电子温度各向异性对螺旋波m=1角向模功率沉积特性的影响

1

作者 李文秋 唐彦娜 +1 位作者 刘雅琳 王刚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期262-270,共9页

采用一般的径向密度非均匀分布假设,借助温等离子体介电张量模型,利用磁化等离子体中电磁波的一般色散关系,在高密度峰值、低磁场、低气压典型参量条件下,重点分析了电子温度各向异性对螺旋波m=1角向模功率沉积特性的影响.研究结果表明... 采用一般的径向密度非均匀分布假设,借助温等离子体介电张量模型,利用磁化等离子体中电磁波的一般色散关系,在高密度峰值、低磁场、低气压典型参量条件下,重点分析了电子温度各向异性对螺旋波m=1角向模功率沉积特性的影响.研究结果表明:在典型螺旋波等离子体电子温度范围(3,8)e V内,电子有限拉莫尔半径效应应当予以考虑,而离子有限拉莫尔半径效应可以忽略.低磁场条件下|n|>1次回旋谐波对介电张量元素的贡献可以忽略.碰撞阻尼在功率沉积中占据主导地位,功率沉积在偏离等离子体柱中心轴的某一径向位置出现峰值,随着轴向电子温度T_(e,z)的增大,功率沉积强度逐渐增强.相比等离子体温度各向同性情形,等离子体温度各向异性显著改变了螺旋波m=1角向模的功率沉积特性,电子温度各向异性因子χ=T_(e,⊥)/T_(e,z)的增大或减小均导致功率沉积强度发生剧烈改变. 展开更多

关键词 螺旋波等离子体 各向异性 传播特性 功率沉积

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HL-2A装置ECRH波迹和功率沉积计算 被引量：8

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作者 宋绍栋 刘永 +2 位作者 张锦华 何宏达 饶军 《核聚变与等离子体物理》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期123-126,共4页

采用TORAY代码对HL-2A装置ECRH系统在单零点偏滤器位形下的波与等离子体相互作用的情况进行了模拟计算,研究了等离子体和波参数对ECRH波迹和功率沉积以及电流驱动的影响。根据数值计算结果,HL-2A装置ECRH系统在等离子体线平均密度为3.0&... 采用TORAY代码对HL-2A装置ECRH系统在单零点偏滤器位形下的波与等离子体相互作用的情况进行了模拟计算,研究了等离子体和波参数对ECRH波迹和功率沉积以及电流驱动的影响。根据数值计算结果,HL-2A装置ECRH系统在等离子体线平均密度为3.0×1013cm-3、中心电子温度为1.19keV的情况下,以O模作为入射波垂直入射时的单次吸收系数为99.3%,最大电流驱动效率为0.005×1020A.W-1.m-2。 展开更多

关键词 TORAY 波迹 功率沉积

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电子回旋波在非圆截面托卡马克等离子体中的传播与功率沉积 被引量：2

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作者 李景春 龚学余 +1 位作者 路兴强 黄千红 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第S1期679-684,共6页

通过求解等离子体平衡方程、波迹方程和准线性Fokker-Planck方程,数值模拟了电子回旋(EC)波在非圆截面托卡马克等离子体中的传播轨迹和功率沉积。模拟结果表明:当EC波从顶部发射时,相比于圆截面的EC波波迹,非圆截面的波迹会向等离子体... 通过求解等离子体平衡方程、波迹方程和准线性Fokker-Planck方程,数值模拟了电子回旋(EC)波在非圆截面托卡马克等离子体中的传播轨迹和功率沉积。模拟结果表明:当EC波从顶部发射时,相比于圆截面的EC波波迹,非圆截面的波迹会向等离子体弱场侧偏移,增大等离子体中心电子密度,波迹也会偏向弱场侧,相应的波功率沉积有所降低;当EC波O模从中平面弱场侧发射时,随着平行折射率的增大,波迹弯曲幅度变大,增大到一定数值时会折回弱场侧穿出,波功率沉积随极向发射角的增大而降低,环向发射角约取10°时,波功率沉积达到最大。 展开更多

关键词 电子回旋波 非圆截面 波迹 功率沉积

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HL-2A装置电子回旋共振加热波迹和功率沉积剖面的分析计算 被引量：3

4

作者 石秉仁 石迎天 《核聚变与等离子体物理》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期1-6,共6页

