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半导体纳米晶的光吸收系数与尺寸的关系 被引量：7
1
作者 黄社松 陈东明 +1 位作者 何天敬 刘凡镇 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 1999年第6期663-669,共7页
利用有效质量近似，考虑有限深势阱，对半导体纳米晶的光吸收增强效应进行了研究，提出了一个基本的模型．在强限制区，随着半导体纳米晶尺寸的减小，势阶壁对电子一空穴对的相对运动的限制作用大大地增强了光吸收振子强度，对激子的质... 利用有效质量近似，考虑有限深势阱，对半导体纳米晶的光吸收增强效应进行了研究，提出了一个基本的模型．在强限制区，随着半导体纳米晶尺寸的减小，势阶壁对电子一空穴对的相对运动的限制作用大大地增强了光吸收振子强度，对激子的质心运动的限制作用缓慢地增加了吸收振子强度，而跃迁频率的变化减小了吸收振子强度，这三者的总体贡献导致了光吸收系数的大大增强；在弱限制区，单位体积的光吸收振子强度趋于一个常数，这与著名的巨振子强度理论是一致的．用该模型计算的和用反尺寸立方关系模型计算的吸收系数同实验进行比较，其结果更与实验相。吻合． 展开更多
关键词 半导体纳米晶 EMA理论 有限泞势阱 光吸收系数
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Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶在光电器件方面的应用研究进展 被引量：1
2
作者 石鹏 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第F11期23-26,共4页
Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶与聚合物的复合物在光电器件领域的应用近年来成为国内外研究的热点。综述了近几年来半导体纳米晶/共轭聚合物在有机/无机复合电致发光器件和太阳能电池方面的应用进展情况,着重强调了其发展历程,并对其存在的问题... Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶与聚合物的复合物在光电器件领域的应用近年来成为国内外研究的热点。综述了近几年来半导体纳米晶/共轭聚合物在有机/无机复合电致发光器件和太阳能电池方面的应用进展情况,着重强调了其发展历程,并对其存在的问题进行了分析,展望了其发展前景。 展开更多
关键词 半导体纳米晶 电致发光器件 太阳能电池
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Ⅳ-Ⅵ族半导体纳米晶的液相法合成
3
作者 干建群 赵旭升 +1 位作者 刘光华 詹仕卿 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期5-8,共4页
Ⅳ-Ⅵ族半导体纳米晶独特的物理化学性质引起了业界广泛关注。以PbS,PbSe和PbTe纳米晶为例,着重阐述了液相法合成该族纳米晶的实验方法和制备技术,主要包括溶胶-凝胶法、共沉淀法、有机金属法、模板法和微乳法等几个方面;展望了今后的... Ⅳ-Ⅵ族半导体纳米晶独特的物理化学性质引起了业界广泛关注。以PbS,PbSe和PbTe纳米晶为例,着重阐述了液相法合成该族纳米晶的实验方法和制备技术,主要包括溶胶-凝胶法、共沉淀法、有机金属法、模板法和微乳法等几个方面;展望了今后的研究和发展方向。 展开更多
关键词 Ⅳ-Ⅵ族半导体纳米晶 液相合成 尺寸及其分布 表面活性剂
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Co:CdS半导体纳米晶的合成、晶体结构及光学性质
4
作者 李园利 谢瑞士 余萍 《广州化工》 CAS 2011年第11期56-58,共3页
利用水相合成技术,以巯基乙酸(MAA)为稳定剂,合成了Co:CdS半导体纳米晶。XRD结果表明,得到的掺杂纳米晶为闪锌矿结构,平均粒径约为3.9 nm;FT-IR结果表明,MAA成功包覆在Co:CdS纳米晶的表面;UV-vis吸收谱表明,Co离子成功掺入CdS晶格中;PL... 利用水相合成技术,以巯基乙酸(MAA)为稳定剂,合成了Co:CdS半导体纳米晶。XRD结果表明,得到的掺杂纳米晶为闪锌矿结构,平均粒径约为3.9 nm;FT-IR结果表明,MAA成功包覆在Co:CdS纳米晶的表面;UV-vis吸收谱表明,Co离子成功掺入CdS晶格中;PL结果表明,掺杂离子浓度过大会导致CdS发光淬灭;并讨论了相关机理。 展开更多
