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低阈值电流密度INGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器 被引量：2
1
作者 徐遵图 徐俊英 +5 位作者 杨国文 张敬明 陈昌华 何晓曦 陈良惠 沈光地 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期321-324,共4页
利用分子束外延技术，生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs／GaAs／AlGaAs应变量子阱激光器．在腔长900μm时，80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A／cm2，在腔长为2000μm时是113A／cm2，这样低的阈值电流密度是目... 利用分子束外延技术，生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs／GaAs／AlGaAs应变量子阱激光器．在腔长900μm时，80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A／cm2，在腔长为2000μm时是113A／cm2，这样低的阈值电流密度是目前国内报道的最低值．激光器的内损耗和内量子效率分别是2cm－1和84％． 展开更多
关键词 量子阱激光器 分子束外延 低阈值电流密度
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大功率半导体激光器性能改善的研究 被引量：6
2
作者 孔真真 崔碧峰 +3 位作者 黄欣竹 李莎 房天啸 郝帅 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2017年第7期229-234,共6页
电流的侧向限制对半导体激光器具有重要意义,在半导体激光器有源区加入侧向限制结构一方面可以实现侧向限制,另一方面可以在一定范围内降低阈值电流密度。但是常规的侧向限制方法无论是侧向波导结构还是浅隔离槽结构都无法高效地抑制电... 电流的侧向限制对半导体激光器具有重要意义,在半导体激光器有源区加入侧向限制结构一方面可以实现侧向限制,另一方面可以在一定范围内降低阈值电流密度。但是常规的侧向限制方法无论是侧向波导结构还是浅隔离槽结构都无法高效地抑制电流的侧向扩展。设计了新型的深隔离槽结构,利用Comsol软件仿真模拟侧向限制,发现深度超过外延层厚度的深隔离槽结构能更有效地提高电流的注入效率。在工艺中利用感应耦合等离子体刻蚀在距离脊型台两侧100μm的位置刻蚀深度为4μm的深隔离槽。实验结果表明,工作电流为5A时,腔长4mm具有深隔离槽结构的半导体激光器芯片输出功率为3.6 W,阈值电流为0.3 A,阈值电流密度为78.95A/cm2。结果表明新型深隔离槽结构可以有效抑制电流的侧向扩展。 展开更多
关键词 激光器 大功率半导体激光器 侧向限制 Comsol仿真 低阈值电流密度
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