共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和研究热点 被引量：2

1

作者 郭维廉 牛萍娟 +4 位作者 李晓云 谷晓 张世林 梁惠来 毛陆虹 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期480-487,共8页

在概括了共振隧穿器件及其集成技术的特点和分析了其发展趋势的基础上,给出了该领域当前的研究热点。

关键词 共振隧穿器件 共振隧穿器件集成电路技术 发展趋势 研究热点

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基于共振隧穿二极管的集成电路研究

2

作者 马龙 黄应龙 +2 位作者 余洪敏 王良臣 杨富华 《电子器件》 EI CAS 2006年第3期627-634,共8页

RTD基集成电路所具有的超高速、低功耗和自锁存的特性,使其在数字电路、混合信号电路以及光电子系统中有着重要的应用。首先对RTD与化合物半导体HEMT,HBT以及硅CMOS器件的集成工艺进行了介绍。在MOBILE电路及其改进和延伸的基础上,对高... RTD基集成电路所具有的超高速、低功耗和自锁存的特性,使其在数字电路、混合信号电路以及光电子系统中有着重要的应用。首先对RTD与化合物半导体HEMT,HBT以及硅CMOS器件的集成工艺进行了介绍。在MOBILE电路及其改进和延伸的基础上,对高速ADC/DAC电路和低功耗的存储器电路进行了具体的分析。最后对RTD基电路面临的主要问题和挑战进行了讨论,提出基于硅基RTD与线性阈值门(LTG)逻辑相结合是未来纳米级超大规模集成电路的最佳发展方向。 展开更多

关键词 共振隧穿二极管 集成电路 高频 低功耗

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共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和最新进展 被引量：3

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作者 郭维廉 牛萍娟 苗长云 《微纳电子技术》 CAS 2005年第7期298-304,共7页

介绍了共振隧穿器件及其特点,论述了该类器件及其集成技术的发展趋势和最新进展,特别是SiO 2S/iS/iO 2共振隧穿二极管及其集成电路的研制成功是一个突破性的进展。

关键词 共振隧穿二极管 共振隧穿三极管 集成电路

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高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析 被引量：1

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作者 马龙 张杨 +3 位作者 戴扬 杨富华 曾一平 王良臣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期563-566,共4页

在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长制备了不同势垒厚度的RTD材料样品,室温下测量的最高峰-谷电流比为18.39.通过模拟得到RTD直流特性与势垒厚度、势阱材料及厚度、隔离层厚度以及掺杂浓度间的关系,对结果进行了分析与讨论.

关键词 共振隧穿二极管 峰-谷电流比 电流-电压特性 器件模拟

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基于共振隧穿二极管的阈值逻辑单元电路设计 被引量：1

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作者 韦一 唐莹 董艳燕 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期55-58,共4页

共振隧穿二极管作为较为成熟的纳米电子器件,已被广泛应用于高速低功耗电路。由于其具有负内阻特性,单一门电路的功能大大增加,减少了电路的复杂度。在阈值逻辑函数的硬件实现方面,共振隧穿器件也体现出显著的优势。结合谱技术,基于共... 共振隧穿二极管作为较为成熟的纳米电子器件,已被广泛应用于高速低功耗电路。由于其具有负内阻特性,单一门电路的功能大大增加,减少了电路的复杂度。在阈值逻辑函数的硬件实现方面,共振隧穿器件也体现出显著的优势。结合谱技术,基于共振隧穿二极管,设计了可实现任意三变量阈值逻辑函数的阈值逻辑单元电路。该电路还可作为阈值逻辑网络中的基本单元,实现复杂的逻辑功能。通过HSPICE软件,仿真验证了所设计电路的正确性。 展开更多

关键词 共振隧穿二极管 阈值逻辑 纳米电子器件

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共振隧穿器件概述——共振隧穿器件讲座(1) 被引量：6

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作者 郭维廉 《微纳电子技术》 CAS 2005年第9期398-404,424,共8页

通过对共振隧穿器件的特点、分类、工作原理、电流成分、器件参数等的介绍,为初学人员或非专业爱好人员提供一个对共振隧穿器件全面的、概括性的认识。

关键词 共振隧穿器件 工作原理 参数 设计

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RTD的器件结构及制造工艺——共振隧穿器件讲座(6) 被引量：1

7

作者 郭维廉 《微纳电子技术》 CAS 2006年第8期366-371,392,共7页

介绍RTD器件几种主要器件结构及每种器件结构的优、缺点和应用前景,并介绍了RTD通用制造工艺和工艺中的关键问题。

关键词 器件结构 制造工艺 台面和平面结构 混合集成 空气桥 共振隧穿器件

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利用共振隧穿器件制作太赫兹波源

8

作者 郭维廉 牛萍娟 +6 位作者 李晓云 谷晓 何庆国 冯志红 田爱华 张世林 毛陆虹 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第10期595-602,623,共9页

