PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究 被引量：4

1

作者 高博 刘刚 +4 位作者 王立新 韩郑生 余学峰 任迪远 孙静 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期848-853,共6页

为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论。实验结果表明:相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明... 为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论。实验结果表明:相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明显,此种PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应;高剂量率辐照后进行室温退火时,由于界面陷阱电荷的影响,PMOSFET阈值电压继续负向漂移,退火温度越高,阈值电压回漂越明显;辐照时,零偏置条件下器件阈值电压的漂移较负偏置时的大,认为是最劣偏置。 展开更多

关键词 PMOSFET 退火效应 低剂量率辐射损伤增强效应

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双极器件低剂量率辐射损伤增强效应物理机制研究 被引量：3

2

作者 何宝平 姚志斌 +4 位作者 刘敏波 黄绍艳 王祖军 肖志刚 盛江坤 《现代应用物理》 2013年第2期-,共6页

采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在... 采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因. 展开更多

关键词 半带电压漂移 低剂量率辐射损伤增强 MOS电容 总剂量

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不同类型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应损伤机制 被引量：4

3

作者 王先明 刘楚湘 魏蔚 《新疆师范大学学报（自然科学版）》 2005年第4期32-35,共4页

文章研究了双极晶体管不同温度的低剂量率辐射损伤增强效应,发现NPN晶体管与PNP晶体管的低剂量率辐射损伤机制是不相同的.最后文章讨论了其中可能的内在机制。

关键词 双极晶体管 ELDRS 低剂量率辐射损伤增强效应

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p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究 被引量：2

4

作者 高博 余学峰 +4 位作者 任迪远 崔江维 兰博 李明 王义元 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期812-818,共7页

对一种非加固4007电路中p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在不同剂量率条件下的电离辐射损伤效应及高剂量率辐照后的退火效应进行了研究.通过测量不同剂量率条件下PMOSFET的亚阈I-V特性曲线,得到阈值电压漂移量随累积剂量、退... 对一种非加固4007电路中p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在不同剂量率条件下的电离辐射损伤效应及高剂量率辐照后的退火效应进行了研究.通过测量不同剂量率条件下PMOSFET的亚阈I-V特性曲线,得到阈值电压漂移量随累积剂量、退火时间的变化关系.实验发现,此种型号的PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应.通过描述H+在氧化层中的输运过程,解释了界面态的形成原因,初步探讨了非加固4007电路中PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应模型. 展开更多

关键词 p型金属氧化物半导体场效应晶体管 60Coγ射线 电离辐射损伤 低剂量率辐射损伤增强效应

原文传递

双极线性集成电路低剂量率辐射的增强损伤 被引量：10

5

作者 陈盘训 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期333-337,共5页

综合介绍了双极线性集成电路在低剂量率辐射下产生的异常损伤，即在低剂量率下辐射时，这些器件在很低的总剂量水平下即告失效，失效阈较高剂量率辐射要低得多。它是因构成线性电路的双极器件发射极－基极结上覆盖了厚氧化物，低剂量率... 综合介绍了双极线性集成电路在低剂量率辐射下产生的异常损伤，即在低剂量率下辐射时，这些器件在很低的总剂量水平下即告失效，失效阈较高剂量率辐射要低得多。它是因构成线性电路的双极器件发射极－基极结上覆盖了厚氧化物，低剂量率电离辐射在氧化物内产生电荷的传输时间有时要达到数百秒。 展开更多

关键词 线性 集成电路 低剂量率 辐射 增强损伤

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双极运算放大器低剂量率辐照损伤增强效应的变温加速辐照方法 被引量：13

6

作者 陆妩 任迪远 +3 位作者 郑玉展 王义元 郭旗 余学峰 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期769-775,共7页

介绍了一种变温辐照加速评估双极电路低剂量率辐照损伤增强效应的新实验方法,并对各种实验现象的潜在机理进行了分析。结果显示,阶跃降低辐照温度的变温辐照法,不仅能较好地模拟双极运放电路实际空间低剂量率的辐照损伤,且比美军标的恒... 介绍了一种变温辐照加速评估双极电路低剂量率辐照损伤增强效应的新实验方法,并对各种实验现象的潜在机理进行了分析。结果显示,阶跃降低辐照温度的变温辐照法,不仅能较好地模拟双极运放电路实际空间低剂量率的辐照损伤,且比美军标的恒高温辐照法的总剂量评估范围明显增大,还可作为快速鉴别器件是否具有低剂量率辐照损伤增强效应的有效实验方法。 展开更多

