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单偏置电压多位分布式MEMS传输线移相器
1
作者 邓成 鲍景富 +3 位作者 杜亦佳 凌源 赵兴海 郑英彬 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第2期102-107,共6页
针对传统多位分布式MEMS传输线(DMTL)移相器需要多个偏置电压控制的问题,提出了一种单电压控制多位DMTL移相器的设计方案。这种移相器的每一位具有不同的弹性系数,因此它们的下拉电压各不相同。给出了这种移相器的相关理论、设计实例及... 针对传统多位分布式MEMS传输线(DMTL)移相器需要多个偏置电压控制的问题,提出了一种单电压控制多位DMTL移相器的设计方案。这种移相器的每一位具有不同的弹性系数,因此它们的下拉电压各不相同。给出了这种移相器的相关理论、设计实例及仿真结果。通过仿真结果可知,单偏置电压3位DMTL移相器低位到高位的下拉电压分别为19.73,40.49和74.89 V,低位发生下拉时高位相移偏移小于0.062%(10 GHz,2.925×10-4 rad)。单偏置电压4位DMTL移相器低位到高位的下拉电压分别为19.73,32.55,48.41和74.89 V,低位发生下拉时高位相移偏移小于0.094%(10 GHz,4.425×10-4 rad)。 展开更多
关键词 射频微机电系统(RFmems) 分布式mems传输线移相器 下拉电压 单偏置电压 相移偏移
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五位分布式MEMS传输线移相器的优化设计 被引量：3
2
作者 高杨 贾小慧 +1 位作者 秦燃 官承秋 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第10期655-659,共5页
通过在共面波导传输线上周期性地加载分布电容,外加驱动电压改变电容值,实现分布式MEMS传输线移相器。从三个方面优化了五位分布式MEMS传输线移相器的设计:一是分别设计了11.25°和22.5°两种微桥,单元在Ka波段的插入损耗均大于... 通过在共面波导传输线上周期性地加载分布电容,外加驱动电压改变电容值,实现分布式MEMS传输线移相器。从三个方面优化了五位分布式MEMS传输线移相器的设计:一是分别设计了11.25°和22.5°两种微桥,单元在Ka波段的插入损耗均大于-0.8 dB,回波损耗均小于-15 dB,相移精度小于0.4°,新的五位移相器以2种单元、19个微桥的结构替代了传统单一单元、31个微桥的结构,可减少微桥的总数;二是CPW传输线采用折叠布局,通过共用部分地线,移相器平面尺寸减小至1.81 mm×3.84 mm,相比传统五位分布式移相器,面积减小了56%,实现了器件的小型化;三是设计了一种新型的直流偏置结构,结构简单、工艺容易实现。 展开更多
关键词 射频微电子机械系统(RF mems) 移相器 传输线 微开关 微桥
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Ka波段五位分布式MEMS传输线移相器设计 被引量：4
3
作者 贾小慧 高杨 +1 位作者 柏鹭 王强 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期204-207,275,共5页
通过在共面波导上周期性地加载分布电容,外加驱动电压改变电容值,实现分布式MEMS移相器。首先给出了5位分布式MEMS移相器的总体结构图,分析了理论参数的设计方法。再采用HFSS建立单个微桥的三维电磁仿真模型,利用仿真得到的S参数拟合微... 通过在共面波导上周期性地加载分布电容,外加驱动电压改变电容值,实现分布式MEMS移相器。首先给出了5位分布式MEMS移相器的总体结构图,分析了理论参数的设计方法。再采用HFSS建立单个微桥的三维电磁仿真模型,利用仿真得到的S参数拟合微桥的up态和down态电容值并与理论设计电容值对比,确定MEMS桥精确的结构参数。最后采用ADS建立分布式MEMS移相器整体的微波等效电路,仿真得出移相器的性能指标参数。仿真结果表明移相器在35GHz时移相精度小于0.6°,移相器的插入损耗小于0.3dB,回波损耗大于25dB。 展开更多
关键词 射频微电子机械系统 分布式移相器 传输线
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一种新型的分布式MEMS移相器的小型化设计 被引量：5
4
作者 金博识 吴群 +3 位作者 贺训军 唐恺 杨国辉 Lee Jong-Chul 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05B期1885-1888,共4页