关键词 CDS 掺杂 半导体纳米晶 水相合成技术 光学性质
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半导体纳米晶光电性能的研究进展
5
作者 罗丽庆 林健 黄文旵 《光电子技术与信息》 CAS 2005年第3期1-5,共5页
综述了近年来国内外纳米晶体光电子性质研究领域某些方面的进展情况,着重介绍了半导体纳米晶在光吸收、光致发光、非线性光学效应和电阻率等方面的独特性能。这些研究表明,对于0—3nm晶体(纳米晶粒处于分散介质中)来说,量子尺寸效应是... 综述了近年来国内外纳米晶体光电子性质研究领域某些方面的进展情况,着重介绍了半导体纳米晶在光吸收、光致发光、非线性光学效应和电阻率等方面的独特性能。这些研究表明,对于0—3nm晶体(纳米晶粒处于分散介质中)来说,量子尺寸效应是产生晶体性质突变的主要原因之一。对纳米晶体结构和性能的深入研究,能为光电子材料的发展提供新的途径和思路。 展开更多
关键词 半导体纳米晶 尺寸效应 光电子性质
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胶体半导体纳米晶的能带宽调控新方法
6
作者 顾震宇 朱为宏 钟新华 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第5期629-636,共8页
由于量子限域效应,半导体纳米晶的能带宽随粒子大小而改变。单纯依靠改变纳米晶大小来调控能带宽将引起许多技术和应用上的不便。本文对胶体半导体纳米晶的能带宽调控新概念和新的合成途径,包括近年来发展起来的通过采用合金纳米晶、反... 由于量子限域效应,半导体纳米晶的能带宽随粒子大小而改变。单纯依靠改变纳米晶大小来调控能带宽将引起许多技术和应用上的不便。本文对胶体半导体纳米晶的能带宽调控新概念和新的合成途径,包括近年来发展起来的通过采用合金纳米晶、反转Type-Ⅰ及Type-Ⅱ核/壳结构等新途径进行了综述,并对各种途径的优缺点进行了描述。 展开更多
关键词 胶体 半导体纳米晶 能带宽调控 合金纳米晶 核/壳结构
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InN半导体纳米晶相变活化能的研究
7
作者 王建平 王淑华 耿贵立 《山东大学学报（工学版）》 CAS 2008年第2期42-44,共3页
导出了相变活化能E与加热速率Φ和峰值温度Tp的关系表达式.用差示扫描量热分析法,研究了InN半导体纳米晶在不同加热速率条件下由室温立方相向高温六方相转变的特征参数Tp.然后根据导出的关系表达式和实验数据,计算所得的InN半导体纳米... 导出了相变活化能E与加热速率Φ和峰值温度Tp的关系表达式.用差示扫描量热分析法,研究了InN半导体纳米晶在不同加热速率条件下由室温立方相向高温六方相转变的特征参数Tp.然后根据导出的关系表达式和实验数据,计算所得的InN半导体纳米晶由立方相转变为六方相的相变活化能为E=1.3466×103 kJ/mol. 展开更多
关键词 InN半导体纳米晶 差示扫描量热法 相变 活化能
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非水相合成在非氧化物半导体纳米晶材料制备中的应用进展
8
作者 耿保友 孙红霞 刘小网 《安徽师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2007年第3期320-325,共6页
半导体纳米晶材料由于具有表面效应、量子尺寸效应、介电限域效应、特殊的热学性质、光学性质及光电化学性质等而成为材料科学和化学领域的研究热点.在研究它们独特性质的时候,制备出各种高质量的纳米晶材料就成为必备条件之一.非水相... 半导体纳米晶材料由于具有表面效应、量子尺寸效应、介电限域效应、特殊的热学性质、光学性质及光电化学性质等而成为材料科学和化学领域的研究热点.在研究它们独特性质的时候,制备出各种高质量的纳米晶材料就成为必备条件之一.非水相合成相对于已报道的其它方法而言,具有很多优点,如:单分散性好,粒径容易控制、产物的结晶度高等,而越来越被研究者关注.本文对近几年关于半导体纳米晶材料的非水相合成方法进行了综述. 展开更多
关键词 非水相合成 半导体纳米晶 合成
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Ag-In-Zn-S四元半导体纳米晶的可控制备及其在电致发光二极管中的应用 被引量：1
9
作者 张京 吕培文 +3 位作者 管中源 王立瑾 訚哲 唐爱伟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期620-628,共9页
