电子电路中双极型三极管工作状态的判断 被引量：1

1

作者 李健 杨蕴玠 李秀芬 《乐山师范学院学报》 2001年第4期91-93,共3页

根据双极型三极管三种工作状态所要满足的条件，给出了判断其工作状态的两种方法，具有一定的实际意义和理论意义．

关键词 双极型三极管 工作状态 饱和 截止 放大

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双极型三极管饱和状态的探讨 被引量：1

2

作者 张大平 《广西师范学院学报（自然科学版）》 2002年第1期65-68,共4页

建立三极管的物理模型 ,分析讨论了三极管饱和时的偏置状态和载流子的运动规律 。

关键词 双极型三极管 饱和状态 物理模型 偏置状态 载流子 集电结 NPN型三极管 正偏

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基于双极型三极管的新型直流固态继电器电路的实现 被引量：1

3

作者 王海涛 曹斌照 刘海平 《科学技术与工程》 北大核心 2019年第18期218-221,共4页

在低电压控制高电压输出技术中,电磁继电器存在开关动作迟缓、触点易抖动和抗干扰能力弱的问题。依据双极型三极管的开关特性和光耦的光电能量转换原理,提出了一种直流固态继电器的电路实现方法,并对实际电路进行了测试。分析结果表明,... 在低电压控制高电压输出技术中,电磁继电器存在开关动作迟缓、触点易抖动和抗干扰能力弱的问题。依据双极型三极管的开关特性和光耦的光电能量转换原理,提出了一种直流固态继电器的电路实现方法,并对实际电路进行了测试。分析结果表明,该电路能够实现弱电对较强电压的通断控制,具有开关动作快,带负载能力强,导通时间短(可达到 1 ms)的优点。目前,该技术已成功应用于某地震勘探模拟爆炸机的自主研发电路设计中。 展开更多

关键词 电磁继电器 双极型三极管 固态继电器 开关动作

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Diodes推出采用新型PowerD15封装的双极型三极管

4

《电子元器件应用》 2010年第4期101-101,共1页

Diodes公司推出首款采用其微型PowerD15表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺，率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。首批采用新型PowerD15封装的... Diodes公司推出首款采用其微型PowerD15表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺，率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。首批采用新型PowerD15封装的NPN及PNP晶体管产品适用于数据通信、电信、电机驱动及电池充电器应用。 展开更多

关键词 表面贴装封装 双极型三极管 PNP晶体管 晶体三极管 高功率密度 电池充电器 设计人员 数据通信

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Diodes双极型三极管采用微型PowerDI5封装大幅节省占板空间

5

《电子与电脑》 2010年第4期62-62,共1页

Diodes推出首款采用其微型PowerD15表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺，率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。 PowerD15的占板空间仅有26mm^2... Diodes推出首款采用其微型PowerD15表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺，率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。 PowerD15的占板空间仅有26mm^2，比SOT223小47％，比DPA小60％；板外高度仅为1．1mm，远薄于165mm高的SOT223和2．3mm高的DPAK封装。 展开更多

关键词 表面贴装封装 双极型三极管 空间 微型 板 PNP晶体管 晶体三极管 高功率密度

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Diodes双极型三极管采用新型PowerDI5封装

6

《中国新通信》 2010年第5期56-56,共1页

Diodes公司推出首款采用其微型PowerDI5表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺,率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。

关键词 双极型三极管 表面贴装封装 PNP晶体管 晶体三极管 高功率密度 设计人员 第五代 NPN

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双极型三极管EM模型与GP模型分析和应用 被引量：4

7

作者 熊俊俏 戴丽萍 刘海英 《北华航天工业学院学报》 CAS 2010年第B07期52-54,59,共4页

论文结合双极型三极管的工艺结构,介绍了EM模型和GP模型,详细比较了EM模型的结构,重点介绍了GP模型的参数、电流、电阻和电容方程,并结合NE68119双极性三极管,以ADS2006A工具软件设计了900 MHz压控振荡器,结合其GP模型,进行了仿真,得到... 论文结合双极型三极管的工艺结构,介绍了EM模型和GP模型,详细比较了EM模型的结构,重点介绍了GP模型的参数、电流、电阻和电容方程,并结合NE68119双极性三极管,以ADS2006A工具软件设计了900 MHz压控振荡器,结合其GP模型,进行了仿真,得到了比较满意的效果,所做的工作对深化电子技术课程的教学改革具有一定的参考意义。 展开更多