关键词 双极运算放大器 60Coγ辐照 低剂量率辐照损伤增强效应 加速评估方法

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低剂量率辐照损伤增强效应的高温辐照加速试验机理研究 被引量：4

7

作者 姚志斌 陈伟 +6 位作者 何宝平 马武英 盛江坤 刘敏波 王祖军 金军山 张帅 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期1144-1152,共9页

本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度... 本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度的影响。结果表明,最佳辐照温度是辐射感生产物产生与退火相互竞争的结果,且辐射感生产物的退火行为是决定最佳辐照温度的主要因素,因此氧化物陷阱的热激发能及界面陷阱的钝化能对最佳辐照温度的影响最为明显,是不同器件最佳辐照温度差异性的主要原因。 展开更多

关键词 低剂量率辐照损伤增强效应 数值仿真 总剂量效应 高温辐照 加速试验

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典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的研究与评估 被引量：4

8

作者 李小龙 陆妩 +8 位作者 王信 郭旗 何承发 孙静 于新 刘默寒 贾金成 姚帅 魏昕宇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期196-203,共8页

采用变剂量率和变温两种辐照方法,对4款典型模拟电路的低剂量率辐照损伤特性及变化规律进行了研究与评估,分析了两种辐照方法下其辐照敏感参数的变化,比较了不同辐照方式下器件的退化程度,讨论了这两种实验室加速评估低剂量率辐照损伤... 采用变剂量率和变温两种辐照方法,对4款典型模拟电路的低剂量率辐照损伤特性及变化规律进行了研究与评估,分析了两种辐照方法下其辐照敏感参数的变化,比较了不同辐照方式下器件的退化程度,讨论了这两种实验室加速评估低剂量率辐照损伤方法的机理.结果显示,变剂量率辐照可以较快地预测实际低剂量率下的辐照损伤趋势,且在较低的总剂量下能够给出不太保守的估计,但其预测的总剂量受到器件退化速度的影响;变温辐照加速评估方法能够保守地估计其低剂量率下的辐照损伤,其评估范围不仅可达1000 Gy(Si),且可将评估时间缩短为12 h左右.研究结果表明,双极电路的低剂量率辐照损伤增强效应与感生的界面态密度和氢化的氧空位缺陷有关,辐照时剂量率和温度的改变会促进界面态的生长,抑制界面态的钝化作用,从而激发器件的辐照损伤潜能. 展开更多

关键词 双极模拟电路 低剂量率辐照损伤增强效应 加速评估方法

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锑基异质结晶体管的总剂量效应和低剂量率损伤增强效应

9

作者 杨桂霞 庞元龙 +2 位作者 王晓东 徐家云 蒋洞微 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期124-130,共7页

锑化物异质结晶体管是新型的高速低功率电子器件,航天上具有良好的应用前景,但是对其耐辐照能力的研究并不深入。本文利用低频噪声和霍尔效应首次研究了分子束外延生长的锑基异质结晶体管在1.95×10^(-1) Gy·s^(-1)和1.50×... 锑化物异质结晶体管是新型的高速低功率电子器件,航天上具有良好的应用前景,但是对其耐辐照能力的研究并不深入。本文利用低频噪声和霍尔效应首次研究了分子束外延生长的锑基异质结晶体管在1.95×10^(-1) Gy·s^(-1)和1.50×10^(-2) Gy·s^(-1)低剂量率下的γ辐照效应。结果显示,在300 Gy(Si)~1500 Gy(Si)总吸收剂量范围内,表征缺陷浓度的噪声功率谱密度较之辐照前变小,辐照前后噪声功率谱密度差值随着吸收剂量的增大而缓慢增大,噪声功率谱密度、载流子迁移率和载流子浓度在不同的吸收剂量率之间没有明显差异。上述结果表明γ辐照下锑基异质结晶体管未表现出明显低剂量率损伤增强效应,虽然存在微弱的总剂量效应,但是总体而言γ辐射使得锑基异质结晶体管性能变得更为优良,其载流子迁移率较之辐照前增大了1.35%~6.48%,载流子浓度较之辐照前增大了1.43%~6.88%。 展开更多

