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题名静电放电抗扰度测试及其防护
被引量：1
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作者
周捷
朱安笛
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机构
中国船舶重工集团公司第七二三研究所
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出处
《环境技术》
2018年第5期114-116,共3页
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文摘
本文介绍了静电的产生和危害,对人体静电放电模型进行了分析,对常用静电放电抗扰度测试配置、测试方法、注意事项和静电防护进行了详细描述。
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关键词
静电
人体静电放电模型
静电放电抗扰度测试
防护
GB/T17626.2-2006
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Keywords
static electricity
electrostatic discharge model of human body
electrostatic discharge immunity test
protection
GB/T 17626.2-2006
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分类号
V416.5
[航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程]
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题名功率VDMOS器件ESD防护结构设计研究
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作者
毕向东
张世峰
韩雁
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机构
广东粤晶高科股份有限公司
浙江大学微电子与光电子研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期604-608,共5页
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文摘
随着半导体工艺的不断发展,器件的特征尺寸在不断缩小,栅氧化层也越来越薄,使得器件受到静电放电破坏的概率大大增加。为此,设计了一种用于保护功率器件栅氧化层的多晶硅背靠背齐纳二极管ESD防护结构。多晶硅背靠背齐纳二极管通过在栅氧化层上的多晶硅中不同区域进行不同掺杂实现。该结构与现有功率VDMOS制造工艺完全兼容,具有很强的鲁棒性。由于多晶硅与体硅分开,消除了衬底耦合噪声和寄生效应等,从而有效减小了漏电流。经流片测试验证,该ESD防护结构的HBM防护级别达8 kV以上。
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关键词
纵向双扩散金属氧化物半导体
静电损伤防护
多晶硅齐纳二极管
开启电压
人体静电放电模型
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Keywords
vertical double-diffused metal oxide semiconductor（VDMOS）
ESD protection
polysilicon zener diode
trigger voltage
HBM
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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