关键词 双极型三极管 EM模型 GP模型 VCO

原文传递

双极型晶体三极管功耗的计算方法

8

作者 马桂珍 朱玲赞 段莹 《中国现代教育装备》 2009年第4期45-46,共2页

双极型晶体三极管的损坏大多是由于功耗过大所致,因此,正确地计算三极管的功耗是选择三极管的关键。本文对共射、共基和共集三种电路中晶体三极管的功耗问题进行了研究,分别推导了三极管功耗的计算公式。同时用EWB仿真的方法讨论了三极... 双极型晶体三极管的损坏大多是由于功耗过大所致,因此,正确地计算三极管的功耗是选择三极管的关键。本文对共射、共基和共集三种电路中晶体三极管的功耗问题进行了研究,分别推导了三极管功耗的计算公式。同时用EWB仿真的方法讨论了三极管工作在放大、饱和、截止3种状态下功耗计算的简化算法。 展开更多

关键词 双极型晶体三极管 功耗 EWB仿真

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有射极电阻的基本电路中双极型晶体三极管工作状态的一种判断方法

9

作者 骆最芬 《电子世界》 2012年第19期58-59,共2页

本文给出含有射极电阻的基本电路中双极型晶体三极管(BJT)工作状态的一种判断方法。对于有射极电阻的基本电路,如果只知道电路中电阻的阻值、BJT的电流放大倍数β和直流电源的电压值,可以先假设其中的BJT处于放大状态,求出BJT在放大状... 本文给出含有射极电阻的基本电路中双极型晶体三极管(BJT)工作状态的一种判断方法。对于有射极电阻的基本电路,如果只知道电路中电阻的阻值、BJT的电流放大倍数β和直流电源的电压值,可以先假设其中的BJT处于放大状态,求出BJT在放大状态下的集电极电流IC或基极电流IB,然后与临界饱和状态下的集电极电流ICS或基极电流IBS比较,如果IC<ICS(或IB<IBS),则BJT处于放大状态;否则BJT处于饱和状态。由于IC、ICS、IB、IBS只与直流电源的电压值和电路结构有关,因此,只要知道电路中电阻的阻值、BJT的电流放大倍数β和直流电源的电压值,就可以判断该电路中BJT的工作状态。 展开更多

关键词 射极电阻 基本电路 双极型晶体三极管 工作状态 方法

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带直流伺服电路的双极型晶体三极管功率放大器

10

作者 国民 《实用影音技术》 2001年第2期66-69,共4页

关键词 功率放大器 直流伺服电路 双极型晶体三极管

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三极管反向有源区的讨论

11

作者 文国富 《柳州师专学报》 1999年第2期95-96,共2页

通过对有源区放大系数的分析，导出了双极型三极管工作在反向有源区的电流放大系数。

关键词 双极型三极管 反向有源区 放大系数 三极管

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两种条件下的三极管

12

作者 曾昌禄 《西华大学学报（哲学社会科学版）》 1995年第2期22-23,共2页

在许多电子技术教材中,关于如图（1）所示（以NPN型管为例）集成电路的镜像恒流源电路,一般都只简单指出T₁三极管具有放大作用,而在另一些如集成对数、反对数运算电路中,这种集、基电极短接后的三极管又只当成... 在许多电子技术教材中,关于如图（1）所示（以NPN型管为例）集成电路的镜像恒流源电路,一般都只简单指出T₁三极管具有放大作用,而在另一些如集成对数、反对数运算电路中,这种集、基电极短接后的三极管又只当成一只二极管。这样短接后的三极管到底是三极管还是二极管,不少读者对此非常困惑。 展开更多

关键词 二极管 基电极 双极型三极管 镜像恒流源 放大作用 运算电路 集成电路 双极型晶体管 电子技术 数学模型

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三极管测试器

13

作者 艾伦·布鲁姆 《电子制作》 2014年第9期29-30,共2页

这是一个简单的双极型三极管测试器．可以测量三极管的好坏。测试时只需拔掉测试器上对应的三极管，插上待测三极管即可。如果能够从耳机中听到声音，说明待测三极管是好的，反之则是坏的。

关键词 双极型三极管 测试器 耳机

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特斯拉Model S驱动系统的结构与工作原理解析(四)

14

作者 蔡元兵 《汽车维修与保养》 2024年第3期55-57,共3页

(接上期)6.IGBT的概念与结构特性IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管是由GTR(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)的... (接上期)6.IGBT的概念与结构特性IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管是由GTR(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。 展开更多

关键词 绝缘栅双极型晶体管 功率半导体器件 饱和压降 开关速度 场效应管 双极型三极管 GTR 高输入阻抗

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电子技术基础(一)期末复习辅导

15

作者 沈雅芬 《现代远程教育研究》 1995年第11期61-64,共4页

现将电子技术基础—数字电子电路课程的复习要求按教材章节顺序汇总如下,另外,给大家出了一些复习练习题,供大家期末复习参考。一、各章复习要求第一章半导体二极管、三极管和 MOS管1.掌握二极管的单向导电特性,开关应用时的开关条件及... 现将电子技术基础—数字电子电路课程的复习要求按教材章节顺序汇总如下,另外,给大家出了一些复习练习题,供大家期末复习参考。一、各章复习要求第一章半导体二极管、三极管和 MOS管1.掌握二极管的单向导电特性,开关应用时的开关条件及开关工作状态下的特点。2.掌握双极型三极管(主要是 NPN 展开更多