关键词 分子束外延 1/f噪声 总剂量效应 低剂量率损伤增强效应 异质结双极晶体管

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低剂量/低剂量率电离辐射减轻放射性损伤的研究进展 被引量：1

10

作者 赵文迪 田健 周建炜 《河南大学学报（医学版）》 CAS 2021年第5期372-376,共5页

长久以来电离辐射被当作"再微量也有风险"的因素而被人们所担忧。研究显示:当生物组织接受200 mGy以下的低剂量电离辐射时,可诱导正常组织产生适应性保护反应,进而对后续的高剂量电离辐射产生耐受,从而降低其导致的各种损伤... 长久以来电离辐射被当作"再微量也有风险"的因素而被人们所担忧。研究显示:当生物组织接受200 mGy以下的低剂量电离辐射时,可诱导正常组织产生适应性保护反应,进而对后续的高剂量电离辐射产生耐受,从而降低其导致的各种损伤。就低剂量/低剂量率电离辐射对正常组织保护作用的研究现状和生物学机制等方面的研究进展进行综述,为放射性损伤的预防和诊治提供新的科学依据。 展开更多

关键词 电离辐射 低剂量/低剂量率 放射性损伤 预防

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剂量率对MOS器件总剂量辐射性能的影响 被引量：10

11

作者 朱小锋 周开明 徐曦 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期322-325,共4页

对3种MOS器件在不同模拟源的两种辐照剂量率下进行辐照实验,研究了MOSFET阈值电压随辐射剂量及剂量率的变化关系。对实验结果进行了分析讨论。试验表明:在相同辐射剂量下,低剂量率辐照损伤比高剂量率大。

关键词 MOS器件 辐射性能 总剂量 MOSFET 辐射剂量 辐照剂量率 辐照实验 变化关系 阈值电压 分析讨论 辐照损伤 低剂量率 模拟源

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JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究 被引量：2

12

作者 高嵩 陆妩 +2 位作者 任迪远 牛振红 刘刚 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期627-630,共4页

本文对结型场效应管JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法进行了研究。结果表明,采用循环辐照—退火的方法可以使JFET输入运算放大器的辐射损伤增强,并且通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数,可以评测出器件的低剂量率辐射损伤... 本文对结型场效应管JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法进行了研究。结果表明,采用循环辐照—退火的方法可以使JFET输入运算放大器的辐射损伤增强,并且通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数,可以评测出器件的低剂量率辐射损伤情况。文章还对这种辐射损伤方法的机理进行了分析。 展开更多

关键词 运算放大器 结型场效应管 辐射损伤 低剂量率 加速评估

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系统低剂量率失效和加速模拟试验方法 被引量：1

13

作者 陈盘训 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期132-136,共2页

综述双极器件和双极线性电路在低剂量率辐射环境下的增强损伤,它可引起系统的早期失效。分析了引起低剂量率失效的物理机制,它与MOS器件电离辐射的损伤机制完全不同。为了缩短模拟试验时间和提高效/费比,研究了几种加速模拟试验方法,并... 综述双极器件和双极线性电路在低剂量率辐射环境下的增强损伤,它可引起系统的早期失效。分析了引起低剂量率失效的物理机制,它与MOS器件电离辐射的损伤机制完全不同。为了缩短模拟试验时间和提高效/费比,研究了几种加速模拟试验方法,并对处于低剂量率下系统的加固保证也提出了一些看法。 展开更多

关键词 低剂量率 失效 辐射损伤 模拟试验

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低剂量辐射联合pEgr-P16基因治疗诱导食管癌细胞凋亡的研究 被引量：2

