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155 Mbit/s和622 Mbit/s速率0.6μm CMOS工艺光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片 被引量：4
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作者 梁帮立 王志功 +2 位作者 田俊 章丽 熊明珍 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第10期1-4,共4页
采用国内的CSMC HJ 0 .6 μmCMOS工艺实现了 15 5Mb/s和 6 2 2Mb/s速率的光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片。芯片测试结果表明 ,激光二极管驱动电路(LDD) ,前置放大器 (Pre Amp)和限幅放大器 (LA)集成电路达到了世界同类集成电路... 采用国内的CSMC HJ 0 .6 μmCMOS工艺实现了 15 5Mb/s和 6 2 2Mb/s速率的光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片。芯片测试结果表明 ,激光二极管驱动电路(LDD) ,前置放大器 (Pre Amp)和限幅放大器 (LA)集成电路达到了世界同类集成电路的水平。 展开更多
关键词 光纤通信 激光二极管驱动电路 前置放大器集成电路 限幅放大器集成电路 CMOS工艺 芯片
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