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双极型静电感应晶体管动态性能的物理研究 被引量：3
1
作者 江俊辉 《微计算机信息》 北大核心 2006年第05Z期261-263,共3页
双极型静电感应晶体管动态性能的研究体现在对动态参数的分析上,本文对开关特性,容量,量及开关损耗等动态参数进行了详细分析,从物理的角度阐述了这几个动态参数的意义,对实际应用有指导作用。
关键词 物理研究 动态性能 动态参数 双极型静电感应晶体管
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双极型静电感应晶体管的开关特性 被引量：2
2
作者 陈永真 宁武 孟丽囡 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2003年第6期83-85,共3页
根据双极型静电感应晶体管的通断特性,提出了开关特性的测试方法。测试和给出了GJI2D双极型静电感应晶体管的开关参数、曲线和反偏参数。将GJI2D与国外的双极型晶体管和功率场效应管进行了比较。
关键词 电力半导体器件 开关特性/双极型静电晶体管 安全工作区
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双极型静电感应晶体管特性转变机理分析
3
作者 李成 李思渊 《半导体杂志》 1998年第4期4-6,21,共4页
本文对双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）的工作机理进行了二维分析，给出了明确的ＢＳＩＴ从单极作用机制到双极作用机制的转变过程的物理图象。得到了作用机制转变时的栅压、势分布以及载流子和电场分布等的数值计算结果。
关键词 双极型 晶体管 静电感应晶体管 工作机制转变
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双极型静电感应晶体管开关时间的测量与分析
4
作者 姜岩峰 李思渊 +1 位作者 李海蓉 刘肃 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期25-28,共4页
从理论和实验两方面对静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）的开关时间进行了分析和测量，提出了简单的分析方法，将影响ＢＳＩＴ开关时间的各个因素归结为结构因子和材料因子，从而简化了分析影响ＢＳＩＴ开关时间的因素，对于ＢＳＩＴ的实际工... 从理论和实验两方面对静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）的开关时间进行了分析和测量，提出了简单的分析方法，将影响ＢＳＩＴ开关时间的各个因素归结为结构因子和材料因子，从而简化了分析影响ＢＳＩＴ开关时间的因素，对于ＢＳＩＴ的实际工艺、结构设计有指导意义。 展开更多
关键词 BSIT 开关时间 势垒 双极型 静电感应晶体管
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双极型静电感应晶体管的研制 被引量：2
5
作者 李思渊 桑保生 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1993年第1期43-44,46,共3页
关键词 电力晶体管 双极型 静电感应 制造
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双极型静电感应晶体管的温度特性 被引量：1
6
作者 朱淑玲 姜岩峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期30-32,35,共4页
通过双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）与普通双极型晶体管（ＢＪＴ）温度特性的对比，研究了ＢＳＩＴ的温度特性。由实验看出，影响ＢＳＩＴ温度特性的主要因素是载流子迁移率μ和由源极越过势垒的电子数目ｎ。以此可解释几个在观察Ｂ... 通过双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）与普通双极型晶体管（ＢＪＴ）温度特性的对比，研究了ＢＳＩＴ的温度特性。由实验看出，影响ＢＳＩＴ温度特性的主要因素是载流子迁移率μ和由源极越过势垒的电子数目ｎ。以此可解释几个在观察ＢＳＩＴ温度特性时所遇到的现象。 展开更多
关键词 双极型 静电感应晶体管 温度特性 迁移率 BSIT
全文增补中
双极型静电感应晶体管：实验和二维分析法
