双异质结激光器的Auger复合分析 被引量：1

1

作者 夏瑞东 常悦 庄蔚华 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期112-115,共4页

本文通过对１．５５μｍ双异质结激光器中０．９５μｍ的高能发光峰的分析，证明了ＩｎＧａＡｓＰ有源区的Ａｕｇｅｒ复合是造成载流子向两侧ＩｎＰ限制层漏泄的主要原因，也是影响激光器Ｔ０值的主要因素。

关键词 双异质结激光器 漏泄 发光带 Auger复合

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GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器的深能级荧光

2

作者 王守武 王仲明 许继宗 《Journal of Semiconductors》 EI CAS 1981年第3期189-196,共8页

测量了垂直于结平面各空间位置的荧光光谱和某些特定波长的空间分布.实验结果表明在 n-GaAs衬底、n-GaAs缓冲层和 P-GaAs有源层都存在着峰值波长为 1.03 μm和 1.09μm的深能级辐射.这些辐射在热处理和小电流密度老化下有着不同的行为.... 测量了垂直于结平面各空间位置的荧光光谱和某些特定波长的空间分布.实验结果表明在 n-GaAs衬底、n-GaAs缓冲层和 P-GaAs有源层都存在着峰值波长为 1.03 μm和 1.09μm的深能级辐射.这些辐射在热处理和小电流密度老化下有着不同的行为. 另外在N-Ga_(1-x)Al_xAs层的荧光谱中还可以看到一个波长比有源区带到带的辐射还短的辐射.可以认为这是由于在N-P异质界面存在着电子势垒从而导致在N-Ga(1-x)AlxAs层中导带的非平衡电子与在Sn深受主能级上的非平衡空穴复合产生的辐射. 展开更多

关键词 GaAs-Ga 深能级 电子能态 双异质结激光器 x)Al_xAs 有源区 光学薄膜器件 干涉滤光片 峰值波长 AL 弱光 荧光

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双异质结激光器的Pspice温度修正模型 被引量：1

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作者 张玲丽 《数字通信》 2012年第1期77-79,共3页

为了能够正确反映出双异质结激光器的温度特性,对双异质结激光器(DH-LD)原有的Pspice模型进行了温度适用性修正,找出了原模型中被误当作常数但实际却受温度影响的因子,并做出了适当的修正。根据修正后的Pspice等效电路温度模型对双异质... 为了能够正确反映出双异质结激光器的温度特性,对双异质结激光器(DH-LD)原有的Pspice模型进行了温度适用性修正,找出了原模型中被误当作常数但实际却受温度影响的因子,并做出了适当的修正。根据修正后的Pspice等效电路温度模型对双异质结激光器进行了模拟,得到了双异质结激光器在温度升高时表现出的最明显的2个效应:阈值电流Ith增大和外微分量子效率ηd减小。实践证明:运用该修正模型使光发射器中温度控制电路和功率控制电路成为可能。 展开更多

关键词 双异质结激光器 PSPICE模型 温度控制 功率控制 电路模型

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GaAs-AlGaAs双异质结激光器的实用化封装

4

作者 郭占明 《四川激光》 1981年第A02期123-123,共1页

设计、研制了激光器实用化封装管壳,作了光纤耦合封装，利用芯径φ=60μ、数值孔径NA=0．14、球端光纤与条宽为15μ的GaAs-AlGaAs~异质激光器直接藕合，效率η=80％。

关键词 双异质结激光器 实用化 封装 光纤耦合 数值孔径 管壳 芯径

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光纤通讯用长寿命GaAs-AlGaAs双异质结激光器的研制

