期刊文献+
共找到24篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
0.5μm部分耗尽SOI MOSFET中的寄生双极效应 被引量:1
1
作者 洪根深 顾爱军 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期131-134,共4页
0.5μm部分耗尽SOI MOSFET的寄生双极效应严重影响了SOI器件和电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。文中显示,影响0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET寄生的双极器件特性的因素很多,包括NMOSFET的栅上电压、漏端电压和体接触等,尤其以体接触最为... 0.5μm部分耗尽SOI MOSFET的寄生双极效应严重影响了SOI器件和电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。文中显示,影响0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET寄生的双极器件特性的因素很多,包括NMOSFET的栅上电压、漏端电压和体接触等,尤其以体接触最为关键。在器件处于浮体状态时,0.5μm SOI NMOSFET的寄生双极器件很容易被触发,导致单管闭锁。因此,在设计抗辐射SOI电路时,需要尽量降低SOI NMOSFET寄生双极效应,以提高电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。 展开更多
关键词 绝缘体上硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 双极效应 NPN晶体管 抗辐射
在线阅读 下载PDF
基于SOI的双极场效应晶体管 被引量:1
2
作者 曾云 滕涛 +2 位作者 晏敏 高云 尚玉全 《微细加工技术》 2004年第4期16-21,共6页
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件———双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底... 在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件———双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件———基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理。与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。 展开更多
关键词 双极MOS场效应晶体管 绝缘衬底上的硅 体硅 固体电子器件
在线阅读 下载PDF
MWNTs-SiO_2-Si结构中的双极电阻效应 被引量:1
3
作者 王震 朱鹏飞 +2 位作者 张朝民 祝昆 宋培 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第3期36-39,共4页
MWNTs(多壁碳纳米管)-SiO2-Si结构被激光照射后产生双极电阻效应(BRE)。MWNTs-SiO2-Si结构对绿光波长附近的激光有很强的吸收率,测得的最高灵敏度达到32 630?/mm。通过实验测出了BRE的三维表面图,并对水平和垂直方向的截面图进行了电阻... MWNTs(多壁碳纳米管)-SiO2-Si结构被激光照射后产生双极电阻效应(BRE)。MWNTs-SiO2-Si结构对绿光波长附近的激光有很强的吸收率,测得的最高灵敏度达到32 630?/mm。通过实验测出了BRE的三维表面图,并对水平和垂直方向的截面图进行了电阻灵敏度分析。根据平衡状态下的电子分布模型提出了MWNTs-SiO2-Si结构的能带图。结合实验结果和理论模型,用有效电子密度理论解释了双极电阻效应的机理。 展开更多
关键词 双极电阻效应 多壁碳纳米管 有效电子密度 能带 位移传感器 电阻调节器
在线阅读 下载PDF
22nm全耗尽型绝缘体上硅器件单粒子瞬态效应的敏感区域
4
作者 张博翰 梁斌 +1 位作者 刘小年 方亚豪 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期146-152,共7页
基于3D-TCAD模拟,研究了22 nm全耗尽型绝缘体上硅(fully depleted silicon-on-insulator,FDSOI)器件单粒子瞬态(single-event transient,SET)效应的敏感性区域。对比了使用单管和使用反相器来研究器件SET敏感性区域的方法,从而分析实际... 基于3D-TCAD模拟,研究了22 nm全耗尽型绝缘体上硅(fully depleted silicon-on-insulator,FDSOI)器件单粒子瞬态(single-event transient,SET)效应的敏感性区域。对比了使用单管和使用反相器来研究器件SET敏感性区域的方法,从而分析实际电路中重离子轰击位置对22 nm FDSOI器件SET敏感性的影响,并从电荷收集机制的角度进行了解释。深入分析发现寄生双极放大效应对重粒子轰击位置敏感是造成器件不同区域SET敏感性不同的原因。而单管漏极接恒压源造成漏极敏感性增强是导致单管与反相器中器件SET敏感区域不同的原因。修正了FDSOI工艺下器件SET敏感性区域的研究方法,与单管相比,采用反相器进行仿真,结果更符合实际情况,这将为器件SET加固提供理论指导。 展开更多
关键词 单粒子瞬态 电荷收集 双极放大效应 敏感区域 全耗尽型绝缘体上硅
在线阅读 下载PDF
一种新型隧穿场效应晶体管
5