7
作者 Kin,C－W 张丽恩 《红讯半导体》 1991年第1期53-60,共8页
关键词 双极型 静电感应 晶体管 二维分析
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一种新型电子节能灯用晶体管—双极型静电感应晶体管(BSIT)
8
作者 周子波 《微电子技术》 1996年第6期13-19,共7页
本文简要叙述了开发和研制BSIT的市场背景和技术现状；对BSIT（BipolarStaticInductionTransistor）器件模型进行了理论分析；对BSIT器件的设计和制作工艺进行了探讨，并分析了BSIT器件的工作原理和特性；介绍了BSIT器件的应用和上灯试... 本文简要叙述了开发和研制BSIT的市场背景和技术现状；对BSIT（BipolarStaticInductionTransistor）器件模型进行了理论分析；对BSIT器件的设计和制作工艺进行了探讨，并分析了BSIT器件的工作原理和特性；介绍了BSIT器件的应用和上灯试用情况。 展开更多
关键词 电子节能灯 双极型 静电感应晶体管 BSIT
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静电感应晶体管(SIT)作用机制的理论研究 被引量：3
9
作者 李思渊 孙卓 刘肃 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1994年第2期34-38,共5页
对静电感应晶体管(SIT)的小电流工作区,从电势方程出发,利用设定的边界条件,导出了二维势函数的近似解析表达式,并以此为据对SIT的作用机制进行了系列分析,进而对SIT的中、大电流工作区及特大电流工作区进行了讨论.指出大电流时,SIT的电... 对静电感应晶体管(SIT)的小电流工作区,从电势方程出发,利用设定的边界条件,导出了二维势函数的近似解析表达式,并以此为据对SIT的作用机制进行了系列分析,进而对SIT的中、大电流工作区及特大电流工作区进行了讨论.指出大电流时,SIT的电流-电压特性与空间电荷限制效应密切相关. 展开更多
关键词 静电感应 晶体管 工作模式
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静电感应晶体管I-V特性的控制 被引量：3
10
作者 刘瑞喜 李思渊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期14-18,共5页
静电感应晶体管（ＳＩＴ）的Ｉ－Ｖ特性（包括类三极管、类五极管以及三－五极管的混合特性）与器件的结构及参数密切相关。沟道长度ｌｃ、沟道厚度ｄｃ、比值ｌｃ／ｄｃ以及沟道掺杂浓度ＮＤ等均为确定ＳＩＴ工作方式的重要参数。给出... 静电感应晶体管（ＳＩＴ）的Ｉ－Ｖ特性（包括类三极管、类五极管以及三－五极管的混合特性）与器件的结构及参数密切相关。沟道长度ｌｃ、沟道厚度ｄｃ、比值ｌｃ／ｄｃ以及沟道掺杂浓度ＮＤ等均为确定ＳＩＴ工作方式的重要参数。给出了上述参数控制的一般原则、方法，引入了一个控制因子β，特别是对混合特性的控制进行了讨论。 展开更多
关键词 静电感应晶体管 I-V特性 SIT 晶体管
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一种新型结构的静电感应晶体管 被引量：1
11
作者 唐莹 刘肃 +2 位作者 李思渊 吴蓉 常鹏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期918-922,共5页
提出了一种新型结构的静电感应器件,设计了一道环绕的深槽,用以切断寄生效应.静电感应器件的寄生效应会导致器件性能的劣化甚至失效,文中提出了寄生效应的模型,并用PSPICE进行了仿真模拟,数值模拟结果和实验结果一致.实验表明这种深槽... 提出了一种新型结构的静电感应器件,设计了一道环绕的深槽,用以切断寄生效应.静电感应器件的寄生效应会导致器件性能的劣化甚至失效,文中提出了寄生效应的模型,并用PSPICE进行了仿真模拟,数值模拟结果和实验结果一致.实验表明这种深槽结构能够有效截断寄生路径,消除寄生电流的影响,优化器件性能.同时,文章详细描述了这种器件的设计和制造工艺. 展开更多
关键词 静电感应晶体管 深槽结构 寄生效应 深槽腐蚀
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用二维全带组合Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN静电感应晶体管(SIT)特性 被引量：1
12
