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一种高速高共模瞬态抗扰度电平位移电路
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作者 秦尧 叶自凯 +4 位作者 尤勇 庄春旺 明鑫 王卓 张波 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第5期734-739,共6页
设计了一种适用于GaN栅驱动的高速、高共模瞬态抗扰度的电平位移电路。电路受PWM信号和短脉冲协同控制,利用短脉冲控制的加速电路提升了电平转换速度。在浮动电源轨高速切换和减幅振荡过程中,电路内部对地寄生电容的充放电会导致输出逻... 设计了一种适用于GaN栅驱动的高速、高共模瞬态抗扰度的电平位移电路。电路受PWM信号和短脉冲协同控制,利用短脉冲控制的加速电路提升了电平转换速度。在浮动电源轨高速切换和减幅振荡过程中,电路内部对地寄生电容的充放电会导致输出逻辑错误。针对此问题,采用一种高速、低功耗的交叉控制式噪声屏蔽电路,实现了极高的共模瞬态抗扰度。采用0.35μm高压CMOS工艺进行电路设计。仿真结果表明,在100 V电平转换情况下,该电平位移电路的平均传输延时为1.58 ns,延时失配小于100 ps,共模瞬态抗扰度达到200 V/ns。 展开更多
关键词 GaN栅驱动 电平位移电路 高速 高共模瞬态抗扰度
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一种交叉耦合型高CMTI电平移位电路设计
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作者 赵媛 赵高峰 +3 位作者 郭敏 李瑞静 刘畅 陆佳成 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第3期388-394,共7页
设计了一种新型交叉耦合结构高共模瞬态抗扰度(Common Mode Transient Immunity,CMTI)的电平移位电路。采用窄脉冲信号产生电路降低了的整体功耗;在电流控制型比较器的作用下,很大程度上降低了电平移位电路的传输延时;同时设计了辅助动... 设计了一种新型交叉耦合结构高共模瞬态抗扰度(Common Mode Transient Immunity,CMTI)的电平移位电路。采用窄脉冲信号产生电路降低了的整体功耗;在电流控制型比较器的作用下,很大程度上降低了电平移位电路的传输延时;同时设计了辅助动态电流补偿结构提高电路的CMTI。基于高压0.18μm BCD工艺对电路进行设计与仿真实验,结果表明该电平移位电路的上升和下降延时均小于3.4 ns,CMTI为200 V/ns。 展开更多
关键词 共模瞬态抗扰度 电平移位电路 窄脉冲产生电路 电流比较器 双重互锁单元
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增强型GaN功率管的可靠性分析
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作者 赵媛 王立新 +1 位作者 赵高峰 郭敏 《集成电路应用》 2024年第4期22-25,共4页
阐述氮化镓器件的结构和特性,描述其开关导通过程并搭建等效模型,从内部驱动电路和外界共模瞬态(CMT)事件的影响两方面进行分析,得出影响氮化镓功率器件可靠性的因素,基于此可靠性分析提出对于不同功率管误开启事件采用的不同解决方案,... 阐述氮化镓器件的结构和特性,描述其开关导通过程并搭建等效模型,从内部驱动电路和外界共模瞬态(CMT)事件的影响两方面进行分析,得出影响氮化镓功率器件可靠性的因素,基于此可靠性分析提出对于不同功率管误开启事件采用的不同解决方案,并通过Cadence仿真软件进行ADE仿真,印证其可靠性结果。 展开更多
关键词 增强型氮化镓器件 半桥驱动电路 欠阻尼关断 共模瞬态抗扰度
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用于光隔离IGBT栅驱动芯片的高CMTI差分TIA电路 被引量：2
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作者 赵乙蔷 张有润 +4 位作者 康仕杰 章登福 甄少伟 张波 张佳宁 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第1期25-30,共6页
设计了一种基于0.18μm BCD工艺的全差分TIA电路和光隔离IGBT驱动系统。分析了共模瞬态干扰对光隔离驱动系统的影响,提出了一种可以提高共模瞬态抗扰度(CMTI)的全差分TIA结构。TIA的差分输入端分别接一个遮光的PD和一个透光的PD,TIA的... 设计了一种基于0.18μm BCD工艺的全差分TIA电路和光隔离IGBT驱动系统。分析了共模瞬态干扰对光隔离驱动系统的影响,提出了一种可以提高共模瞬态抗扰度(CMTI)的全差分TIA结构。TIA的差分输入端分别接一个遮光的PD和一个透光的PD,TIA的差分输出端做电平比较。只有一个TIA的输入能够接收光信号,产生差分增益,但是共模瞬态在隔离层的干扰却能耦合到TIA的两个输入端,因此共模瞬态的干扰作用将会被差分电路的共模抑制比(CMRR)减弱。且加入了窄脉冲滤波电路可滤掉共模瞬态干扰引起的短脉冲误差信号,进一步提高CMTI。所设计的TIA电路的仿真结果显示,CMRR达到105.4 dB,CMTI可以达到325 kV/μs。 展开更多
关键词 全差分TIA电路 共模瞬态抗扰度 光耦隔离 栅驱动
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