5

作者 廖先炳 《四川激光》 1981年第A02期122-123,共2页

报导了光纤通讯用长寿命GaAs-AlGaAs双异质结激光器研制中的关键工艺，通过这些改进措施使得激光器获得了长寿命，为激光器的实用作出了贡献。

关键词 双异质结激光器 光纤通讯 长寿命 关键工艺

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AlGaAs双异质结激光器的镜面退化

6

《半导体光电》 CAS 1980年第1期95-95,共1页

据美《J·A·P》杂志1979年8月刊报导:日本电气公司中央研究所的 H·yonezu 和 K·E ndo 等人新近研究了没有镜面保护的A1GaAs 双异质结激光器的镜面退化机理和相应的激射特性变化。在恒定的光功率下工作时,镜面退化分... 据美《J·A·P》杂志1979年8月刊报导:日本电气公司中央研究所的 H·yonezu 和 K·E ndo 等人新近研究了没有镜面保护的A1GaAs 双异质结激光器的镜面退化机理和相应的激射特性变化。在恒定的光功率下工作时,镜面退化分为三个阶段,即第Ⅰ阶段、第Ⅱ阶段和第Ⅲ阶段。第Ⅰ阶段叫初期退化阶段。对此进行了详细的研究。初期退化的速率比较快。初期退化伴随着自发辐射强度降低,脉冲阈值电流增加以及脉冲外微分量子效率降低。已弄清。 展开更多

关键词 镜面 双异质结激光器 ALGAAS

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微微秒Al_xGa_(1-x)As双异质结激光器

7

作者 张位在 《中国激光》 EI CAS 1982年第11期724-726,共3页

用宽度为300微微秒的电脉冲驱动质子轰击条形的Al_xGa_(1-x)As双异质结激光器,产生12微微秒光脉冲。并已经用来检测快速光电二极管的响应速率。

关键词 微微秒 Al_xGa x)As 条纹相机 摄影机 双异质结激光器

原文传递

双异质结半导体激光器（DHL）的研制

8

作者 刘东红 张福厚 +3 位作者 高建华 戴瑛 孟繁民 张玉生 《山东工业大学学报》 1995年第2期158-161,共4页

采用液相外延（ＬＰＥ）技术成功地研制出室温脉冲激发的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａｌ－ｘＡｓ双异质结激光器．脉冲电压３０Ｖ，频率１０ｋＨｚ，脉冲宽度约１μｓ，脉冲功率约１０ｍＷ，波长８５６．７ｎｍ．较详细地介绍了器件制作的后工... 采用液相外延（ＬＰＥ）技术成功地研制出室温脉冲激发的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａｌ－ｘＡｓ双异质结激光器．脉冲电压３０Ｖ，频率１０ｋＨｚ，脉冲宽度约１μｓ，脉冲功率约１０ｍＷ，波长８５６．７ｎｍ．较详细地介绍了器件制作的后工艺过程． 展开更多

关键词 双异质结激光器 液相外延生长 半导体激光器

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半导体激光器热阻的测量

9

作者 金恩顺 石家纬 高鼎三 《吉林大学学报（理学版）》 CAS 1983年第2期115-118,共4页

本文用四种方法对氧化物条形双异质结激光器的热阻进行了测量、比较。结果表明,正向压降法简便、易行,数据可靠。

关键词 热阻 温度系数 热传导 双异质结激光器 正向压降 半导体激光器 半导体光激射器

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半导体激光器的最新进展及应用现状 被引量：5

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作者 常坤 《电子技术与软件工程》 2018年第10期90-90,共1页

半导体激光器俗称激光二极管,因为其用半导体材料作为工作物质的特性所以被称为半导体激光器。其通过对工作物质的激励,从而实现粒子流的反转,并且当粒子数反转的时候,其中大量的电子通过与空穴进行复合,从而产生受激发射作用。

关键词 半导体激光器 受激发射作用 双异质结激光器

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一种新型的扩散条型激光器

11

《半导体光电》 CAS 1980年第1期94-94,共1页

西德通用电气德律风根公司最近制作了一种新型的扩散条型半导体激光器——V 型槽激光器。器件结构如图1所示。与普通的双异质结激光器相比,V 型槽激光器在 P—GaAlAs 层上多一层 n—GaAIAs 层。顶层为 n—GaAs。各层均在(100)GaAs 衬底... 西德通用电气德律风根公司最近制作了一种新型的扩散条型半导体激光器——V 型槽激光器。器件结构如图1所示。与普通的双异质结激光器相比,V 型槽激光器在 P—GaAlAs 层上多一层 n—GaAIAs 层。顶层为 n—GaAs。各层均在(100)GaAs 衬底上用液相处延方法生长而成。然后在(100)面上沿一定方向腐蚀顶层而得 V 型槽。用 Zn 扩散就形成了通过顶层和 n 型 GaAIAs 层的 P 展开更多

