得超低功耗。测试结果显示:所设计的温度传感器仅占用0.051 mm2,功耗仅为101 n W,在0~100℃范围内误差为-1.5~1.2℃。 展开更多
关键词 温度传感器 射频识别技术 互补金属氧化物半导体工艺
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CMOS图像传感器在航天遥感中的应用 被引量:19
18
作者 王军 李国宏 《航天返回与遥感》 2008年第2期42-47,共6页
文章对互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器的应用情况进行了综述,对CMOS传感器的优缺点与CCD进行了比较。通过计算CMOS遥感器的理论信噪比,证明CMOS传感器能满足航天遥感应用。
关键词 互补金属氧化物半导体 图像传感器 信噪比 航天遥感
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无源温度标签中的超低功耗CMOS温度传感器设计 被引量:2
19
作者 冯鹏 邓元明 +5 位作者 伯林 刘力源 于双铭 李贵柯 王开友 吴南健 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期572-578,602,共8页
设计了一种适用于无源超高频(UHF)温度标签的超低功耗CMOS温度传感器电路。该电路利用衬底pnp晶体管产生随温度变化的电压信号,同时采用了逐次逼近寄存器(SAR)转换和Σ-Δ调制相结合的模拟数字转换方式。为了降低电源电压波动以及... 设计了一种适用于无源超高频(UHF)温度标签的超低功耗CMOS温度传感器电路。该电路利用衬底pnp晶体管产生随温度变化的电压信号,同时采用了逐次逼近寄存器(SAR)转换和Σ-Δ调制相结合的模拟数字转换方式。为了降低电源电压波动以及采样电容电荷泄漏对传感器测温精度的不利影响,提出了一种具有漏电保护机制的采样电路。基于0.18μm CMOS工艺设计实现了该传感器的电路和版图,其中版图面积为550μm×450μm,并利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真。仿真结果表明,在-40~125℃,传感器的系统误差为-1.4~2.0℃,测温分辨率达到0.02℃;在1.2~2.6 V电源电压内,传感器输出温度波动小于0.3℃;在1.2 V电源电压下传感器电路(不含控制逻辑及数字滤波器)的功耗仅为2.4μW。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(CMOS) 温度传感器 超低功耗 无源 温度标签
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CMOS图像传感器固定模式噪声抑制新技术。 被引量:4
20
作者 刘宇 王国裕 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期345-348,419,共5页
针对有源像素(APS)CMOS图像传感器中的固定模式噪声(FPN),设计了一种动态数字双采样的噪声抑制新技术;该技术比普通双采样技术具有更佳的抑制效果,其电路结构简单,适合于像素尺寸不断缩小的CMOS图像传感器发展趋势。通过MPW计划,采用Cha... 针对有源像素(APS)CMOS图像传感器中的固定模式噪声(FPN),设计了一种动态数字双采样的噪声抑制新技术;该技术比普通双采样技术具有更佳的抑制效果,其电路结构简单,适合于像素尺寸不断缩小的CMOS图像传感器发展趋势。通过MPW计划,采用Chartered0.35μmCMOS工艺制作了测试ASIC芯片,试验结果表明动态数字双采样技术有效抑制了FPN噪声。 展开更多
关键词 有源像 互补金属氧化物半导体图像传感器 固定模式噪声 噪声抑制 动态数字双采样
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