太赫兹波是振荡频率在100GHz～10THz范围的电磁波,利用共振隧穿器件高频高速的特点,适宜制作此波段的振荡源器件。指出与其他类型的太赫兹源器件相比,共振隧穿型太赫兹波源器件具有体积小、重量轻、便于与控制电路集成以及易于进行调制... 太赫兹波是振荡频率在100GHz～10THz范围的电磁波,利用共振隧穿器件高频高速的特点,适宜制作此波段的振荡源器件。指出与其他类型的太赫兹源器件相比,共振隧穿型太赫兹波源器件具有体积小、重量轻、便于与控制电路集成以及易于进行调制等特点;此外,还适宜用Si透镜进行功率合成,增大其总发射功率。给出几种重要太赫兹共振隧穿器件的结构、制造工艺和器件性能,作为太赫兹技术领域的研究人员选择太赫兹波源器件的参考。 展开更多

关键词 太赫兹波 太赫兹波源 共振隧穿器件 振荡源 毫米波

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肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究

9

作者 宋瑞良 毛陆虹 +4 位作者 郭维廉 谢生 齐海涛 张世林 梁惠来 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期632-636,共5页

基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻... 基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻合。利用PSPICE软件,该模型可准确快捷地实现电路功能验证和仿真,此项研究的结果为共振隧穿器件的电路集成和研制奠定了基础。 展开更多

关键词 共振隧穿三极管(RTT) 器件模型 肖特基接触

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肖特基栅共振隧穿三极管(SGRTT)的器件模拟

10

作者 宋瑞良 毛陆虹 +2 位作者 郭维廉 梁惠来 张世林 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期290-294,共5页

使用Atlas软件模拟了肖特基栅共振隧穿三极管。通过改变发射极长度、栅极金属和上层AlAs势垒的距离以及靠近AlAs势垒的GaAs层浓度,得到器件耗尽区边界以及所对应的I-V特性,由此分析和解释了器件结构参数对器件特性的影响,最后对器件在... 使用Atlas软件模拟了肖特基栅共振隧穿三极管。通过改变发射极长度、栅极金属和上层AlAs势垒的距离以及靠近AlAs势垒的GaAs层浓度,得到器件耗尽区边界以及所对应的I-V特性,由此分析和解释了器件结构参数对器件特性的影响,最后对器件在电路中的应用予以说明。 展开更多

关键词 肖特基栅共振隧穿三极管 器件模拟 单稳-双稳转换逻辑电路单元

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纳电子学与共振隧穿量子器件

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作者 宋登元 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 1994年第1期98-104,共7页

本文描述了一门正在兴起的新学科－－纳电子学的发展状况，并从电子对双势垒的共振隧穿特性入手，主要讨论了纳电子学器件－－共振隧穿二极管和三极管的工作原理及典型的器件特性。最后给出了这种器件的某些重要应用领域。

关键词 纳电子学 量子器件 共振隧穿

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共振隧穿二极管 被引量：8

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作者 郭维廉 梁惠来 +8 位作者 张世林 牛萍娟 毛陆虹 赵振波 郝景臣 魏碧华 张豫黔 宋婉华 杨中月 《微纳电子技术》 CAS 2002年第5期11-15,36,共6页

设计并研制出室温工作的共振隧穿二极管,室温电流峰谷比达到7.6:1,最高振荡频率为54GHz。本文对RTD的设计、研制过程、参数和特性测试进行了系统的分析和说明。

关键词 共振隧穿二极管 纳米器件 量子效应 负阻特性 RTD 振荡频率

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共振隧穿二极管的设计和研制 被引量：8

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作者 王振坤 梁惠来 +3 位作者 郭维廉 牛萍娟 赵振波 辛春艳 《微纳电子技术》 CAS 2002年第7期13-16,共4页

用分子束外延在半绝缘砷化镓上生长两垒一阱结构,制成RTD单管。经过材料生长设计、工艺设计和版图设计几方面的改进,测得最高振荡频率已达54GHz。

关键词 共振隧穿二极管 纳米电子器件 峰谷比 砷化镓 分子束外延

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量子共振隧穿二极管的频率特性与分析 被引量：2

14

作者 张世林 牛萍娟 +6 位作者 梁惠来 郭维廉 赵振波 郝景臣 王文君 周均铭 黄绮 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1192-1195,共4页

用 HP8 510 C网络分析仪测量了 Al As/In Ga As/Al As共振隧穿二极管的 S参数 ,通过实测曲线拟合提取器件等效电路参数 ,计算出所研制器件的阻性截止频率为 54GHz。

关键词 量子共振隧穿二极管 频率特性 RTD S参数 纳米负阻器件

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超导磁通量子比特中的共振隧穿现象 被引量：2

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作者 丛山桦 孙国柱 +4 位作者 王轶文 曹俊宇 陈健 于杨 吴培亨 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A04期489-492,共4页

在20mK的低温下,在由Nb/AlOx/Nb结构成的磁通量子比特样品上,通过初态的制备,成功观测到了双势阱中的共振隧穿现象。这一现象在不同的势垒高度下,都得到了证实。通过对共振峰随时间演化的测量,发现其演化受到隧穿概率与分布概率的影响。