Ag-In-Zn-S四元半导体纳米晶(以下简称AIZS NCs)不仅具有传统半导体纳米晶带隙可调、发光效率高等优异的发光特性,同时凭借其低毒和合成工艺简单等优点,在发光二极管、生物医学和光电转换等领域得到了广泛应用,成为传统镉基半导体纳米... Ag-In-Zn-S四元半导体纳米晶(以下简称AIZS NCs)不仅具有传统半导体纳米晶带隙可调、发光效率高等优异的发光特性,同时凭借其低毒和合成工艺简单等优点,在发光二极管、生物医学和光电转换等领域得到了广泛应用,成为传统镉基半导体纳米材料的有力竞争者之一。本文通过一步反应法制备出发光性能良好的AIZS NCs,并通过组分调控扩大其发光范围,使其发光颜色从绿光调至红光。在此基础上,采用注射法研究了AIZS NCs的形成过程,证明AIZS纳米晶的形成是阳离子交换反应发生的结果。为了进一步提高其发光性能,采用种子生长法继续在AIZS纳米晶中引入Zn源形成合金型AIZS-ZnS NCs,使其光致发光量子产率达到47%。最后,采用全溶液处理方法以AIZS-ZnS NCs作为发光层构筑了绿、黄和红三色电致发光二极管,其中黄光电致发光二极管的电流效率达到了1.07 cd·A^(-1)。 展开更多
关键词 Ag-In-Zn-S 半导体纳米晶 控制制备 组分调控 电致发光二极管
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CuGaS_(2)半导体纳米晶的合成、光学性能及应用研究进展
10
作者 侯丹星 訚哲 唐爱伟 《中央民族大学学报（自然科学版）》 2022年第3期46-57,共12页
多元铜基硫族半导体纳米晶由于其毒性低,带隙可调且光吸收系数较高等优点,在光电器件和生物应用等领域有着潜在的应用前景。大部分有关多元铜基硫族半导体纳米晶的研究主要集中在CuInS_(2)半导体纳米晶,而对CuGaS_(2)半导体纳米晶的研... 多元铜基硫族半导体纳米晶由于其毒性低,带隙可调且光吸收系数较高等优点,在光电器件和生物应用等领域有着潜在的应用前景。大部分有关多元铜基硫族半导体纳米晶的研究主要集中在CuInS_(2)半导体纳米晶,而对CuGaS_(2)半导体纳米晶的研究相对较少。近年来,有关CuGaS_(2)纳米晶的研究逐渐活跃起来,目前的研究主要包括材料合成、发光性能及光电器件应用等。本文主要综述了近几年CuGaS_(2)半导体纳米晶的合成及基本表征,发光性能调控以及在发光二极管、光催化和太阳能电池等光电应用领域的应用研究,并对CuGaS_(2)纳米晶的发展所面临的挑战与前景进行了展望。 展开更多
关键词 CuGaS_(2) 半导体纳米晶 发光性能 发光二极管
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稀土掺杂半导体纳米晶研究获进展
11
《功能材料信息》 2011年第5期63-63,共1页
在科技部863和973计划、国家自然科学基金、中科院“百人计划”、福建省杰青项目等支持下，中科院福建物质结构研究所中科院光电材料化学与物理重点实验室陈学元研究员课题组在稀土掺杂半导体纳米晶研究方面取得新进展。该研究小组采用... 在科技部863和973计划、国家自然科学基金、中科院“百人计划”、福建省杰青项目等支持下，中科院福建物质结构研究所中科院光电材料化学与物理重点实验室陈学元研究员课题组在稀土掺杂半导体纳米晶研究方面取得新进展。该研究小组采用一种巧妙的技术路线， 展开更多
关键词 半导体纳米晶 稀土掺杂 福建物质结构研究所 国家自然科学基金 973计划 重点实验室 中科院 百人计划
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玻璃内“雕”三维半导体纳米晶结构飞刀技术为新一代显示和存储技术提供新方向
12
作者 柯溢能 吴雅兰 《今日科技》 2022年第4期58-59,共2页
激光被称为“最快的刀”“最准的尺”“最亮的光”,自20世纪60年代初人类发明第一台激光器以来,激光已广泛应用于我们生活的方方面面。激光被公认为是20世纪人类最伟大的四大发明之一。20世纪80年代,科学家发明了一种奇特的激光——飞... 激光被称为“最快的刀”“最准的尺”“最亮的光”,自20世纪60年代初人类发明第一台激光器以来,激光已广泛应用于我们生活的方方面面。激光被公认为是20世纪人类最伟大的四大发明之一。20世纪80年代,科学家发明了一种奇特的激光——飞秒激光,一种人类在实验室可以实现的超短脉冲激光。飞秒激光具有超快、超强和超宽频谱的特点,近年来发展非常迅速,其相关的技术和前沿应用成果已诞生了多项诺贝尔奖,现在很多眼科近视矫正手术都用到了飞秒激光。 展开更多