在HL-2A单零偏滤器条件下,对由弱场侧沿赤道平面垂直注入的电子回旋寻常波(O-模)的波迹和波的功率沉积剖面进行了分析计算。对近磁轴共振情形,需要确定一个有效的物理尺度以正确获得波功率沉积。单一波束的有效吸收层的厚度可以合理地... 在HL-2A单零偏滤器条件下,对由弱场侧沿赤道平面垂直注入的电子回旋寻常波(O-模)的波迹和波的功率沉积剖面进行了分析计算。对近磁轴共振情形,需要确定一个有效的物理尺度以正确获得波功率沉积。单一波束的有效吸收层的厚度可以合理地作为这一物理尺度,从而获得统一的功率沉积公式。对比研究了磁轴偏离赤道面和位于赤道面情况下的波功率沉积剖面。 展开更多

关键词 O-模加热 有效吸收层厚度 功率沉积剖面

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D型截面托卡马克的快波功率沉积 被引量：1

5

作者 朱学光 《计算物理》 CSCD 北大核心 2002年第4期317-320,共4页

对D型截面托卡马克用平板模型求出等离子体中的场量及微分场量的分布 ,由此对入射波进行波束划分 ,并给出每一波束的初始条件 .用射线轨迹方法计算并叠加每一波束功率沉积 ,得到快波功率沉积的计算结果 .

关键词 托卡马克 D型截面 微分场量 功率沉积 等离子体 入射波 波束划分

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电子回旋波在热等离子体中的功率沉积

6

作者 彭晓炜 龚学余 +2 位作者 刘文艳 刘燕 尹陈艳 《核聚变与等离子体物理》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期296-300,共5页

用有限拉莫尔半径(FLR)修正的相对论色散关系进行了数值模拟,研究了电子回旋波在高温、高密等离子体的功率沉积,并将计算结果与应用弱相对论Fokker-Planck方程得到的结果进行了比较。结果表明,在高温、高密等离子体中,波功率的吸收非常... 用有限拉莫尔半径(FLR)修正的相对论色散关系进行了数值模拟,研究了电子回旋波在高温、高密等离子体的功率沉积,并将计算结果与应用弱相对论Fokker-Planck方程得到的结果进行了比较。结果表明,在高温、高密等离子体中,波功率的吸收非常集中;平行折射率、极向发射位置和发射波频率的变化都会影响波功率沉积的大小和分布;平行折射率变大后,FLR效应会使波的阻尼减少。 展开更多

关键词 电子回旋波 热等离子体 色散关系 功率沉积

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EAST天线相位差对低杂波功率沉积和驱动电流的影响

7

作者 杨杰 李爱侠 +2 位作者 马阳成 杨群 侍行剑 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期25-29,共5页

利用MEC和LSC耦合的程序研究了EAST天线不同的相位差△φ对功率谱的影响及对功率沉积位置和电流分布的影响。通过计算发现,随着△φ的增大,功率谱的结构发生了改变,当△φ>200°后功率沉积和电流密度分布由原先的向外层移动变为... 利用MEC和LSC耦合的程序研究了EAST天线不同的相位差△φ对功率谱的影响及对功率沉积位置和电流分布的影响。通过计算发现,随着△φ的增大,功率谱的结构发生了改变,当△φ>200°后功率沉积和电流密度分布由原先的向外层移动变为向内层移动;△φ=200°时形成一个离轴最远的驱动电流,△φ=120°、△φ=260°时分别得到电流强度最小和最大的驱动电流。因此可以通过选取合适的天线相位差△φ,实现对低杂波功率沉积和驱动电流剖面的控制。 展开更多

关键词 低杂波 相位差 功率沉积 电流驱动

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EAST低混杂波功率沉积和电流驱动剖面控制的数值模拟 被引量：2

8

作者 段文学 吴斌 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2011年第3期438-444,共7页

对原有的低混杂波电流驱动模拟程序进行改进,使之能够研究EAST上如何控制低混杂波功率沉积和电流驱动分布.在EAST非圆截面的平衡位形下,应用改进后的程序详细计算不同低混杂波功率谱、等离子体密度和温度分布对低混杂波功率沉积位置和... 对原有的低混杂波电流驱动模拟程序进行改进,使之能够研究EAST上如何控制低混杂波功率沉积和电流驱动分布.在EAST非圆截面的平衡位形下,应用改进后的程序详细计算不同低混杂波功率谱、等离子体密度和温度分布对低混杂波功率沉积位置和电流驱动剖面分布的影响.通过计算发现,选取合适的低混杂波功率谱,等离子体温度分布和密度分布可以对功率沉积位置和电流驱动分布的剖面进行控制;调节等离子体温度分布可以很好的控制低混杂波近轴电流驱动分布和离轴电流驱动分布. 展开更多