关键词 超导磁通量子比特 共振隧穿 超导量子干涉器件

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共振隧穿晶体管的反相器统一模型 被引量：1

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作者 郭维廉 牛萍娟 +9 位作者 苗长云 于欣 王伟 梁惠来 张世林 李建恒 宋瑞良 胡留长 齐海涛 毛陆虹 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期84-91,共8页

综合分析了各种不同结构的共振隧穿晶体管(RTT),将其等效为一反相器电路,建立了一个统一的RTT模型.在此模型中,按照处理反相器的方法来分析RTT的I-V特性,对各种不同类型的I-V特性给出了统一的解释.该模型所导出的结果与相应的电路模拟... 综合分析了各种不同结构的共振隧穿晶体管(RTT),将其等效为一反相器电路,建立了一个统一的RTT模型.在此模型中,按照处理反相器的方法来分析RTT的I-V特性,对各种不同类型的I-V特性给出了统一的解释.该模型所导出的结果与相应的电路模拟和电路模拟实验结果相一致.此RTT反相器统一模型可成为分析和设计各种RTT器件的有力工具. 展开更多

关键词 共振隧穿晶体管 反相器统一模型 RTT器件结构 RTT I-V特性

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栅型共振隧穿晶体管的设计与研制 被引量：1

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作者 郭维廉 梁惠来 +12 位作者 宋瑞良 张世林 毛陆虹 胡留长 李建恒 齐海涛 冯震 田国平 商跃辉 刘永强 李亚丽 袁明文 李效白 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1974-1980,共7页

在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的描述.所研制出的GRTT最大PVCR为46,最大跨导为8mS,为进一步改... 在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的描述.所研制出的GRTT最大PVCR为46,最大跨导为8mS,为进一步改善器件性能和参数奠定了基础. 展开更多

关键词 共振隧穿晶体管 栅控型器件 GaAs基量子器件

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共振隧穿二极管型光探测器和光调制器 被引量：1

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作者 陈乃金 郭维廉 +2 位作者 牛萍娟 王伟 于欣 《微纳电子技术》 2008年第1期6-11,共6页

将共振隧穿二极管(RTD)的核心结构——双势垒系统与光探测器和调制器的原理相结合可构成共振隧穿光探测器和共振隧穿光调制器。这些器件既保持了RTD高频、高速的特点,同时又具备了光探测器和光调制器原有的功能,可用于光电集成电路。介... 将共振隧穿二极管(RTD)的核心结构——双势垒系统与光探测器和调制器的原理相结合可构成共振隧穿光探测器和共振隧穿光调制器。这些器件既保持了RTD高频、高速的特点,同时又具备了光探测器和光调制器原有的功能,可用于光电集成电路。介绍了这种具有代表性的RTD型光电器件的工作原理、器件结构、制造工艺、器件参数测试等,为此类器件在国内的设计和研制奠定基础。 展开更多

关键词 共振隧穿二极管 光电器件 光探测器 光调制器

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纳米膜共振隧穿效应微陀螺的设计与测试

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作者 刘俊 马宗敏 +3 位作者 石云波 杜康 张文栋 张斌珍 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期607-612,共6页

提出了一种新颖的基于纳米薄膜共振隧穿结构(RTS)的微陀螺。对共振隧穿结构的介观压阻效应进行了理论分析;设计了RTS的结构和工艺方法;制备出了能反映共振隧穿效应的RTS结构。该结构降低了器件的寄生电容,改善了敏感薄膜的负阻特性,适... 提出了一种新颖的基于纳米薄膜共振隧穿结构(RTS)的微陀螺。对共振隧穿结构的介观压阻效应进行了理论分析;设计了RTS的结构和工艺方法;制备出了能反映共振隧穿效应的RTS结构。该结构降低了器件的寄生电容,改善了敏感薄膜的负阻特性,适用于共振隧穿效应陀螺。对共振隧穿效应陀螺进行了结构设计和理论仿真;利用体工艺制造了微陀螺;对陀螺的关键性能参数进行了测试。 展开更多

关键词 仪器仪表技术 共振隧穿效应 陀螺仪 纳米薄膜 负阻特性 设计

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基于共振光隧穿效应的加速度传感器

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作者 白刚 菅傲群 邹璐 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期43-47,共5页

为了设计新型的加速度传感器,将共振光隧穿结构应用于传感元件,利用COMSOL软件对传感器的频率响应、灵敏度性能等关键要素进行了模拟仿真分析,搭建了实验平台,验证了共振光隧穿原理。结果表明,基于共振光隧穿效应结构的加速传感器在100H... 为了设计新型的加速度传感器,将共振光隧穿结构应用于传感元件,利用COMSOL软件对传感器的频率响应、灵敏度性能等关键要素进行了模拟仿真分析,搭建了实验平台,验证了共振光隧穿原理。结果表明,基于共振光隧穿效应结构的加速传感器在100Hz～3000Hz范围内、加速度为500m/s2的情况下,灵敏度可达到6.7dB/g。该传感器小巧轻便、结构简单,且具有较高的灵敏度,这为光学传感器的研究提供了新的方法和思路,具有广阔的应用前景。 展开更多

关键词 传感器技术 共振光隧穿效应 加速度传感器 灵敏度 谐响应

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