期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
金属氧化物薄膜晶体管电特性参数的提取
1
作者 陈文彬 何永阳 陈赞 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2018年第11期42-44,48,共4页
采用磁控溅射法制备了底栅反交叠刻蚀阻挡型(ES)金属氧化物薄膜晶体管(α-IGZO TFT),测试了TFT电流-电压特性曲线。根据TFT的一级近似模型,结合实验数据提出了TFT电特性参数提取方法。在TFT的线性区和饱和区采用线性拟合提取了TFT的场... 采用磁控溅射法制备了底栅反交叠刻蚀阻挡型(ES)金属氧化物薄膜晶体管(α-IGZO TFT),测试了TFT电流-电压特性曲线。根据TFT的一级近似模型,结合实验数据提出了TFT电特性参数提取方法。在TFT的线性区和饱和区采用线性拟合提取了TFT的场效应迁移率和阈值电压,定义了TFT的开态电流和关态电流,在TFT的亚阈值区分别采用线性拟合和一阶导数的方法提取了TFT的亚阈值摆幅。通过筛选测试条件和数据拟合范围,得到α-IGZO TFT线性区和饱和区场效应迁移率和阈值电压分别为6. 27 cm^2/V·s和7. 7 V;7. 24 cm^2/V·s和4. 3 V,α-IGZO TFT的开关比和亚阈值摆幅分别为109和272 m V/dec。 展开更多
关键词 金属氧化物薄膜晶体管 电特性参数 刻蚀阻挡型
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部