期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到6篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
半导体器件仿真大型实验教学改革 被引量：4
1
作者 李如春 朱华 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2019年第2期182-184,191,共4页
实验教学是本科教育的重要组成部分,是学生掌握理论知识、联系实际应用的重要途径。新工科背景下的实验教学改革,侧重于实验内容和教学模式的创新。针对"半导体器件仿真大型实验"的实验内容、教学模式和评价体系提出改革。在... 实验教学是本科教育的重要组成部分,是学生掌握理论知识、联系实际应用的重要途径。新工科背景下的实验教学改革,侧重于实验内容和教学模式的创新。针对"半导体器件仿真大型实验"的实验内容、教学模式和评价体系提出改革。在软件操作学习的基础上,综合实验选取涵盖不同器件类型、物理模型、分析方法,增加新材料、新结构、新特性的有关器件研究性实验;引入课内、课外协同开放式教学组织方式,建立涵盖实验各部分内容学习效果的分等级综合评价体系。改革方法在电子科学与技术专业学生中进行了实践,效果良好。 展开更多
关键词 新工科 教学改革 研究性实验 半导体器件仿真
在线阅读 下载PDF
“半导体器件仿真与设计”课程思政教学的探索和实践 被引量：1
2
作者 胡冬青 周新田 《科学咨询》 2022年第17期201-203,共3页
半导体器件仿真与设计是一门涉及半导体器件原理、微电子工艺、版图设计和专用仿真软件使用的课程。论文借鉴工程教育认证毕业要求的设计思路,确定了“弘扬社会主义核心价值观”课程思政总目标,设计了6个课程思政指标点,落实了融入时机... 半导体器件仿真与设计是一门涉及半导体器件原理、微电子工艺、版图设计和专用仿真软件使用的课程。论文借鉴工程教育认证毕业要求的设计思路,确定了“弘扬社会主义核心价值观”课程思政总目标,设计了6个课程思政指标点,落实了融入时机。结合具体教学内容,给出了教学案例,体现了课程思政与课程内容的无缝对接、多维度挖掘和灵活性应用。 展开更多
关键词 课程思政 三全育人 半导体器件仿真与设计 超结
在线阅读 下载PDF
关于半导体器件原理与仿真课程“线上+线下”混合教学的思考 被引量：1
3
作者 程立文 《科教文汇》 2021年第18期105-107,共3页
目前,我国半导体芯片技术被以美国为首的西方国家封锁,集成电路产业遭遇“卡脖子”的问题。为了满足国家对芯片产业人才的战略需求,必须从源头抓起,重视对学生集成电路相关产业基础知识的培养。在此背景下,集成电路科学与工程学科近日... 目前,我国半导体芯片技术被以美国为首的西方国家封锁,集成电路产业遭遇“卡脖子”的问题。为了满足国家对芯片产业人才的战略需求,必须从源头抓起,重视对学生集成电路相关产业基础知识的培养。在此背景下,集成电路科学与工程学科近日被列入一级学科目录。同时,在面临新冠肺炎疫情防控等特殊情况时,线上教学作为一种新型的教学形式,在规避接触风险的同时也取得了不错的教学效果。后疫情时代,线下教学得以有序开展,线上教学作为一种新型的补充教学形式逐渐被认可并纳入教学活动中,采用“线上+线下”混合模式进行教学逐渐成为一种新常态。该文结合笔者自身的教学经验,对半导体器件原理与仿真课程“线上+线下”混合教学的教材选择、教学内容及其课时分配、考核方式的变革等方面进行了探讨。 展开更多
关键词 芯片 集成电路 新冠肺炎疫情 “线上+线下” 半导体器件原理与仿真课程
在线阅读 下载PDF
脉冲宽度对PIN限幅器微波脉冲热效应的影响 被引量：12
4
作者 陈曦 杜正伟 龚克 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1602-1606,共5页
通过数值求解半导体方程组仿真了高功率微波脉冲作用下的PIN二极管,研究了高功率微波脉冲的脉冲宽度对其烧毁的影响。发现脉冲宽度在ns至μs量级时,脉冲功率随脉冲宽度上升而下降,并且近似成反比。在此基础上,基于PIN二极管的Leenov模... 通过数值求解半导体方程组仿真了高功率微波脉冲作用下的PIN二极管,研究了高功率微波脉冲的脉冲宽度对其烧毁的影响。发现脉冲宽度在ns至μs量级时,脉冲功率随脉冲宽度上升而下降,并且近似成反比。在此基础上,基于PIN二极管的Leenov模型和电路的戴维南定理对其机理进行了分析。在脉冲宽度由ns向μs量级变化中,器件热效应由绝热加热转为有热传导的加热;与此同时,其实际吸收功率由与入射功率成正比转为与入射功率开方成正比;此二者共同作用导致了脉冲宽度对烧毁影响。 展开更多
关键词 微波脉冲 PIN限幅器 热效应 半导体器件仿真 脉冲宽度
在线阅读 下载PDF
绝缘层材料及结构对薄膜晶体管性能的影响 被引量：5
5
作者 李欣予 王若铮 +1 位作者 吴胜利 李尊朝 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第5期344-351,共8页
基于半导体仿真软件Silvaco TCAD对薄膜晶体管(TFT)进行器件仿真,并结合实验验证,重点分析不同绝缘层材料及结构对TFT器件性能的影响。仿真及实验所用薄膜晶体管为底栅电极结构,沟道层采用非晶IGZO材料,绝缘层采用SiN_x和HfO_2多种不同... 基于半导体仿真软件Silvaco TCAD对薄膜晶体管(TFT)进行器件仿真,并结合实验验证,重点分析不同绝缘层材料及结构对TFT器件性能的影响。仿真及实验所用薄膜晶体管为底栅电极结构,沟道层采用非晶IGZO材料,绝缘层采用SiN_x和HfO_2多种不同组合的叠层结构。仿真及实验结果表明:含有高k材料的栅绝缘层叠层结构较单一SiN_x绝缘层结构的TFT性能更优;对SiN_x/HfO_2/SiN_x栅绝缘层叠层结构TFT,HfO_2取40nm较为合适;对含有高k材料的3层和5层绝缘层叠层结构TFT,各叠层厚度相同的对称结构TFT性能最优。本文通过仿真获得了TFT性能较优的器件结构参数,对实际制备TFT器件具有指导作用。 展开更多
关键词 半导体器件仿真 薄膜晶体管 绝缘层 氮化硅 二氧化铪 叠层结构
在线阅读 下载PDF
外电路在电磁脉冲对双极型晶体管作用过程中的影响 被引量：15
6
作者 陈曦 杜正伟 龚克 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1197-1202,共6页
借助自主开发的2维半导体器件-电路联合仿真器,研究了电磁脉冲从发射极注入双极型晶体管时,外电路的影响,分析了共基极接法晶体管的电流分配系数,然后在此基础上研究了3种典型外电路元件的影响。结果表明:当脉冲从发射极注入时,基极外... 借助自主开发的2维半导体器件-电路联合仿真器,研究了电磁脉冲从发射极注入双极型晶体管时,外电路的影响,分析了共基极接法晶体管的电流分配系数,然后在此基础上研究了3种典型外电路元件的影响。结果表明:当脉冲从发射极注入时,基极外接电阻对器件烧毁过程影响不大;集电极外接正电压源等效于削减电磁脉冲的幅度,有延缓器件烧毁的作用;集电极外接电阻能明显提高器件对电磁脉冲的耐受性。 展开更多
关键词 电磁脉冲 双极型晶体管 半导体器件-电路联合仿真器 外电路 烧毁
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部