关键词 飞秒激光 超短脉冲激光 半导体纳米晶 宽频谱 第一台激光器 诺贝尔奖 四大发明
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用光声技术研究半导体TiO_2,ZnO纳米晶粉的光学特性 被引量：3
13
作者 列光华 唐志列 +1 位作者 杨挺 唐秀文 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期51-54,共4页
应用新型的光声光谱技术,研究了不同种类和不同制备工艺条件的半导体纳米晶粉的光学特性,测量了半导体TiO2、ZnO和掺铝ZnO纳米晶粉的光声光谱,获得了这些半导体纳米晶粉的带隙和光谱吸收系数。研究结果表明,相同种类和相同颗粒形状的半... 应用新型的光声光谱技术,研究了不同种类和不同制备工艺条件的半导体纳米晶粉的光学特性,测量了半导体TiO2、ZnO和掺铝ZnO纳米晶粉的光声光谱,获得了这些半导体纳米晶粉的带隙和光谱吸收系数。研究结果表明,相同种类和相同颗粒形状的半导体纳米晶粉的粒径越小,光学吸收系数越大。半导体纳米晶粉的带隙与相同种类纳米颗粒形状(圆球形或棒形)密切相关。通过掺杂、改变粒径尺寸、改变形状可以达到改变纳米晶的光学、电学特性的目的。 展开更多
关键词 光声光谱 纳米颗粒 半导体纳米晶粉
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过渡金属Mn离子掺杂的半导体纳米晶研究进展 被引量：3
14
作者 郑金桔 曹盛 黄金霞 《重庆师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2012年第4期82-87,共6页
过渡金属掺杂的纳米材料具有高效、稳定和可调谐的可见-近红外发射光谱的特点,尤其是由于大的斯托克斯位移而抑制了发光材料自吸收的问题,已经成为光学材料中一个重要的分支。回顾了关于Mn离子掺杂纳米晶研究进展中的几个关键问题。得... 过渡金属掺杂的纳米材料具有高效、稳定和可调谐的可见-近红外发射光谱的特点,尤其是由于大的斯托克斯位移而抑制了发光材料自吸收的问题,已经成为光学材料中一个重要的分支。回顾了关于Mn离子掺杂纳米晶研究进展中的几个关键问题。得到晶核掺杂和生长掺杂方式相比于传统的"一锅法"在制备方式更有优势;从回顾关于Mn掺杂机理上的各种解释和在宿主纳米晶中引入大量的掺杂剂所面临的困难中,得出要获得掺杂浓度可控的量子点需要考虑纳米晶表面自清洁效应,纳米晶形状、晶体结构、晶面、表面活性剂以及Mn离子与宿主阳离子的尺寸差别引入的晶格压力等关键因素;利用理论和实验深刻解释了Mn离子的发光机理,指出宿主到Mn离子的高能量转移速率是获得高效的Mn离子发光的关键因素。通过对掺杂量子点的制备、掺杂机理以及发光机理的综合探讨,为制备掺杂浓度和掺杂位置可控的光学性能优良的掺杂量子点方面的研究提供参考。 展开更多
关键词 掺杂 半导体纳米晶 掺杂纳米晶 光学性能
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合成半导体胶体纳米晶的新方法 被引量：1
15
作者 武振羽 付立民 +4 位作者 王永梅 王彦田 苗雁鸣 李前树 邹炳锁 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 2004年第1期1-5,共5页
半导体纳米晶由于其独特的光学和电学性质在光学器件、医疗诊断、激光等方面有了越来越重要的应用。
关键词 半导体纳米晶 胶体 合成方法 荧光发光性质 配体 溶剂 镉前体
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半导体纳米晶在生物标记领域的应用 被引量：4
16
作者 侯博 刘拥军 +1 位作者 袁波 蒋峰芝 《化学通报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期272-280,共9页
对半导体纳米晶的概念、性质、应用前景进行了概述,详细介绍了以ZnS、ZnSe半导体纳米晶体为代表的由IIB-VI族原子组成的低毒半导体纳米晶的制备、光谱学性质及其当前在生物标记领域的应用。
关键词 半导体纳米晶 制备 ZNSE ZNS 生物标记
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CdS/CdSe核壳结构半导体纳米晶结构及光谱特性 被引量：3
17
作者 谢万兴 王德平 +3 位作者 吴立功 姚爱华 黄文旵 郁美娟 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期219-224,共6页