14

作者 吴丛梅 黄天华 +4 位作者 吴德生 谢庆东 李德锐 陈秀如 徐小虎 《汕头大学医学院学报》 2005年第2期68-70,F002,共4页

目的:研究大剂量(2Gy)和低剂量(0.075Gy)X射线诱导pEgr P16重组质粒稳定转染的食管癌细胞株EC9706凋亡的作用。方法:将脂质体包裹的pEgr P16重组质粒,转染食管癌细胞系EC9706中,经G418筛选,获得稳定表达的细胞;采用Westernblot方法检测... 目的:研究大剂量(2Gy)和低剂量(0.075Gy)X射线诱导pEgr P16重组质粒稳定转染的食管癌细胞株EC9706凋亡的作用。方法:将脂质体包裹的pEgr P16重组质粒,转染食管癌细胞系EC9706中,经G418筛选,获得稳定表达的细胞;采用Westernblot方法检测不同剂量X射线诱导后P16的表达;观察不同剂量X射线照射后,EC9706细胞凋亡率的变化。结果:pEgr P16重组质粒转染EC9706细胞,并获得稳定转染的细胞;2Gy和0.075GyX射线照射均可诱导P16表达增强;稳定转染的细胞经2Gy和0.075GyX射线照射,细胞凋亡率明显高于假照射(0Gy)组(P<0.05～0.01)。结论:0.075GyX射线照射可诱导稳定转染的EC9706细胞中P16表达增强,使诱导细胞凋亡率提高。 展开更多

关键词 癌细胞凋亡 低剂量辐射 基因治疗 pEgr-P16 EC9706细胞 X射线照射 细胞凋亡率 Western X射线诱导 稳定转染 食管癌细胞株 重组质粒 食管癌细胞系 不同剂量 表达增强 脂质体包裹 稳定表达 blot 0.05 大剂量

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增强型氮化镓功率器件的总剂量效应 被引量：5

15

作者 陈思远 于新 +5 位作者 陆妩 王信 李小龙 刘默寒 孙静 郭旗 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第3期444-448,共5页

研究了P型帽层和共源共栅(Cascode)结构氮化镓(GaN)功率器件高/低剂量率辐照损伤效应。试验结果表明,P型帽层和Cascode结构GaN功率器件都不具有低剂量率损伤增强效应(ELDRS);Cascode结构GaN功率器件总剂量辐照损伤退化更明显;P型帽层结... 研究了P型帽层和共源共栅(Cascode)结构氮化镓(GaN)功率器件高/低剂量率辐照损伤效应。试验结果表明,P型帽层和Cascode结构GaN功率器件都不具有低剂量率损伤增强效应(ELDRS);Cascode结构GaN功率器件总剂量辐照损伤退化更明显;P型帽层结构的GaN功率器件抗总剂量能力较强。分析了二者的退化机制。试验结果为GaN功率器件空间应用提供了有益参考。 展开更多

关键词 氮化镓功率器件 总剂量效应 低剂量率损伤增强效应

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国产双极工艺线性电路低剂量率辐照效应评估方法 被引量：3

16

作者 李鹏伟 吕贺 +3 位作者 张洪伟 孙明 刘凡 孙静 《航天器环境工程》 2019年第2期146-150,共5页

国产双极工艺元器件应用于航天型号存在低剂量率辐射损伤增强效应风险,需要对其开展低剂量率辐照试验评估。在0.01 rad(Si)/s低剂量率辐照条件下,测试分析了不同工艺器件对不同偏置条件的敏感性差异;对比0.1 rad(Si)/s辐照试验结果,分... 国产双极工艺元器件应用于航天型号存在低剂量率辐射损伤增强效应风险,需要对其开展低剂量率辐照试验评估。在0.01 rad(Si)/s低剂量率辐照条件下,测试分析了不同工艺器件对不同偏置条件的敏感性差异;对比0.1 rad(Si)/s辐照试验结果,分析了器件的低剂量率辐射损伤增强效应特性,建立了辐射损伤增强因子和参数判据法相结合的评价标准;依据此标准讨论了各型号器件的低剂量率辐射增强敏感度以及抗电离总剂量辐射的能力。 展开更多

关键词 线性电路 低剂量率辐照 辐射损伤增强因子 抗辐射能力

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双极晶体管高温辐照的剂量率效应研究 被引量：6

17

作者 汪东 陆妩 +2 位作者 任迪远 郭旗 何承发 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期493-496,500,共5页

文章对一种具有低剂量率辐射损伤增强效应的国产双极晶体管进行了不同剂量率、不同温度下的电离辐照试验。结果表明,室温辐照条件下,该双极器件在较高剂量率下的辐射损伤没有显著区别,但在低剂量率辐照下,辐射损伤明显增加;而在高温辐... 文章对一种具有低剂量率辐射损伤增强效应的国产双极晶体管进行了不同剂量率、不同温度下的电离辐照试验。结果表明,室温辐照条件下,该双极器件在较高剂量率下的辐射损伤没有显著区别,但在低剂量率辐照下,辐射损伤明显增加;而在高温辐照条件下,即使辐照剂量率较高,其辐射损伤也有显著的差异。最后,讨论了这种效应可能的内在机制。 展开更多

