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题名VNPN激光辐射效应模拟分析
被引量：1
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作者
左慧玲
高吴昊
刘承芳
夏云
孙鹏
陈万军
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心
中国工程物理研究院电子工程研究所
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出处
《电子与封装》
2019年第6期41-46,共6页
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文摘
通过仿真模拟脉冲激光对半导体器件光生载流子的影响,重点研究纵向NPN三极管(VNPN)的激光辐照效应。光照强度较小时,只有集电结反偏,而发射结处的光生电动势不足以抵消发射结的内建电势,发射结尚未开启,器件工作在以集电结为主的二极管模式;光照强度增加时,发射结逐渐开启,器件工作在三极管模式;光照强度进一步增大,由于外部限流电阻的作用,集电极电流达到饱和,器件工作在以发射结为主的二极管模式。因此,随着光照强度的增加,VNPN器件的激光辐射效应经历三个阶段,其响应曲线呈非线性变化。改变VNPN的尺寸和脉冲激光的参数,会影响器件进入三极管模式的临界点,改变非线性响应的触发光照强度,体现了器件对激光辐照效应的敏感性。
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关键词
激光辐照效应
半导体器件
初始光生电流
非线性
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Keywords
laser irradiation effect
semiconductor devices
initial photocurrent
nonlinear
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分类号
TN306
[电子电信—物理电子学]
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