关键词 低混杂波 功率沉积 电流驱动

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EAST兆瓦级NBI漂移管道内束功率沉积的研究

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作者 李雪军 陈长琦 +3 位作者 伍兴权 梁立振 谢远来 胡纯栋 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1096-1099,共4页

超导托卡马克兆瓦级中性束注入器漂移管道是NBI的关键部件之一,它对减少中性束的能量损失,提高中性束的加热效率有着重要的意义。根据EAST兆瓦级NBI的强流、高功率、长脉冲运行的要求,运用Matlab软件对漂移管道内的束功率沉积进行编程... 超导托卡马克兆瓦级中性束注入器漂移管道是NBI的关键部件之一,它对减少中性束的能量损失,提高中性束的加热效率有着重要的意义。根据EAST兆瓦级NBI的强流、高功率、长脉冲运行的要求,运用Matlab软件对漂移管道内的束功率沉积进行编程模拟计算分析,得到了漂移管道内束功率沉积在不同束散角下的分布规律。研究结果表明中性束的能量以及中性束的束流发散角是影响漂移管道内束功率沉积的主要因素。为漂移管道系统、内部组件以及冷却系统的设计提供了理论依据。 展开更多

关键词 漂移管道 能量损失 束功率沉积

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螺旋波等离子体原型实验装置中天线的优化设计与功率沉积 被引量：7

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作者 平兰兰 张新军 +9 位作者 杨桦 徐国盛 苌磊 吴东升 吕虹 郑长勇 彭金花 金海红 何超 甘桂华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第20期223-233,共11页

近年来,螺旋波等离子体源在核聚变条件下等离子体与材料的相互作用方面具有十分重要的研究意义.本文对高密度螺旋波等离子体原型实验装置(helicon physics prototype experiment, HPPX)中的螺旋波系统发射天线进行了优化设计,利用HELIC... 近年来,螺旋波等离子体源在核聚变条件下等离子体与材料的相互作用方面具有十分重要的研究意义.本文对高密度螺旋波等离子体原型实验装置(helicon physics prototype experiment, HPPX)中的螺旋波系统发射天线进行了优化设计,利用HELIC程序,对螺旋波的耦合和功率沉积与天线的类型、天线长度、运行频率等关键参数的相互关系作了数值模拟计算,进而给出了天线的最佳天线结构和物理尺寸.同时还分析了静磁场强度和轴心等离子体密度对功率沉积及其分布的影响,发现等离子体对螺旋波的吸收功率在多个静磁场和轴心密度处有不同的峰值功率点,且整体的耦合趋势随静磁场增大呈上升的趋势,而随轴心密度增大是下降的趋势;并根据这些仿真结果深入探讨了螺旋波等离子体的电离机制.为了进一步研究HPPX装置中螺旋波与等离子体耦合的问题,还给出了等离子体放电时的感生电磁场与电流密度的分布情况.本文工作可为HPPX装置上螺旋波天线设计和相关物理实验提供理论依据. 展开更多

关键词 螺旋波等离子体 天线 静磁场强度 轴心等离子体密度 功率沉积

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电子温度各向异性对螺旋波等离子体中电磁模式的传播及功率沉积特性的影响 被引量：1

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作者 李文秋 唐彦娜 +1 位作者 刘雅琳 王刚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期257-266,共10页