作者 卜建辉 许高博 +4 位作者 李多力 蔡小五 王林飞 韩郑生 罗家俊 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第3期185-188,共4页
提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区),从而减小甚至阻断反向栅压情况下漏端到体端的带带隧穿(BTBT),减弱TFET的双极效应,实现大幅度降低器件... 提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区),从而减小甚至阻断反向栅压情况下漏端到体端的带带隧穿(BTBT),减弱TFET的双极效应,实现大幅度降低器件泄漏电流的目的。利用TCAD仿真工具对基于部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)和全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)的TFET和新型TFET结构进行了仿真与对比。仿真结果表明,当隔离区宽度为2 nm,高度大于10 nm时,可阻断PDSOI TFET的BTBT,其泄漏电流下降了4个数量级;而基于FDSOI的TFET无法彻底消除BTBT和双极效应,其泄漏电流下降了2个数量级。因此新型结构更适合于PDSOI TFET。 展开更多
关键词 隧穿场效应晶体管(TFET) 绝缘体上硅(SOI) 泄漏电流 带带隧穿(BTBT) 双极效应
在线阅读 下载PDF
90纳米CMOS双阱工艺下STI深度对电荷共享的影响 被引量:1
6
作者 刘衡竹 刘凡宇 +1 位作者 刘必慰 梁斌 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期136-139,共4页
基于3维TCAD器件模拟,研究了90nm CMOS双阱工艺下STI对电荷共享的影响。研究结果表明:增大STI深度能有效抑制NMOS电荷共享,且550nm为抑制电荷共享的有效深度,超过这个深度收集的电荷量几乎保持不变;而对于PMOS,STI深度的增加使电荷共享... 基于3维TCAD器件模拟,研究了90nm CMOS双阱工艺下STI对电荷共享的影响。研究结果表明:增大STI深度能有效抑制NMOS电荷共享,且550nm为抑制电荷共享的有效深度,超过这个深度收集的电荷量几乎保持不变;而对于PMOS,STI深度的增加使电荷共享线性减小。这对于电荷共享加固具有重要指导意义。 展开更多
关键词 电荷共享 单粒子效应 浅沟槽隔离(STI) 双极效应
在线阅读 下载PDF
放电通道的波动性与电火花加工机理 被引量:37
7
作者 亓利伟 楼乐明 李明辉 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第7期989-992,997,共5页
基于放电通道的波动特性 ,并考虑放电通道中等离子体的双极扩散效应 ,对电火花加工机理进行了研究 .指出放电通道的波动可以分解成纵波和横波 2个分量 ,并分别分析了短、长脉冲加工时横波和纵波对材料蚀除的不同影响 .提出放电通道位形... 基于放电通道的波动特性 ,并考虑放电通道中等离子体的双极扩散效应 ,对电火花加工机理进行了研究 .指出放电通道的波动可以分解成纵波和横波 2个分量 ,并分别分析了短、长脉冲加工时横波和纵波对材料蚀除的不同影响 .提出放电通道位形和位形平衡的概念 .根据计算机仿真实验 ,得出了短、长脉冲加工时瞬时放电通道半径、放电通道位形半径以及最终放电痕半径三者之间的关系 . 展开更多
关键词 电火花加工 波动性 放电通道位形 加工机理 双极扩散效应
在线阅读 下载PDF
65nm三阱CMOS静态随机存储器多位翻转实验研究
8
作者 李丽丽 郭刚 +5 位作者 蔡莉 池雅庆 刘建成 史淑廷 惠宁 韩金华 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期909-915,共7页
利用4种不同线性能量转换值的重离子对一款65nm三阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转图形、位置和事件数与器件结构布局结合对器件单粒子翻转截面、单粒子事件截面及多位翻转机理进行深入分析。结果表明,单... 利用4种不同线性能量转换值的重离子对一款65nm三阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转图形、位置和事件数与器件结构布局结合对器件单粒子翻转截面、单粒子事件截面及多位翻转机理进行深入分析。结果表明,单粒子事件截面大于单个存储单元内敏感结点面积,单粒子翻转截面远大于单个存储单元面积。多位翻转事件数和规模的显著增长导致单粒子翻转截面远大于单粒子事件截面,多位翻转成为SRAM单粒子翻转的主要来源。结合器件垂直阱隔离布局及横向寄生双极晶体管位置,分析得到多位翻转主要由PMOS和NMOS晶体管的双极效应引起,且NMOS晶体管的双极效应是器件发生多位翻转的主要原因。 展开更多
关键词 多位翻转 静态随机存储器 三阱 双极效应 重离子
在线阅读 下载PDF
BJMOSFET频率特性的模拟分析 被引量:2
9
作者 曾云 尚玉全 +3 位作者 晏敏 盛霞 滕涛 高云 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期33-36,共4页
提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOS FET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法... 提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOS FET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法对BJMOSFET的频率特性进行了模拟仿真,与相同结构参数和同等外界条件的传统MOSFET比较,BJMOSFET具有较小的总电容、较宽的通频带、良好的小信号瞬态特性和很小的大信号失真,证明了BJMOSFET比MOSFET具有更好的频率响应特性. 展开更多