通过在共面波导信号线上贴敷低介电常数的薄层绝缘介质,使得MEMS金属桥与共面波导信号线在“关”态下形成MIM电容的方法,实现了提高“关”“开”两种状态下的电容比,从而提高了单位长度上的相移量.与传统的设计方法相比,在达到同样相移... 通过在共面波导信号线上贴敷低介电常数的薄层绝缘介质,使得MEMS金属桥与共面波导信号线在“关”态下形成MIM电容的方法,实现了提高“关”“开”两种状态下的电容比,从而提高了单位长度上的相移量.与传统的设计方法相比,在达到同样相移量指标的情况下仅需少量的MEMS金属桥就可以实现,工作的可靠性得到提高,未封装MEMS移相器器件的总体尺寸可以减小60%左右,此外由于在“关”态下,金属桥直接贴敷在介质表面上而不会随着外界环境震动,因此移相器的相移精度显著的提高. 展开更多
关键词 RF mems 分布式mems传输线 金属-绝缘体-金属电容 mems金属桥 移相器
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分布式MEMS移相器桥高度与相移量的机电集成模型及应用 被引量：1
5
作者 王从思 殷蕾 +3 位作者 李飞 应康 张轶群 王猛 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第6期1484-1491,共8页
移相器是控制相控阵天线空间波束捷变的"方向盘",其性能的优良决定着相控阵天线性能的高低。微机电系统(MEMS)移相器优势明显,但由于相控阵天线工作环境复杂,环境载荷会导致MEMS移相器结构变形,进而直接降低整个相控阵天线的... 移相器是控制相控阵天线空间波束捷变的"方向盘",其性能的优良决定着相控阵天线性能的高低。微机电系统(MEMS)移相器优势明显,但由于相控阵天线工作环境复杂,环境载荷会导致MEMS移相器结构变形,进而直接降低整个相控阵天线的性能。为此,该文研究MEMS移相器关键结构参数和电性能之间的耦合关系,将复杂环境要素对物理结构的影响传递到结构参数和电参数上,推导出分布式MEMS移相器的机电集成模型,并利用集成模型对变形MEMS移相器进行电性能快速评估和结构公差计算。仿真结果说明了集成模型的有效性和工程应用价值。 展开更多
关键词 相控阵天线 分布式mems移相器 结构变形 机电耦合
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一种90°分布式MEMS移相器的设计
6
作者 王倡献 熊祥正 肖华清 《微计算机信息》 2009年第26期141-142,共2页
RFMEMS移相器具有传统移相器所无法比拟的体积小、损耗小、成本低、频带宽、易于集成等突出优点。通过在共面波导信号线上贴敷低介电常数的薄层绝缘介质,使得MEMS金属桥与共面波导信号线在"关"态下形成MIM电容的方法,实现了提... RFMEMS移相器具有传统移相器所无法比拟的体积小、损耗小、成本低、频带宽、易于集成等突出优点。通过在共面波导信号线上贴敷低介电常数的薄层绝缘介质,使得MEMS金属桥与共面波导信号线在"关"态下形成MIM电容的方法,实现了提高"关""开"两种状态下的电容比,从而提高了单位长度上的相移量。在Ka波段下,建立90°分布式MEMS移相器的等效电路,并对其进行了仿真优化,达到要求的技术指标。 展开更多
关键词 RF mems 分布式mems传输线 mems金属桥
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BST-MEMS移相器开关 被引量：1
7
作者 邵雯雯 惠春 徐爱兰 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第10期20-22,26,共4页
为了提高MEMS电容开关性能,介绍了移相器的一种新型结构——分布式电容周期性加载结构。分析发现移相器的相移度和单元可变电容的变化率有关。目前MEMS可变电容单元采用的介质基本上是氮化硅。BST薄膜作为一种性质优良的介电材料,其介... 为了提高MEMS电容开关性能,介绍了移相器的一种新型结构——分布式电容周期性加载结构。分析发现移相器的相移度和单元可变电容的变化率有关。目前MEMS可变电容单元采用的介质基本上是氮化硅。BST薄膜作为一种性质优良的介电材料,其介电常数远大于氮化硅。从MEMS移相器开关性能的几个关键指标出发,探讨在MEMS移相器开关中,用BST薄膜代替氮化硅介质的可能性。 展开更多
关键词 电子技术 BST mems 移相器开关 氮化硅 分布式加载
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一种新型MEMS移相器设计
8
作者 唐恺 吴群 +3 位作者 杨国辉 孙凤林 傅佳辉 马伟 《遥测遥控》 2007年第5期6-9,52,共5页
建立Ka波段分布式MEMS移相器的等效电路,设计基于此模型的分布式MEMS移相器,并对其反射损耗与插入损耗进行优化。仿真结果表明,该模型在4GHz工作带宽内反射损耗小于-15dB,在10GHz带宽内插入损耗大于-2dB,单桥相移达到35°。
关键词 分布式mems传输线 移相器 等效电路 mems金属桥
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