作者 郭宝增 孙荣霞 Umberto Ravaioli 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期1121-1124,共4页
报告了用二维全带组合MonteCarlo方法模拟纤锌矿相GaN静电感应晶体管 (SITs)交直流特性的结果 .SIT的栅极长度为 0 13μm ,源极和漏极之间距离为 0 5 μm .模拟得到了SIT的输出特性 ,跨导和特征频率特性 .模拟得到的跨导最大值为 14 0... 报告了用二维全带组合MonteCarlo方法模拟纤锌矿相GaN静电感应晶体管 (SITs)交直流特性的结果 .SIT的栅极长度为 0 13μm ,源极和漏极之间距离为 0 5 μm .模拟得到了SIT的输出特性 ,跨导和特征频率特性 .模拟得到的跨导最大值为 14 0ms/mm(Vgs=- 1.5V) ,器件特征频率最大值为 12 3GHz(Ids=3 15A/cm) . 展开更多
关键词 MONTECARLO模拟 氮化镓 静电感应晶体管 化合物半导体
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静电感应晶体管(SIT)电性能的控制 被引量：1
13
作者 李思渊 刘瑞喜 李海蓉 《甘肃教育学院学报（自然科学版）》 1998年第1期32-39,共8页
静电感应晶体管（SIT）的I－V特性（包括类三极管、类五极管以及三一五极管的混合特性）与器件的结构密切相关．沟道长度lc、沟道宽度dc、比值lc／dc以及沟道掺杂浓度ND等均为确定SIT运用方式的重要参数．如何控制这些参数并达到最佳匹... 静电感应晶体管（SIT）的I－V特性（包括类三极管、类五极管以及三一五极管的混合特性）与器件的结构密切相关．沟道长度lc、沟道宽度dc、比值lc／dc以及沟道掺杂浓度ND等均为确定SIT运用方式的重要参数．如何控制这些参数并达到最佳匹配进而实现优良的I－V特性，是个关键而且困难的问题．本文给出了上述参数控制的一般原则、方法，还给出了控制的判据，引人了一个控制因子β，特别是对混合特性的控制问题进行了详细的讨论．由于混合特性低的通态电阻和高的AC功率效率，它更为适于低阻负载直接驱动电路． 展开更多
关键词 静电感应晶体管 电性能 SIT 沟道长度 沟道宽度
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短漂移区静电感应晶体管的特性研究
14
作者 张琳娇 杨建红 +1 位作者 刘亚虎 朱延超 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期194-198,共5页
为了满足静电感应晶体管(SIT)在中小功率高频领域的应用需求,基于SIT的工作原理以及中小功率高频应用对器件的性能要求,设计一款工作频率为600～800 MHz、通态电流I≈2 A、柵源击穿电压BVgso≈10 V、漏源击穿电压BVdso为100～120 V的常... 为了满足静电感应晶体管(SIT)在中小功率高频领域的应用需求,基于SIT的工作原理以及中小功率高频应用对器件的性能要求,设计一款工作频率为600～800 MHz、通态电流I≈2 A、柵源击穿电压BVgso≈10 V、漏源击穿电压BVdso为100～120 V的常开型SIT。为了满足上述参数要求,设计了漂移区长度为4μm、有源区总厚度为10μm、单元周期为10μm的短漂移区SIT器件。通过数值模拟,研究了短漂移区SIT的电学特性,并与长漂移区SIT的电学特性做了比较和讨论。结果表明,短漂移区SIT具有通态电阻小、功耗小、线性度好、频率高的优点,在中小功率高频领域具有应用意义。 展开更多
关键词 静电感应晶体管(SIT) 短漂移区 势垒 I-V特性 响应时间
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埋栅结构静电感应晶体管耐压容量与I-V特性的改善
15
作者 王永顺 陈占林 汪再兴 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期252-256,共5页
静电感应晶体管(SIT)有源区外围边界各种寄生电流的存在,不仅造成了阻断态下漏电增大,导致I-V特性异常,造成器件性能劣化,并且降低了器件的成品率。在器件有源区周围设计了保护沟槽,形成了槽台结构的孤岛,从物理上有效地切断了可能的寄... 静电感应晶体管(SIT)有源区外围边界各种寄生电流的存在,不仅造成了阻断态下漏电增大,导致I-V特性异常,造成器件性能劣化,并且降低了器件的成品率。在器件有源区周围设计了保护沟槽,形成了槽台结构的孤岛,从物理上有效地切断了可能的寄生电流,改善了器件的耐压能力,优化了I-V特性。槽台结构通过对表面的台面造型来控制表面电场,能有效提高器件的击穿电压,改善器件电性能。 展开更多