关键词 双极MOS场效应晶体管 频率特性 模拟分析
在线阅读 下载PDF
BJMOSFET温度特性分析及计算机模拟 被引量:1
10
作者 曾云 高云 +3 位作者 晏敏 盛霞 滕涛 尚玉全 《电子器件》 CAS 2004年第3期493-497,共5页
对兼有双极型和场效应型两种器件特点的双极 MOS场效应晶体管 ( BJMOSFET)的电流和阈值电压的温度特性进行了详细分析 ,推导出它们随温度变化率的解析表达式。建立 BJMOSFET的直流小信号模拟分析等效电路和频率特性模拟分析等效电路 ,... 对兼有双极型和场效应型两种器件特点的双极 MOS场效应晶体管 ( BJMOSFET)的电流和阈值电压的温度特性进行了详细分析 ,推导出它们随温度变化率的解析表达式。建立 BJMOSFET的直流小信号模拟分析等效电路和频率特性模拟分析等效电路 ,采用通用电路仿真软件 PSpice9,对 BJMOSFET的输出特性、瞬态特性和幅频特性随温度的变化进行了计算机模拟 ,得到了随温度变化的特性曲线 ,并且理论分析与计算机模拟取得了一致的结果。相对传统 MOS-FET,证明了 BJMOSFET具有较好的温度特性。 展开更多
关键词 双极MOS场效应晶体管 温度特性 理论分析 计算机模拟
在线阅读 下载PDF
高电流增益SiC BMFET功率特性的优化研究
11
作者 张林 谷文萍 +3 位作者 徐小波 李清华 高云霞 胡笑钏 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期558-561,共4页
研究了栅电流及结构参数对SiC双极模式场效应晶体管(BMFET)功率特性的影响。仿真研究的结果表明,SiC BMFET器件的开态电阻和电流增益都会随着栅电流的上升而显著下降。沟道掺杂浓度越低,沟道宽度越窄,双极模式调制器件开态电阻的效果越... 研究了栅电流及结构参数对SiC双极模式场效应晶体管(BMFET)功率特性的影响。仿真研究的结果表明,SiC BMFET器件的开态电阻和电流增益都会随着栅电流的上升而显著下降。沟道掺杂浓度越低,沟道宽度越窄,双极模式调制器件开态电阻的效果越明显,但同时电流增益会降低。相比于单极模式SiC结型场效应晶体管(JFET),SiC BMFET可以显著提升器件的FOM优值,降低器件功率特性对结构参数的敏感度,同时降低了常关型器件的设计难度。 展开更多
关键词 碳化硅 双极模式场效应晶体管 电流增益
在线阅读 下载PDF
短沟道SOI BJMOSFET的阈值电压
12
作者 曾云 李晓磊 +2 位作者 张燕 张国樑 王太宏 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期831-834,共4页
提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET阈值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Math-ematica软件进行数值模拟得到阈值电压的特性曲线。通过理论分... 提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET阈值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Math-ematica软件进行数值模拟得到阈值电压的特性曲线。通过理论分析和计算机模拟,证明短沟道SOI BJMOSFET阈值电压的可控性很强,更适用于现代ULSI低压低功耗的要求。 展开更多
关键词 短沟道 绝缘衬底上硅 双极MOS场效应晶体管 阈值电压
原文传递
Yb和Ni共掺杂对α-MgAgSb室温热电材料的性能调控研究
13
作者 睢润庆 吴丹丹 张勤勇 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第3期28-32,共5页
单一Yb元素掺杂能有效提升α-MgAgSb室温热电材料的热电性能,但Yb元素在α-MgAgSb中较小的固溶度严重限制性能的进一步提升。本文采用Yb和Ni共掺杂来适当增加Yb掺杂元素的固溶度,提高α-MgAgSb的热电性能。结果表明,Yb和Ni原子质量和大... 单一Yb元素掺杂能有效提升α-MgAgSb室温热电材料的热电性能,但Yb元素在α-MgAgSb中较小的固溶度严重限制性能的进一步提升。本文采用Yb和Ni共掺杂来适当增加Yb掺杂元素的固溶度,提高α-MgAgSb的热电性能。结果表明,Yb和Ni原子质量和大小差异均会引起声子散射,极大地降低了α-MgAgSb的热导率,而且Yb和Ni共掺杂能延后双极效应。通过Yb和Ni共掺杂,α-MgAgSb的热电优值峰值达到1.05。 展开更多
关键词 共掺杂 热电材料 热导率 溶解度 双极效应
在线阅读 下载PDF
MOS型功率半导体器件的最新进展
14
作者 安涛 王彩琳 《集成电路通讯》 2002年第3期36-41,共6页
综述了MOS型功率半导体器件的最新发展动态,重点介绍了几种新型的器件,如EXTFET、COOL-MOS、IEGT、MCD等,分析了这些器件的结构特点、工作原理以及进一步发展所要解决的主要难题。最后指出了MOS型功率半导体器件未来的发展趋势。
关键词 MOS型功率半导体器件 双极-场效应复合器件 功率MOSFET 发展趋势
在线阅读 下载PDF
一种用于CMOS图像传感器的新结构光电器件
15
作者 李晓磊 曾云 +1 位作者 张燕 王太宏 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期487-489,共3页