采用考虑粒子温度各向异性热等离子体介电张量模型,借助磁化、均匀密度分布等离子体中电磁波的一般色散关系,在低磁场、低气压螺旋波等离子体典型参量条件下,理论分析了电子温度各向异性对电磁模式传播特性和角向对称模功率沉积的影响.... 采用考虑粒子温度各向异性热等离子体介电张量模型,借助磁化、均匀密度分布等离子体中电磁波的一般色散关系,在低磁场、低气压螺旋波等离子体典型参量条件下,理论分析了电子温度各向异性对电磁模式传播特性和角向对称模功率沉积的影响.研究结果表明:对于给定的纵向静磁场B_(0)(或波频率ω),存在一个临界波频率ω_(cr)(或纵向静磁场B_(0,cr)),当ω>ω_(cr)(或B_(0)<B_(0,cr))时,电子回旋谐波遭受的阻尼开始显著增大;相比粒子温度各向同性情形,粒子温度各向异性彻底改变了波的传播特性,即相位常数和衰减常数均出现峰值现象;在考虑电子有限拉莫尔半径效应和电子温度各向异性情形下,Trivelpiece-Gould(TG)波碰撞阻尼在整个电磁波功率沉积中占据主导地位,电子纵向温度T_(e//)存在某一临界值,在此临界值处TG波功率沉积出现峰值P_(abs,TG),且随着T_(e⊥)/T_(e//)的减小,此功率沉积峰值P_(abs,TG)逐渐增强. 展开更多

关键词 螺旋波等离子体 各向异性 传播特性 功率沉积

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双鞍型天线与螺旋波等离子体的耦合距离对功率沉积的影响

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作者 李帅 乔冠瑾 +3 位作者 杜丹 杨开建 潘光祖 周华 《南华大学学报（自然科学版）》 2021年第5期68-73,91,共7页

采用自主编写的程序HWAP(helicon wave at plasma)模拟了双鞍型天线与均匀柱状螺旋波等离子体相互作用时耦合距离对功率沉积的影响。模拟结果表明:1)在一定实验条件下,双鞍型天线发射的波在等离子体中同时激发螺旋波和Trivelpiece-Gould... 采用自主编写的程序HWAP(helicon wave at plasma)模拟了双鞍型天线与均匀柱状螺旋波等离子体相互作用时耦合距离对功率沉积的影响。模拟结果表明:1)在一定实验条件下,双鞍型天线发射的波在等离子体中同时激发螺旋波和Trivelpiece-Gould(TG)波,控制天线耦合距离可改变TG波在等离子体边界附近的能量沉积分布;2)当天线耦合距离在一定范围内变化时(15.0~30.0 cm),耦合距离的大小能影响螺旋波和TG波在能量沉积过程中起的主导作用;3)当天线放置在等离子体中时,波在等离子体中沉积的总功率随耦合距离的增加而减少,当天线放置在等离子体边界和装置外壁之间时,总功率沉积先增加后减少,存在一个最佳耦合距离使功率沉积最大。 展开更多

关键词 螺旋波等离子体 双鞍型天线 Trivelpiece-Gould波 功率沉积

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8 MHz射频容性等离子体的功率沉积和电子密度模拟

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作者 李丙宏 《通信电源技术》 2020年第18期183-184,187,共3页

容性等离子体(Capacitively Coupled Plasma,CPP)即E型放电等离子体,被广泛应用于半导体器件制造工艺。在容性等离子射频源中,当电磁波的波长与腔体尺寸接近时,等离子体密度会在电磁波的作用下变得很不均匀。因此,模拟8 MHz的电磁波在... 容性等离子体(Capacitively Coupled Plasma,CPP)即E型放电等离子体,被广泛应用于半导体器件制造工艺。在容性等离子射频源中,当电磁波的波长与腔体尺寸接近时,等离子体密度会在电磁波的作用下变得很不均匀。因此,模拟8 MHz的电磁波在激励源电压为220 V时的功率沉积和电子密度,最终得到了比较理想的结果。由于以往技术的局限,人们习惯于使用频率为13.56 MHz的电磁频率,而通过模拟降低了激励电压,得出了优化容性等离子体的功率沉积和电子密度,且计算结果与实验室结论非常接近。 展开更多

关键词 容性等离子体 射频源 功率沉积 电子密度

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三维非均匀磁场分布下低场峰产生时的波传播和能量沉积特性分析

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作者 杜丹 胡少雄 +5 位作者 尹陈艳 黄子文 喻翠 杨文军 周华 龚学余 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第12期2462-2477,共16页