关键词 静电感应晶体管 保护沟槽 寄生电流 耐压容量
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大有发展前途的新型半导体器件——静电感应晶体管和静电感应晶闸管
16
作者 方凯 王荣 罗永春 《微处理机》 1990年第2期32-39,共8页
为了满足和推动电子器件向高频大功率方向发展,寻求一种新型晶体管,即静电感应晶体管(static induction transistor:SIT),也称为第三种类型晶体管。本文较为详细的阐述其组成结构工作原理和实验特性。并指出结构设计和工艺概要。
关键词 静电感应晶体管 静电感应晶闸管 半导体器件 transistor 功率方向 场效应晶体管 结构设计 多数载流子 极型 五极管
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基于硅衬底静电感应晶体管器件仿真与研究 被引量：2
17
作者 王富强 瞿宜斌 马行空 《电子科技》 2016年第4期12-15,共4页
针对静电感应晶体管理论研究迟滞于实践过程,文中利用软件Silvaco Tcad,从器件仿真入手,对影响硅基表面栅静电感应晶体管器件电学性能进行了理论研究。仿真得到了反偏栅压约为0 V、漏电压<20 V时,器件表现类五极管饱和特性曲线,器件... 针对静电感应晶体管理论研究迟滞于实践过程,文中利用软件Silvaco Tcad,从器件仿真入手,对影响硅基表面栅静电感应晶体管器件电学性能进行了理论研究。仿真得到了反偏栅压约为0 V、漏电压<20 V时,器件表现类五极管饱和特性曲线,器件电流约为10^(-5)A,此时沟道状态为预夹断。当反偏栅压为-1.5 V、漏电压逐渐增大到300 V时,器件表现为类三极管不饱和特性曲线,器件电流约为10^(-6)A,此时沟道状态为完全夹断,研究结果静电感应晶体管工艺实践提供了参考。 展开更多
关键词 静电感应晶体管 沟道势垒 器件仿真
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静电感应晶体管高频功率参数的控制
18
作者 孟雄晖 李思渊 姜岩峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期28-32,共5页
以对静电感应晶体管（ＳＩＴ）的直流参数的研究为基础，详细研究了与ＳＩＴ高频性能有关的参数的控制与调节。在高频状态下，器件引线寄生电感的影响变得严重，使得对器件的封装有了新的要求，本文对这一问题也进行了探讨。
关键词 SIT 功率增益 封装 静电感应晶体管
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宽温超高频双极静电感应晶体管研制
19
作者 丛众 王荣 +2 位作者 吴春瑜 闫东梅 王大奇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期24-27,共4页
描述了宽温超高频ｐｎｐ双极静电感应晶体管的结构、工作原理、设计与制造。测试结果表明，环境温度从２３℃升到１８０℃时，器件的ｈＦＥ随温度平均变化率小于４０％，优于同类型的常规双极结型晶体管，平均改善３０％。
关键词 双极静电感应 本征栅势垒 沟道宽度 BSIT 晶体管
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槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管
20
作者 杨涛 刘肃 +2 位作者 李思渊 王永顺 李海蓉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期65-67,共3页
传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管。使用V形槽工艺,用溅射铝的方法代替扩硼工艺制备静电感应晶体管... 传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管。使用V形槽工艺,用溅射铝的方法代替扩硼工艺制备静电感应晶体管的栅极区,简化了工艺流程,使器件在调试过程中具有很大灵活性。使用PECVD(等离子体增强化学气相淀积)工艺,解决了槽栅结构静电感应晶体管的栅极区与源极区容易短路的问题。给出了详细的工艺流程。 展开更多
关键词 静电感应晶体管 V形槽 等离子体增强化学气相淀积 肖特基势垒
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