提出了一种用于CMOS图像传感器的新结构光电探测器件——双极光栅场效应晶体管。通过在器件中引入pn结,有效地增加了光生电荷的读出速率,因而与传统光栅晶体管相比,双极光栅晶体管具有工作速度快、响应灵敏度高、读出电路简单等优点。
关键词 CMOS图像传感器 光电探测器 双极光栅场效应晶体管 响应灵敏度
在线阅读 下载PDF
Statistical Modeling of the High Altitude Platform Dual-Polarized MIMO Propagation Channel 被引量:4
16
作者 Mingchuan Yang Shuo Zhang +2 位作者 Xinye Shao Qing Guo Wenyan Tang 《China Communications》 SCIE CSCD 2017年第3期43-54,共12页
In order to investigate the benefit of multiple-input multiple-output(MIMO) technique applying to the high altitude platform(HAP), a 2×2 MIMO statistical model, which can accurately describe the channel between H... In order to investigate the benefit of multiple-input multiple-output(MIMO) technique applying to the high altitude platform(HAP), a 2×2 MIMO statistical model, which can accurately describe the channel between HAP and high-speed train, is presented. And dual polarization diversity is particularly considered. Based on first-order three-state Markov chain, the single-input single-output(SISO) channel, a subset of the MIMO channel is first established. The ray tracing approach applied to the digital relief model(DRM) which covers the railway between Xi'an and Zhengzhou is used to obtain the state probability vector and matrix of the state transition probability. The proposed model considers both Doppler shift and temporal correlation, and the polarization correlation and spatial correlation statistical properties of large-scale fading and smallscale fading are analyzed. Moreover, useful numerical results on the MIMO HAP channel outage capacity are provided based on which, significant capacity gains with respect to the conventional SISO case are illustrated. Such statistical channel model can be applied to the future wireless communication system between HAP and high-speed train. 展开更多
关键词 high altitude platform(HAP) channel model multiple-input multiple-output(MIMO) polarization diversity
在线阅读 下载PDF
一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现
17
作者 韩成功 郭清 +3 位作者 韩雁 张斌 张世峰 胡佳贤 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期436-440,共5页
对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process c... 对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process control module)片上的HV-PMOS击穿电压达到了185V,阈值为6.5V。整体扫描驱动芯片的击穿电压达到了180V,满足了设计要求。 展开更多
关键词 高压P沟道金属氧化物场效应晶体管 半导体工艺及器件模拟工具 等离子扫描驱动芯片 双极-互补金属氧化物场效应晶体管-双扩散金属氧化物场效应晶体管工艺
在线阅读 下载PDF
High Power Density Three-Level Three-Phase AC-DC 48 V Power Supply
18
作者 Alessandro Lidozzi Andrea Romanelli Luca Solero 《Journal of Energy and Power Engineering》 2012年第10期1624-1634,共11页
