提出以电流信号表示逻辑值的新型低噪声触发器设计,用于高性能混合集成电路的设计中以减少存贮单元开关噪声对模拟电路性能的影响。所提出的设计包括主从型边沿触发器和单闩锁单边沿触发器。单个锁存器的电流型边沿触发器设计是通过在...提出以电流信号表示逻辑值的新型低噪声触发器设计,用于高性能混合集成电路的设计中以减少存贮单元开关噪声对模拟电路性能的影响。所提出的设计包括主从型边沿触发器和单闩锁单边沿触发器。单个锁存器的电流型边沿触发器设计是通过在有效时钟沿后产生的窄脉冲使锁存器瞬时导通完成一次取样求值。与主从型触发器相比,单闩锁结构的触发器具有结构简单、直流功耗低的特点。采用0.25μm CM O S工艺参数的HSP ICE模拟结果表明,所提出的电流型触发器工作时,在电源端产生的电流波动远远小于传统的CM O S电路。展开更多
为了提高压电传感器测量系统的集成度,采用1μm高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺,设计了一种适用于压电传感器的信号调理及输出芯片。集成了电压放大型阻抗变换电路、可调增益放大电路、二线制电流...为了提高压电传感器测量系统的集成度,采用1μm高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺,设计了一种适用于压电传感器的信号调理及输出芯片。集成了电压放大型阻抗变换电路、可调增益放大电路、二线制电流输出电路。仿真结果表明:芯片具有输入阻抗高,单位增益带宽大,总增益可调范围广等特点,在12~24 V宽供电范围下可正常工作,耗电仅为3.1 m A。展开更多
调频范围是压控振荡器的一个重要的性能指标,当调频范围增大时,振荡器的振幅会随着频率的不同而改变。为了保证压控振荡器在调频范围内振幅恒定,提出了一种新型的自动振幅控制的电路结构。自动振幅控制电路由峰值检测、比较器和低通滤...调频范围是压控振荡器的一个重要的性能指标,当调频范围增大时,振荡器的振幅会随着频率的不同而改变。为了保证压控振荡器在调频范围内振幅恒定,提出了一种新型的自动振幅控制的电路结构。自动振幅控制电路由峰值检测、比较器和低通滤波器几部分构成,自动振幅控制电路与压控振荡器组成的反馈环路控制压控振荡器的输出恒定。电路采用标准的0.35μm CM O S工艺流片并进行测试。测试结果表明:压控振荡器的调频范围为18.2MH z^24.3MH z,达到了28.7%,自动振幅控制电路保证压控振荡器的振幅变化仅为8.7%。展开更多
文摘提出以电流信号表示逻辑值的新型低噪声触发器设计,用于高性能混合集成电路的设计中以减少存贮单元开关噪声对模拟电路性能的影响。所提出的设计包括主从型边沿触发器和单闩锁单边沿触发器。单个锁存器的电流型边沿触发器设计是通过在有效时钟沿后产生的窄脉冲使锁存器瞬时导通完成一次取样求值。与主从型触发器相比,单闩锁结构的触发器具有结构简单、直流功耗低的特点。采用0.25μm CM O S工艺参数的HSP ICE模拟结果表明,所提出的电流型触发器工作时,在电源端产生的电流波动远远小于传统的CM O S电路。
文摘为了提高压电传感器测量系统的集成度,采用1μm高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺,设计了一种适用于压电传感器的信号调理及输出芯片。集成了电压放大型阻抗变换电路、可调增益放大电路、二线制电流输出电路。仿真结果表明:芯片具有输入阻抗高,单位增益带宽大,总增益可调范围广等特点,在12~24 V宽供电范围下可正常工作,耗电仅为3.1 m A。
文摘调频范围是压控振荡器的一个重要的性能指标,当调频范围增大时,振荡器的振幅会随着频率的不同而改变。为了保证压控振荡器在调频范围内振幅恒定,提出了一种新型的自动振幅控制的电路结构。自动振幅控制电路由峰值检测、比较器和低通滤波器几部分构成,自动振幅控制电路与压控振荡器组成的反馈环路控制压控振荡器的输出恒定。电路采用标准的0.35μm CM O S工艺流片并进行测试。测试结果表明:压控振荡器的调频范围为18.2MH z^24.3MH z,达到了28.7%,自动振幅控制电路保证压控振荡器的振幅变化仅为8.7%。
