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X射线衍射分析的实验方法及其应用 被引量：65
1
作者 胡林彦 张庆军 沈毅 《河北理工学院学报》 2004年第3期83-86,93,共5页
概要介绍了X射线衍射分析的原理及其相关理论,总结了X射线衍射的各种实验方法,对X射线衍射分析的应用分别进行了叙述,最后对X射线衍射分析的发展进行了展望。
关键词 X射线衍射分析 实验方法 运动学衍射理论 动力学衍射理论 双晶衍射法 多晶衍射法 点阵常数
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自组织InAs/GaAs量子点的X射线双晶衍射研究
2
作者 刘艳美 赵宗彦 +2 位作者 杨坤堂 徐章程 韩家骅 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期862-864,共3页
用X射线双晶衍射方法测定了自组织生长的InAs GaAs量子点的摇摆曲线 ,根据Takagi Taupin方程对曲线进行了拟合。在考虑量子点层晶格失配的情况下 ,理论曲线和实验曲线符合得很好 ,从而确定了量子点垂直样品表面的失配度 ,约为 4～ 6 % ... 用X射线双晶衍射方法测定了自组织生长的InAs GaAs量子点的摇摆曲线 ,根据Takagi Taupin方程对曲线进行了拟合。在考虑量子点层晶格失配的情况下 ,理论曲线和实验曲线符合得很好 ,从而确定了量子点垂直样品表面的失配度 ,约为 4～ 6 % ,这与宏观连续体弹性理论的预测相近。结合电镜。 展开更多
关键词 INAS/GAAS量子点 自组织量子点 X射线双晶衍射法 摇摆曲线 光电性质 子单层沉积法
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重掺杂硅中的氧沉淀
3
作者 王庆禄 李敬林 赵素英 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第6期582-584,共3页
采用X射线双晶衍射法对重掺硼、重掺锑样品中的氧沉淀行为进行了研究,分析了热处理条件、掺杂剂种类对重掺硅中氧沉淀的影响.实验结果表明:由于氧沉淀诱发缺陷间的相互作用、氧沉淀的重溶以及氧的外扩散等原因,在长时间高温热处理时,晶... 采用X射线双晶衍射法对重掺硼、重掺锑样品中的氧沉淀行为进行了研究,分析了热处理条件、掺杂剂种类对重掺硅中氧沉淀的影响.实验结果表明:由于氧沉淀诱发缺陷间的相互作用、氧沉淀的重溶以及氧的外扩散等原因,在长时间高温热处理时,晶片表面完整性得到改善;重掺硼样品中的氧沉淀较重掺锑样品中的氧沉淀明显.实验中还观察到了氧沉淀重溶现象,进一步验证了理论分析结果. 展开更多
关键词 硅 氧沉淀 重掺杂 X射线双晶衍射法 热处理 掺杂剂 硅外延片 半导体 IG工艺
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(112)面CdTe/Cd_(1-y)Zn_yTe,Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe和CdTe/GaAs异质结的方向倾斜
4
作者 刘义族 于福聚 《应用科学学报》 CAS CSCD 2001年第3期261-264,共4页
用 X射线双晶衍射 ( XDCD)法测得分子束外延 ( MBE)法生长的 Cd Te/ Cd0 .959Zn0 .0 4 1 Te( 112 ) B异质结的倾斜角为 0 .2 185°,而且朝 [1- 1- 1]晶体学方向倾斜 .为了获得较精确的倾斜角值 ,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δ... 用 X射线双晶衍射 ( XDCD)法测得分子束外延 ( MBE)法生长的 Cd Te/ Cd0 .959Zn0 .0 4 1 Te( 112 ) B异质结的倾斜角为 0 .2 185°,而且朝 [1- 1- 1]晶体学方向倾斜 .为了获得较精确的倾斜角值 ,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δθ与绕样品表面法线旋转的角度 之间的准正弦函数 .为高分辨率透射电子显微镜 ( HRTEM)分析制备了 MBE法生长的 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As( 1- 12 ) B多层异质结的横截面薄膜 .Cd Te/ Ga As异质结的 HRTEM明场象表明 Cd Te( 1- 12 )缓冲层相对于 Ga As( 1- 12 )衬底朝 [1- 11- ]方向倾斜约 3°,并且在 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te异质结 ,Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te( 1- 12 )外延膜相对于 Cd Te( 1- 12 )缓冲层在 [11- 1]方向 ,即 [1- 11- ]的反方向倾斜约 1°.也分析了 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As多层膜之间的倾斜角关系 . 展开更多
关键词 分子束外延法 异质结 倾斜角 X射线双晶衍射法 HgCdTe/CdTe/GaAs多层膜 失配位错 镉 汞 碲 镓 砷
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碲锌镉衬底缺陷对液相外延碲镉汞薄膜结构的影响 被引量：15
5
作者 吴刚 唐利斌 +4 位作者 马庆华 赵增林 张梅 黄晖 姬荣斌 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第9期663-667,共5页
采用红外显微镜、X射线双晶回摆衍射法、X射线貌相术对CdZnTe衬底中的沉淀相、亚结构、组分偏析等缺陷进行了研究,并对用此衬底液相外延的HgCdTe薄膜作了测试。结果显示:CdZnTe衬底中亚晶界处聚集的位错在外延生长中呈发散状向薄膜中延... 采用红外显微镜、X射线双晶回摆衍射法、X射线貌相术对CdZnTe衬底中的沉淀相、亚结构、组分偏析等缺陷进行了研究,并对用此衬底液相外延的HgCdTe薄膜作了测试。结果显示:CdZnTe衬底中亚晶界处聚集的位错在外延生长中呈发散状向薄膜中延伸,造成了薄膜形成亚晶界和更大面积的由位错引起的晶格畸变应力区域,影响了薄膜结构的完整性。 展开更多
关键词 X射线双晶回摆衍射法 貌相术 CdZnTe衬底 HGCDTE薄膜 液相外延 Te沉淀相
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带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态 被引量：3
6
作者 成步文 姚飞 +6 位作者 薛春来 张建国 李传波 毛容伟 左玉华 罗丽萍 王启明 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期4350-4353,共4页
从固体模型理论的结果出发,计算了生长于Si(100)衬底上x值小于0.85的Si1-xGex合金材料(能带结构为类Si结构)的间接带隙与应变的关系,结果表明,应变的SiGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系.基于这一结果,提出... 从固体模型理论的结果出发,计算了生长于Si(100)衬底上x值小于0.85的Si1-xGex合金材料(能带结构为类Si结构)的间接带隙与应变的关系,结果表明,应变的SiGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系.基于这一结果,提出了用测量带隙来间接测定SiGeSi应变状态的方法.用带隙法和x射线双晶衍射法测量了不同应变状态下的SiGeSi多量子阱材料的应变弛豫度,两者可以较好的符合,表明带隙法测量SiGe应变弛豫度是可行的. 展开更多
关键词 SIGE合金 应变 带隙 SIGE/SI 合金材料 间接测定 带隙 SI1-XGEX x射线双晶衍射法 SI(100) 应变弛豫
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