考虑粒子碰撞、化学反应和热效应,本文建立了右旋螺旋天线与柱状等离子体相互作用的三维模型,采用有限元法研究了3种三维非均匀磁场分布下右旋螺旋天线放电时的低场峰现象,并分析了密度峰产生时的波传播和功率沉积特性。主要模拟结果表... 考虑粒子碰撞、化学反应和热效应,本文建立了右旋螺旋天线与柱状等离子体相互作用的三维模型,采用有限元法研究了3种三维非均匀磁场分布下右旋螺旋天线放电时的低场峰现象,并分析了密度峰产生时的波传播和功率沉积特性。主要模拟结果表明:在一定磁场大小范围内,随着最大磁场强度增加均存在密度峰现象,低于某阈值(B_(max)<120 G),低场峰产生时多普勒回旋阻尼和异常多普勒回旋阻尼致使的功率沉积占主导地位,且功率沉积峰值分布在螺旋波驻波附近;高于阈值时(B_(max)≥120 G),低场峰产生时碰撞阻尼致使的功率沉积占主导地位。螺旋波左、右旋极化电场同时在等离子体中传播,控制磁场分布,可控制低场峰产生时螺旋波极化电场的幅值、传播性质(行波、驻波、半驻波半行波)、功率沉积、密度和电子温度分布,螺旋波产生的驻波和功率沉积主要分布在磁场强度大的区域。相关研究结果对揭示螺旋波等离子体低场峰机制有一定指导意义。 展开更多

关键词 螺旋波等离子体 低场峰 驻波 功率沉积

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溅射沉积功率对PZT薄膜的组分、结构和性能的影响 被引量：3

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作者 李新曦 赖珍荃 +3 位作者 王根水 孙璟兰 赵强 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期313-316,共4页

用射频 (RF)溅射法在镀LaNiO3 (LNO)底电极的Si片上沉积PbZr0 .52 Ti0 .48O3 (PZT)铁电薄膜 ,沉积过程中基底温度为 370℃ ,然后在大气环境中对沉积的PZT薄膜样品进行快速热退火处理 (6 5 0℃ ,5min) .用电感耦合等离子体发射光谱 (ICP ... 用射频 (RF)溅射法在镀LaNiO3 (LNO)底电极的Si片上沉积PbZr0 .52 Ti0 .48O3 (PZT)铁电薄膜 ,沉积过程中基底温度为 370℃ ,然后在大气环境中对沉积的PZT薄膜样品进行快速热退火处理 (6 5 0℃ ,5min) .用电感耦合等离子体发射光谱 (ICP AES)测量其组分 ,X射线衍射 (XRD)分析PZT薄膜的结晶结构和取向 ,扫描电子显微镜 (SEM)分析薄膜的表面形貌和微结果 ,RT6 6A标准铁电综合测试系统分析Pt/PZT/LNO电容器的铁电与介电特性 .结果表明 ,PZT薄膜的组分。 展开更多

关键词 射频溅射 沉积功率 钙钛矿结构 铁电薄膜 PZT 扫描电子显微镜分析

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沉积功率对金刚石薄膜质量和结合性能的影响 被引量：2

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作者 匡同春 刘正义 +2 位作者 周克崧 代明江 王德政 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期13-16,共4页

借助SEM、XRD和Raman光谱等分析方法对不同沉积功率条件下合成的金刚石膜形貌、结构和质量进行了表征，并采用压痕试验法评定了金刚石膜与基体的结合性能。结果表明，沉积功率对金刚石膜的结晶质量、纯度、残余应力、点阵畸变、嵌镶块... 借助SEM、XRD和Raman光谱等分析方法对不同沉积功率条件下合成的金刚石膜形貌、结构和质量进行了表征，并采用压痕试验法评定了金刚石膜与基体的结合性能。结果表明，沉积功率对金刚石膜的结晶质量、纯度、残余应力、点阵畸变、嵌镶块尺寸有影响。高的沉积功率使基体表面显微粗糙化，并发生脱碳现象，显著改善了金刚石膜与基体的结合性能。 展开更多

关键词 金刚石膜 沉积功率 结晶质量 薄膜 结合性能

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Al_2O_3沉积功率对共溅射Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管性能的影响 被引量：1

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作者 武明珠 郭永林 +2 位作者 苟昌华 关晓亮 王红波 《电子设计工程》 2015年第23期183-185,189,共4页