International standards impose several constraints concerning the electric power quality and require that the harmonic content of the line current of grid connected equipment is below assigned limits; for this reason,... International standards impose several constraints concerning the electric power quality and require that the harmonic content of the line current of grid connected equipment is below assigned limits; for this reason, operating of AC-DC converters with high power factor and low line current distortion has become essential. In this paper, the prototypal realization of a three-phase AC-DC 48 V power electronic converter for telecom system supplying is described and experimental testing results are discussed. The main constraints in the power supply design are the required power density of about 900 W per dm3 as well as the absence of the neutral wire in the supply grid. The carried out investigation is focused on three-level power converter configurations which are considered in order to reduce voltage rating of power switches. As a result of the reduced voltage, low on-resistance metal-oxide-semiconductor field effect transistors can be used in the power stage, solution which allows to achieve improved efficiency as well as increased switching frequency with respect to the insulated gate bipolar transistors based two-level topologies. 展开更多
关键词 Power electronics power factor correction three-level converter efficiency.
在线阅读 下载PDF
p型金属氧化物半导体场效应晶体管界面态的积累对单粒子电荷共享收集的影响
19
作者 陈建军 陈书明 +4 位作者 梁斌 刘必慰 池雅庆 秦军瑞 何益百 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期509-517,共9页
由于负偏置温度不稳定性和热载流子注入,p型金属氧化物半导体场效应晶体管(pMOSFET)将在工作中不断退化,而其SiO2/Si界面处界面态的积累是导致其退化的主要原因之一.采用三维器件数值模拟方法,基于130nm体硅工艺,研究了界面态的积累对相... 由于负偏置温度不稳定性和热载流子注入,p型金属氧化物半导体场效应晶体管(pMOSFET)将在工作中不断退化,而其SiO2/Si界面处界面态的积累是导致其退化的主要原因之一.采用三维器件数值模拟方法,基于130nm体硅工艺,研究了界面态的积累对相邻pMOSFET之间单粒子电荷共享收集的影响.研究发现,随着pMOSFETSiO2/Si界面处界面态的积累,相邻pMOSFET漏端的单粒子电荷共享收集量均减少.还研究了界面态的积累对相邻反相器中单粒子电荷共享收集所导致的多瞬态脉冲的影响.研究发现,随着pMOSFETSiO2/Si界面处界面态的积累,pMOSFET之间电荷共享收集所导致的多瞬态脉冲压缩,而n型金属氧化物半导体场效应晶体管之间电荷共享收集所导致的多瞬态脉冲展宽. 展开更多
关键词 负偏置温度不稳定性 电荷共享收集 双极放大效应 单粒子多瞬态
原文传递
90nm CMOS工艺下p^+深阱掺杂浓度对电荷共享的影响 被引量:4
20
作者 刘凡宇 刘衡竹 +2 位作者 刘必慰 梁斌 陈建军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期461-468,共8页
基于3维TCAD器件模拟,研究了90nmCMOS双阱工艺下p+深阱掺杂对电荷共享的影响.研究结果表明:改变p+深阱的掺杂浓度对PMOS管之间的电荷共享的影响要远大于NMOS管;通过增加p+深阱的掺杂浓度可以有效抑制PMOS管之间的电荷共享.这一结论可用... 基于3维TCAD器件模拟,研究了90nmCMOS双阱工艺下p+深阱掺杂对电荷共享的影响.研究结果表明:改变p+深阱的掺杂浓度对PMOS管之间的电荷共享的影响要远大于NMOS管;通过增加p+深阱的掺杂浓度可以有效抑制PMOS管之间的电荷共享.这一结论可用于指导电荷共享的加固. 展开更多
关键词 电荷共享 单粒子效应 p+深阱掺杂 双极晶体管效应
原文传递
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部