关键词 双极晶体管 高温辐照 剂量率效应 低剂量率辐射损伤增强效应

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氢气浸泡辐照加速方法在3DG111器件上的应用及辐射损伤机理分析 被引量：5

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作者 赵金宇 杨剑群 +1 位作者 董磊 李兴冀 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期231-237,共7页

本文以^(60)Co为辐照源,针对3DG111型晶体管,利用半导体参数分析仪和深能级缺陷瞬态谱仪,研究高/低剂量率和有/无氢气浸泡条件下,电性能和深能级缺陷的演化规律.试验结果表明,与高剂量率辐照相比,低剂量率辐照条件下,3DG111型晶体管的... 本文以^(60)Co为辐照源,针对3DG111型晶体管,利用半导体参数分析仪和深能级缺陷瞬态谱仪,研究高/低剂量率和有/无氢气浸泡条件下,电性能和深能级缺陷的演化规律.试验结果表明,与高剂量率辐照相比,低剂量率辐照条件下,3DG111型晶体管的电流增益退化更加严重,这说明该器件出现了明显的低剂量率增强效应;无论是高剂量率还是低剂量率辐照条件下,3DG111晶体管的辐射损伤缺陷均是氧化物正电荷和界面态陷阱,并且低剂量率条件下,缺陷能级较深;氢气浸泡后在高剂量率辐照条件下,与未进行氢气处理的器件相比,辐射损伤程度明显加剧,且与低剂量率辐照条件下器件的损伤程度相同,缺陷数量、种类及能级也相同.因此,氢气浸泡处理可以作为低剂量率辐射损伤增强效应加速评估方法的有效手段. 展开更多

关键词 双极型晶体管 氢气 电离辐射 低剂量率辐射损伤增强效应

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不同^(60)Co γ剂量率下10位双极D/A转换器的总剂量效应 被引量：4

19

作者 王义元 陆妩 +4 位作者 任迪远 郑玉展 高博 李鹏伟 于跃 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期951-955,共5页

为探索电离辐射对数模混合电路的影响,对国产10位双极D/A转换器在60Co γ射线不同剂量率辐照下的电离辐射效应及退火特性进行研究。结果表明:D/A转换器对辐照剂量率十分敏感,在大剂量率辐照时,电路功能正常,各功能参数变化较小;在低剂... 为探索电离辐射对数模混合电路的影响,对国产10位双极D/A转换器在60Co γ射线不同剂量率辐照下的电离辐射效应及退火特性进行研究。结果表明:D/A转换器对辐照剂量率十分敏感,在大剂量率辐照时,电路功能正常,各功能参数变化较小;在低剂量率辐照下,各参数变化显著,电路功能出现异常,表现出明显的低剂量率损伤增强效应。最后,结合空间电荷模型对其电离辐射损伤机理进行了初步探讨。 展开更多

关键词 双极数模转换器 剂量率 电离效应 低剂量率损伤增强效应

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变温恒剂量率辐照加速评估方法在双极线性稳压器LM317上的应用 被引量：3

20

作者 邓伟 陆妩 +7 位作者 郭旗 何承发 吴雪 王信 张晋新 张孝富 郑齐文 马武英 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期727-733,共7页

对3个公司生产的同一型号双极线性稳压器LM317进行了工作和零偏偏置下高、低剂量率辐照,变温恒剂量率辐照及美军标恒高温恒剂量率辐照的对比实验。结果表明,与恒高温恒剂量率辐照相比,变温恒剂量率辐照不仅能非常准确、快速地评估出在... 对3个公司生产的同一型号双极线性稳压器LM317进行了工作和零偏偏置下高、低剂量率辐照,变温恒剂量率辐照及美军标恒高温恒剂量率辐照的对比实验。结果表明,与恒高温恒剂量率辐照相比,变温恒剂量率辐照不仅能非常准确、快速地评估出在不同偏置条件下3款双极线性稳压器的剂量率效应,还可较好地模拟双极线性稳压器在低剂量率辐照下的损伤。实验结果验证了变温恒剂量率辐照加速评估方法在双极线性稳压器上应用的可行性。 展开更多

关键词 双极线性稳压器 低剂量率损伤增强效应 60 Coγ辐照 变温恒剂量率辐照 加速评估方法

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