关键词 双异质结激光器 德律风根公司 型槽

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室温连续工作的可见光半导体激光器

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作者 郑广富 廖先炳 +1 位作者 郑显明 胡恩智 《中国激光》 EI CAS 1982年第11期715-719,共5页

本文报告我们研制成功的室温连续工作的可见光GaAlAs半导体激光器。发射的波长约7600且,所有电光参数跟红外光GaAs-GaAlAs双异质结激光器基本上一致。

关键词 双异质结激光器 GAAS 红外光 限制 有源层 半导体激光器 半导体光激射器

原文传递

基于Pspice光发射机驱动电路的仿真分析

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作者 张玲丽 《数字通信》 2013年第6期37-39,56,共4页

根据发光二极管(LED)和双异质结激光器(DH-LD)的Pspice等效子电路程序,将它们做成新的元件嵌入Pspice A/D 8.0电路仿真平台中。利用该平台对各种光发射机的光驱动回路进行模拟,证明用光电子器件的等效电路模型来模拟光电集成回路的可行... 根据发光二极管(LED)和双异质结激光器(DH-LD)的Pspice等效子电路程序,将它们做成新的元件嵌入Pspice A/D 8.0电路仿真平台中。利用该平台对各种光发射机的光驱动回路进行模拟,证明用光电子器件的等效电路模型来模拟光电集成回路的可行性和便利性。 展开更多

关键词 发光二极管 双异质结激光器 模拟仿真

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《半导体情报》一九八○年一至六期题目索引

14

《微纳电子技术》 1980年第6期91-93,共3页

关键词 场效应晶体管 微波 单极晶体管 场效应器件 电磁波 双异质结激光器 题目 通检 检索工具 索引 情报

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AlxGa1—xAs的MOCVD生长和特性研究

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作者 莫金玑 倪杰 《上海半导体》 1994年第2期1-4,共4页

关键词 砷化镓铝 双异质结激光器 生长 MOCVD 特性

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半导体超薄膜中量子尺寸效应

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作者 高鼎三 《发光学报》 EI CAS 1979年第Z1期1-11,共11页

由于最近三、四年来半导体材料外延生长技术的迅速发展,现已能够获得显示量子效应的超薄膜。本文综述半导体超薄膜中量子尺寸效应的简单理论和多层超薄膜异质结构中隧道效应、光吸收和受激发射的实验和结果。本文内容分:半导体表面和超... 由于最近三、四年来半导体材料外延生长技术的迅速发展,现已能够获得显示量子效应的超薄膜。本文综述半导体超薄膜中量子尺寸效应的简单理论和多层超薄膜异质结构中隧道效应、光吸收和受激发射的实验和结果。本文内容分:半导体表面和超薄膜量子效应,量子尺寸效应简单理论,异质结构中量子尺寸效应的实验证实及最近进展四部份。 展开更多

关键词 量子尺寸效应 超薄膜 异质结构 GaAs 共振隧道效应 势井 双异质结激光器 跃迁 势垒高度

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氧离子注入GaAs的研究

17

《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1977年第1期34-44,共11页

本文研究了在160KeV能量下,O^+注入到n-GaAs或P-GaAs中所形成的半绝缘层的物理特性。测量了样品的电阻率、氧补偿后的载流子浓度分布及晶格损伤。在GaAs肖特基势垒场效应管(MESFET)及条形双异质结激光器的研制中,采用这种注氧隔离技术,... 本文研究了在160KeV能量下,O^+注入到n-GaAs或P-GaAs中所形成的半绝缘层的物理特性。测量了样品的电阻率、氧补偿后的载流子浓度分布及晶格损伤。在GaAs肖特基势垒场效应管(MESFET)及条形双异质结激光器的研制中,采用这种注氧隔离技术,取得了初步效果。本文认为O+注入GaAs形成半绝缘层的机制不是辐射损伤,而是O^+引入了双深能级。 展开更多

关键词 双异质结激光器 MESFET 氧离子 场效应管 肖特基势垒 载流子浓度 隔离技术 击穿电压 退火温度 初步效果

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AlxGa1—xAs的MOCVD生长和特性研究

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作者 莫金玑 倪杰 《科技通讯（上海）》 CSCD 1994年第3期14-17,共4页

关键词 砷化镓 掺杂 铝 异质结构材料 双异质结激光器

原文传递