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实验设计与模拟相结合用于IC优化设计的TCAD工具 被引量：6
1
作者 甘学温 杜刚 肖志广 《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期713-718,共6页
鉴于PC机广泛普及和使用方便 ,在PC机上建立起实验设计与模拟相结合用于IC优化设计的TCAD工具。利用已有的工艺模拟软件SUPREM、器件模拟软件MINIMOS及电路模拟软件PSPICE ,完成了响应表面拟合、SPICE模型参数提取及数据转换等程序 ,形... 鉴于PC机广泛普及和使用方便 ,在PC机上建立起实验设计与模拟相结合用于IC优化设计的TCAD工具。利用已有的工艺模拟软件SUPREM、器件模拟软件MINIMOS及电路模拟软件PSPICE ,完成了响应表面拟合、SPICE模型参数提取及数据转换等程序 ,形成一个可以进行工艺、器件及电路分析和优化设计的TCAD工具 ,并用于研究实验设计方法在IC优化设计中的应用。 展开更多
关键词 实验设计 响应表面拟合 优化设计 tcad工具 集成电路 电路模拟软件 IC
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基于TCAD的脉冲作用下晶闸管反向恢复特性仿真研究 被引量：1
2
作者 陈炫宇 陶风波 +2 位作者 徐阳 庞磊 张乔根 《电力工程技术》 2020年第5期185-190,共6页
研究暂态脉冲电压作用下高压晶闸管反向恢复特性对换流阀参数设计、故障保护以及试验检测等具有重要意义。首先参照晶闸管实际结构,建立了晶闸管二维半导体仿真模型,基于载流子漂移扩散模型求解,仿真获得了晶闸管静态击穿特性和反向恢... 研究暂态脉冲电压作用下高压晶闸管反向恢复特性对换流阀参数设计、故障保护以及试验检测等具有重要意义。首先参照晶闸管实际结构,建立了晶闸管二维半导体仿真模型,基于载流子漂移扩散模型求解,仿真获得了晶闸管静态击穿特性和反向恢复电流特性,实验结果验证了仿真模型的有效性。在上述基础上,建立了半导体器件-电路仿真混合模型,并分析了正常导通和误触发导通时晶闸管内部电流密度变化的异同。仿真表明,反向恢复期间电压脉冲易导致晶闸管误触发,误触发电压随脉冲施加时刻后移而升高。 展开更多
关键词 高压晶闸管 电压脉冲 反向恢复 暂态特性 半导体器件模拟工具(tcad)
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ISE和Sjgma-C合作开发蚀刻处理模拟工具
3
《电子科技文摘》 2003年第4期171-171,共1页
集成系统科技公司(ISE)宣布已经与 Sigma-C 公司进行合作,开发面向最新型半导体技术节点的处理和器件模拟工具。根据协议,Sigma-C 的模拟软件 SOLID-CTM 将纳入 ISE 基于真实架构的 TCAD 工具中。亚微波蚀刻技术逐渐发展成为一种实践标... 集成系统科技公司(ISE)宣布已经与 Sigma-C 公司进行合作,开发面向最新型半导体技术节点的处理和器件模拟工具。根据协议,Sigma-C 的模拟软件 SOLID-CTM 将纳入 ISE 基于真实架构的 TCAD 工具中。亚微波蚀刻技术逐渐发展成为一种实践标准,对于器件从模型转向预制的过程来说也尤为必要。现有的 TCAD 模拟程序应用于蚀刻效果处理则显得过于简单。 展开更多
关键词 蚀刻处理 ISE Sjgma-C tcad 新型半导体 技术节点 效果处理 模拟程序 模拟工具 器件模拟
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