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总剂量辐照加固的功率VDMOS器件 被引量：12
1
作者 李泽宏 张磊 谭开洲 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期621-623,共3页
采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据... 采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据能较好吻合。对研制的功率VDMOS器件在X射线模拟源辐照总剂量972×103rad(Si)下,阈值电压仅漂移?1V。结果证明,工艺改善了功率VDMOS器件的抗总剂量辐照能力。 展开更多
关键词 功率vdmos器件 薄栅氧化层 阈值电压漂移 总剂量辐照
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星用功率VDMOS器件SEGR效应研究 被引量：3
2
作者 王立新 高博 +4 位作者 刘刚 韩郑生 张彦飞 宋李梅 吴海舟 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期434-437,共4页
对源漏击穿电压为400 V和500 V的N沟功率VDMOS器件进行碘离子单粒子辐照实验,讨论了不同偏置下两种功率器件的SEGR效应。研究结果显示:栅源电压为0 V、漏源电压为击穿电压时,器件未发生单粒子效应,表明两种星用功率器件的抗单粒子效应... 对源漏击穿电压为400 V和500 V的N沟功率VDMOS器件进行碘离子单粒子辐照实验,讨论了不同偏置下两种功率器件的SEGR效应。研究结果显示:栅源电压为0 V、漏源电压为击穿电压时,器件未发生单粒子效应,表明两种星用功率器件的抗单粒子效应能力达到技术指标要求。 展开更多
关键词 功率vdmos器件 SEGR效应 加速器 注量率
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评价功率VDMOS器件SEB效应的畸变NPN模型
3
作者 冯筱佳 唐昭焕 +1 位作者 杨发顺 马奎 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第2期236-240,共5页
构建了一个半径为0.05μm的圆柱体,用于模拟单粒子辐射功率VDMOS器件的粒子径迹,且圆柱体内新生电子和新生空穴的数目沿圆柱体的半径方向呈高斯分布。考虑到功率VDMOS器件的SEB效应与寄生NPN具有直接关系,提出了一种畸变NPN模型,并通过... 构建了一个半径为0.05μm的圆柱体,用于模拟单粒子辐射功率VDMOS器件的粒子径迹,且圆柱体内新生电子和新生空穴的数目沿圆柱体的半径方向呈高斯分布。考虑到功率VDMOS器件的SEB效应与寄生NPN具有直接关系,提出了一种畸变NPN模型,并通过合理假设,推导出功率VDMOS器件在单粒子辐射下安全漏源偏置电压的解析式。结果表明,使用解析式计算得到的SEB阈值与TCAD仿真结果吻合较好。该模型可被广泛用于功率VDMOS器件SEB效应的分析和评价,为抗辐射功率VDMOS器件的选型及评价提供了一种简单和廉价的方法。 展开更多
关键词 功率vdmos器件 单粒子烧毁 畸变NPN模型 耗尽区电场
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功率VDMOS器件的SEB致SEGR效应研究 被引量：3
4
作者 张小林 严晓洁 唐昭焕 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第3期416-420,共5页
功率VDMOS器件是航天器电源系统配套的核心元器件之一,在重粒子辐射下会发生单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)效应,严重影响航天器的在轨安全运行。本文在深入分析其单粒子损伤机制及微观过程的基础上,发现了功率VDMOS器件在重粒子辐... 功率VDMOS器件是航天器电源系统配套的核心元器件之一,在重粒子辐射下会发生单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)效应,严重影响航天器的在轨安全运行。本文在深入分析其单粒子损伤机制及微观过程的基础上,发现了功率VDMOS器件在重粒子辐射下存在SEBIGR效应,并在TCAD软件和^181Ta粒子辐射试验中进行了验证。引起该效应的物理机制是,重粒子触发寄生三极管,产生瞬时大电流,使得硅晶格温度升高,高温引起栅介质层本征击穿电压降低,继而触发SEGR效应。SEBIGR效应的发现为深入分析功率MOSFET器件的单粒子辐射效应奠定了理论基础。 展开更多
关键词 功率vdmos器件 单粒子烧毁 单粒子栅穿 SEBIGR效应
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功率VDMOS器件热阻测试
5
作者 单长玲 许允亮 +2 位作者 刘琦 田欢 刘金婷 《机电元件》 2018年第2期47-49,共3页
功率VDMOS器件的热阻,是衡量输入功率与工作环境热特性的重要参数,在器件研制和系统设计中占有重要地位。从器件的热模型出发,给出了热阻的测试方法。针对二极管正向压降测试所需要的温度系数,分析了数据处理方法,给出提高温度系数计算... 功率VDMOS器件的热阻,是衡量输入功率与工作环境热特性的重要参数,在器件研制和系统设计中占有重要地位。从器件的热模型出发,给出了热阻的测试方法。针对二极管正向压降测试所需要的温度系数,分析了数据处理方法,给出提高温度系数计算精度的途径。结合热电偶测量原理,给出了提高热电偶测量精度的方法。所涉及的热阻测量方法,能够为热阻的高精度测量提供基础。 展开更多
关键词 功率vdmos器件 热特性 热阻 可靠性
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VDMOS单粒子效应简化电路模型研究
6
作者 徐大为 徐政 +3 位作者 吴素贞 陈睿凌 赵小寒 彭宏伟 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第8期72-77,共6页
通过在功率VDMOS器件的等效电路模型中引入电阻分析器件的表面电压对其单粒子效应的影响。根据仿真数据,分析颈区宽度、P+注入和反向传输电容等参数对器件的影响,设计了250 V器件并进行辐照试验。仿真结果及试验结果与模型分析的结论一... 通过在功率VDMOS器件的等效电路模型中引入电阻分析器件的表面电压对其单粒子效应的影响。根据仿真数据,分析颈区宽度、P+注入和反向传输电容等参数对器件的影响,设计了250 V器件并进行辐照试验。仿真结果及试验结果与模型分析的结论一致:辐照条件下,表面电压由电阻分压确定;增加P+注入剂量和减小颈区条宽能够减小电阻,提高器件抗单粒子效应的能力;通过降低颈区浓度减小反向传输电容的方法,无法提高器件的抗SEE能力;颈区条宽增加,器件辐照后漏电增加。 展开更多
关键词 功率vdmos器件 单粒子效应 简化电路模型 表面电压
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用虚拟制造设计低压功率VDMOS 被引量：3
7
作者 夏宇 王纪民 蒋志 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期72-74,77,共4页
采用虚拟制造方法设计了低压功率VDMOS器件,并对其进行结构参数、物理参数和电性能参数的模拟测试,确定了器件的物理结构。通过对这些参数和电学特性的分析,进一步优化设计,最终获得了满意的设计参数和性能。
关键词 虚拟制造 低压功率vdmos器件 结构参数 物理参数 电性能参数 电学特性 优化设计
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