关键词 电子技术基础 施密特触发器 电子电路课程 工作状态 双极型三极管 复习 半导体二极管 逻辑函数 逻辑功能 导电特性

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半导体器件原理及特性教学探讨

16

作者 王莉 陈虹 《科技信息》 2008年第16期192-192,203,共2页

模拟电子电路的核心原件是半导体器件,因此对半导体器件原理及特性的掌握至关重要。学生入门便是接触半导体器件知识,通常感觉生僻难懂、学习吃力,对以后器件的应用更是无法得心应手。本文主要介绍作者对这部分内容的教学心得,力主由简... 模拟电子电路的核心原件是半导体器件,因此对半导体器件原理及特性的掌握至关重要。学生入门便是接触半导体器件知识,通常感觉生僻难懂、学习吃力,对以后器件的应用更是无法得心应手。本文主要介绍作者对这部分内容的教学心得,力主由简到繁,并把半导体器件知识串接起来,让学生便于理解与识记。 展开更多

关键词 半导体器件 PN结 二极管 双极型三极管

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《摸拟电子技术基础》学习要点及例题分析

17

作者 郭淑珍 《现代远程教育研究》 1994年第2期42-45,共4页

第一章基本放大电路和多级放大电路一、学习要点1.双极型三极管的电流分配关系和放大作用,XPX型三极管共射输入、输出特性曲线和有关主要参数,PNP和NPN型三极管在电压、电流方向上的不同点。2.基本放大电路的组成原则。

关键词 基本放大电路 学习要点 电子技术基础 例题分析 多级放大电路 静态工作点 输出特性曲线 双极型三极管 电压串联负反馈 电压放大倍数

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海森AVT-818型双模接收机电源原理与检修

18

作者 郑秀峰 《家电维修》 2015年第11期37-37,共1页

海森AvT-818型双模接收机既可以接收中星九号ABS信号，也可以接收DVB信号，其开关电源以SW2604A为核心元件。SW2604A是采用双极型三极管作为开关管的电流控制型PWM电源管理芯片，该芯片采用8脚双列直插式（8DIP）封装，引脚功能为：①脚... 海森AvT-818型双模接收机既可以接收中星九号ABS信号，也可以接收DVB信号，其开关电源以SW2604A为核心元件。SW2604A是采用双极型三极管作为开关管的电流控制型PWM电源管理芯片，该芯片采用8脚双列直插式（8DIP）封装，引脚功能为：①脚（VST）启动电流输入端，外接启动电阻，②脚（VCC）供电端， 展开更多

关键词 接收机 电源原理 双模 电源管理芯片 检修 双极型三极管 电流控制型 开关电源

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西南地区首颗自研自产IGBT元件年内将量产

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《变频器世界》 2022年第8期58-58,共1页

据重庆日报报道,重庆万国半导体科技有限公司(以下简称“重庆万国”)已成功造出西南地区首颗独立开发、设计并自行完成晶圆制造与封装测试的IGBT元件。目前该IGBT元件通过用户试用,预计今年年内实现量产。IGBT元件是绝缘栅双极型晶体管... 据重庆日报报道,重庆万国半导体科技有限公司(以下简称“重庆万国”)已成功造出西南地区首颗独立开发、设计并自行完成晶圆制造与封装测试的IGBT元件。目前该IGBT元件通过用户试用,预计今年年内实现量产。IGBT元件是绝缘栅双极型晶体管的英文名缩写,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管,组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。 展开更多

关键词 绝缘栅双极型晶体管 功率半导体器件 场效应管 IGBT元件 晶圆制造 双极型三极管 封装测试 重庆日报

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MP3/MP4播放器常用三极管及场效应管介绍(下) 被引量：1

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作者 李伟 《家电检修技术》 2011年第4期16-17,共2页

JFET的概念图和符号，如图5所示。 4．场效应管的型号命名方法 现行场效应管有两种命名方法：第一种命名方法与双极型三极管相同。第一位为数字“3”。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅，反型层是P字母沟道。... JFET的概念图和符号，如图5所示。 4．场效应管的型号命名方法 现行场效应管有两种命名方法：第一种命名方法与双极型三极管相同。第一位为数字“3”。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅，反型层是P字母沟道。第三位字母表示种类：J字母代表结型场效应管； 展开更多

关键词 结型场效应管 双极型三极管 MP4播放器 MP3 命名方法 JFET N沟道 反型层

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