SiC MOSFET体二极管双极退化是由材料缺陷导致的退化现象,严重影响器件的可靠性,目前没有统一的试验方法,影响了器件的推广和应用。从加电模式、加电条件、试验时间和失效判据4个方面对体二极管双极退化可靠性试验方法进行了研究,并编...SiC MOSFET体二极管双极退化是由材料缺陷导致的退化现象,严重影响器件的可靠性,目前没有统一的试验方法,影响了器件的推广和应用。从加电模式、加电条件、试验时间和失效判据4个方面对体二极管双极退化可靠性试验方法进行了研究,并编制了体二极管双极退化可靠性试验方法草案。展开更多
在服务器电源和通信电源应用领域，谐振变换器是一种十分令人关注的拓扑。它具有提升功效，减少元器件数量和抑制电磁干扰等优点，但是体二极管的使用有时会导致系统故障。为适应谐振变换器，提出了一种被称为UniFETII的新型功率MOSFET...在服务器电源和通信电源应用领域，谐振变换器是一种十分令人关注的拓扑。它具有提升功效，减少元器件数量和抑制电磁干扰等优点，但是体二极管的使用有时会导致系统故障。为适应谐振变换器，提出了一种被称为UniFETII的新型功率MOSFET。它提升了体二极管的耐用性和COSS中的输出存储能量，使负面影响最小化。首先介绍了LLC谐振变换器和MOSFET的故障机理，在此基础上详细描述了UniFETTM II MOSFET技术和应用优势，并通过实验验证其正确性。结果证明MOSFET—UniFETTM在减少了门极电荷和输出电容存储能量的同时，提高了开关频率，降低了驱动损耗和输出电容损耗。展开更多
文摘在服务器电源和通信电源应用领域，谐振变换器是一种十分令人关注的拓扑。它具有提升功效，减少元器件数量和抑制电磁干扰等优点，但是体二极管的使用有时会导致系统故障。为适应谐振变换器，提出了一种被称为UniFETII的新型功率MOSFET。它提升了体二极管的耐用性和COSS中的输出存储能量，使负面影响最小化。首先介绍了LLC谐振变换器和MOSFET的故障机理，在此基础上详细描述了UniFETTM II MOSFET技术和应用优势，并通过实验验证其正确性。结果证明MOSFET—UniFETTM在减少了门极电荷和输出电容存储能量的同时，提高了开关频率，降低了驱动损耗和输出电容损耗。