我们采用与现有工业生产相兼容的磁控溅射工艺,利用三靶磁控共溅射的方式制得了非晶AZTO(Al-Zn-SnO)薄膜,薄膜在波长550 nm处的透过率均在85%以上。然后,制备了以AZTO薄膜为有源层的薄膜晶体管。通过调节Al2O3沉积功率,进一步探究了Al2O... 我们采用与现有工业生产相兼容的磁控溅射工艺,利用三靶磁控共溅射的方式制得了非晶AZTO(Al-Zn-SnO)薄膜,薄膜在波长550 nm处的透过率均在85%以上。然后,制备了以AZTO薄膜为有源层的薄膜晶体管。通过调节Al2O3沉积功率,进一步探究了Al2O3含量对AZTO薄膜晶体管性能的影响。研究发现,随着Al2O3沉积功率的增加,器件的迁移率逐渐下降,阈值电压升高,但是器件的关态电流显著降低,开关比提高。当Al2O3沉积功率为20 W时,获得了最好的转移特性曲线,其迁移率为2.43 cm2/V·s,开关比为1.9*105,阈值电压为26.6 V。 展开更多

关键词 薄膜晶体管 AZTO 共溅射 沉积功率

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高功率准分子激光沉积类金刚石膜的热稳定性 被引量：1

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作者 金哲 李俊杰 +5 位作者 盖同祥 林景波 李哲奎 张寿 彭鸿雁 金曾孙 《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期497-500,共4页

在不同温度下 ( 2 0 0～ 80 0℃ )将高功率准分子激光溅射方法沉积的类金刚石膜进行退火实验 .利用 Raman和 XPS光谱分析类金刚石膜在退火过程中的化学键合结构变化 .结果表明 ,类金刚石膜是由少量的 sp2 C键和大量的 sp3C键组成的非晶... 在不同温度下 ( 2 0 0～ 80 0℃ )将高功率准分子激光溅射方法沉积的类金刚石膜进行退火实验 .利用 Raman和 XPS光谱分析类金刚石膜在退火过程中的化学键合结构变化 .结果表明 ,类金刚石膜是由少量的 sp2 C键和大量的 sp3C键组成的非晶态碳膜 .在退火温度小于60 0℃范围内 ,类金刚石膜的热稳定性较好 ;退火温度高于 60 0℃时 ,类金刚石膜中的 sp3C键逐渐向 sp2 C键转变 ,当退火温度升到 80 0℃时 ,类金刚石膜中 sp3C键含量由退火前的大约 70 %下降到 40 % .可见 ,高温退火能导致类金刚石膜的石墨化趋势 . 展开更多

关键词 类金刚石膜 热稳定性 高功率准分子激光沉积法 退火温度 sp^2C键 sp^3C键 石墨化

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在JET中性束通道和面对等离子体的部件上再电离功率的沉积

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作者 Esch,HPL 王惠三 《国外核聚变与等离子体应用》 1991年第3期37-43,共7页

关键词 JET 再电离 功率沉积 托卡马克装置

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沉积功率和退火工艺对PE-ALD氧化铝薄膜的影响 被引量：3

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作者 刘媛媛 杜纯 +4 位作者 曹坤 陈蓉 徐湘伦 黄静 单斌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期610-615,共6页

Al2O3薄膜常用于有机电子器件的稳定化封装。除了薄膜的水气渗透率特性,薄膜的表面粗糙度、润湿性和折射率等性能也会影响薄膜的最终封装效果。采用自制等离子增强原子层沉积（PE-ALD）系统在低温下成功制备了Al2O3薄膜,研究了沉积功率... Al2O3薄膜常用于有机电子器件的稳定化封装。除了薄膜的水气渗透率特性,薄膜的表面粗糙度、润湿性和折射率等性能也会影响薄膜的最终封装效果。采用自制等离子增强原子层沉积（PE-ALD）系统在低温下成功制备了Al2O3薄膜,研究了沉积功率和退火参数对Al2O3薄膜微观形貌和性能的影响。结果表明,Al2O3薄膜的生长速率和折射率随沉积功率的增加分别呈现先增加后下降和不断增加的趋势,当沉积功率为1 800 W时,薄膜的线性生长速率达到0.27 nm/cycle,远高于传统热原子层沉积技术的沉积速率。退火处理不会改变Al2O3薄膜晶态,但改善了薄膜的表面粗糙度,降低了接触角和有机基团红外强度。得到了最佳的PE-ALD薄膜制备工艺条件,实现了对有机发光二极管器件的有效封装。 展开更多

关键词 等离子增强原子层沉积(PE-ALD) AL2O3薄膜 沉积功率 退火工艺 有机发光二极管(OLED)

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