采用共沉淀法在水相中将CdS外延生长于CdSe半导体纳米晶(CdSe NCs)表面,制备了结晶形态较好的CdSe/CdS核壳结构半导体纳米晶(CdSe/CdSC/SNCs),并改善了CdSe NCs的荧光性能。通过X射线衍射,透射电镜和选区电子衍射分析证明了核壳结构的形... 采用共沉淀法在水相中将CdS外延生长于CdSe半导体纳米晶(CdSe NCs)表面,制备了结晶形态较好的CdSe/CdS核壳结构半导体纳米晶(CdSe/CdSC/SNCs),并改善了CdSe NCs的荧光性能。通过X射线衍射,透射电镜和选区电子衍射分析证明了核壳结构的形成,并通过紫外可见光吸收光谱和荧光光谱分析证明了核壳结构对CdSe NCs荧光性能的改善。此外,实验结果表明:控制CdSe核合成中Cd前驱体溶液pH值能获得粒径分布较窄的CdSe/CdSC/SNCs;采用不同浓度比的Cd和Se前驱体溶液可以有效调节核壳结构半导体纳米晶的粒径;选择合适的CdSe与CdS摩尔比及壳层中Cd与S摩尔比能改善CdSe/CdSC/SNCs的荧光性能。 展开更多
关键词 半导体纳米晶 核壳结构 荧光
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多元铜基硫族半导体纳米晶的发光性能及其在电致发光器件中的应用进展 被引量：2
18
作者 张京 王立瑾 +2 位作者 陈斐 唐爱伟 滕枫 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第17期2162-2178,共17页
半导体纳米晶(又称为半导体量子点)由于其色纯度高和尺寸依赖的发光性能等优势,在照明和显示方面受到了科学界和产业界的广泛关注.目前,基于半导体量子点的电致发光器件所使用的发光材料以镉基硫族化合物量子点为主,然而镉元素对环境和... 半导体纳米晶(又称为半导体量子点)由于其色纯度高和尺寸依赖的发光性能等优势,在照明和显示方面受到了科学界和产业界的广泛关注.目前,基于半导体量子点的电致发光器件所使用的发光材料以镉基硫族化合物量子点为主,然而镉元素对环境和人体都有一定的危害.因此,开发一种环境友好且光电性能良好的无镉半导体纳米晶是非常必要的.近年来,多元铜基硫族半导体纳米晶由于其毒性低、组分可调的发光特性及其在光电子器件领域的潜在应用受到了广泛关注.本文详细综述了多元铜基硫族半导体纳米晶的组分、表面配体、晶体结构和纳米结构等因素对其发光特性的影响,着重阐述了多元铜基硫族半导体纳米晶在电致发光器件中的研究进展,最后对多元铜基硫族半导体纳米晶的发展进行了展望. 展开更多
关键词 半导体纳米晶 多元铜基硫族化合物 发光性能 电致发光器件
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无机半导体纳米晶光学性质的设计、调控及其生物医学应用
19
作者 李峰 董博华 +3 位作者 张叶俊 兰祥 李春炎 王强斌 《中国科学：化学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期180-190,共11页
半导体纳米晶由于其丰富的能带结构和光学性质,在光电器件和生物医学应用等领域展现出了广阔的应用前景,且在过去的几十年中得到了广泛关注.因此,对其光学性质进行理性设计和精确调控具有重要的研究意义.本文简要综述了本研究组近年来... 半导体纳米晶由于其丰富的能带结构和光学性质,在光电器件和生物医学应用等领域展现出了广阔的应用前景,且在过去的几十年中得到了广泛关注.因此,对其光学性质进行理性设计和精确调控具有重要的研究意义.本文简要综述了本研究组近年来在不同能带隙的无机半导体纳米晶的可控制备技术以及利用DNA纳米技术和蛋白质自组装手段构建具有特异光学性质的纳米结构等方面的相关研究工作,最后对这些纳米晶和纳米结构的独特光学性质及其在生物医学领域的应用研究进行了总结. 展开更多
关键词 半导体纳米晶 纳米结构 化学合成 自组装 光学性质
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半导体纳米晶能产生多个电子
20
作者 杨英慧（摘译） 《现代材料动态》 2006年第9期5-6,共2页
美国洛斯-阿拉莫斯国家实验室的科研人员发现了一种被称为载流子增殖的现象，它表现为以光子照射半导体纳米晶时会发射出多个电子。这一发现使作为太阳能电池材料的纳米晶有可能比现有太阳能电池产生更多的电能。
关键词 半导体纳米晶 电子 太阳能电池材料 国家实验室 科研人员 载流子
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