提出了一种基于四模谐振器的小型化双通带滤波器的实现方法。该四模谐振器是在弯折后两端开路加载开路枝节的双模谐振器的一侧增加两个开路枝节实现,减小了滤波器的尺寸。另外,采用集总电容替代开路传输线的等效电容法进一步实现了滤波...提出了一种基于四模谐振器的小型化双通带滤波器的实现方法。该四模谐振器是在弯折后两端开路加载开路枝节的双模谐振器的一侧增加两个开路枝节实现,减小了滤波器的尺寸。另外,采用集总电容替代开路传输线的等效电容法进一步实现了滤波器的小型化设计。引入源-负载耦合结构产生传输零点,加强了带外抑制。通过LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic,低温共烧陶瓷)工艺实现的双通带滤波器性能良好,两通带内的插入损耗均小于1.5dB,回波损耗均大于15dB,带外抑制均超过20dB,其中高频通带高频端的阻带抑制和两通带之间的阻带抑制均超过30dB,体积仅为4.8mm×4.2mm×1.5mm,测试曲线与HFSS仿真曲线吻合良好。该四模双通带滤波器具有选择性高、体积小等优点,具有很好的应用价值,并且为LTCC多频带通滤波器的设计提供了新思路。展开更多
文摘在传统微带线结构基础上利用阶跃阻抗并联短截线SISS(Step-Impedance Shunt Stubs)的带阻及慢波抑制特性,提出了一种新的基于SISS缺陷微带线结构S-DMS(SISS Defected Microstrip Structure),利用该结构设计制作了具有谐波抑制功能的双通带滤波器。采用HFSS进行仿真优化,在此基础上进行了实物加工,获得了通带中心频率为3.5 GHz,8.5 GHz,插入损耗分别为0.45 d B,2.7 d B,3 d B带宽分别是550 MHz,260 MHz,带外最大抑制小于-40 d B的实测结果,与仿真结果相当吻合。结果表明该双通带滤波器具有良好的谐波抑制能力、小带内衰减和宽且深的阻带特性。
文摘提出了一种基于四模谐振器的小型化双通带滤波器的实现方法。该四模谐振器是在弯折后两端开路加载开路枝节的双模谐振器的一侧增加两个开路枝节实现,减小了滤波器的尺寸。另外,采用集总电容替代开路传输线的等效电容法进一步实现了滤波器的小型化设计。引入源-负载耦合结构产生传输零点,加强了带外抑制。通过LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic,低温共烧陶瓷)工艺实现的双通带滤波器性能良好,两通带内的插入损耗均小于1.5dB,回波损耗均大于15dB,带外抑制均超过20dB,其中高频通带高频端的阻带抑制和两通带之间的阻带抑制均超过30dB,体积仅为4.8mm×4.2mm×1.5mm,测试曲线与HFSS仿真曲线吻合良好。该四模双通带滤波器具有选择性高、体积小等优点,具有很好的应用价值,并且为LTCC多频带通滤波器的设计提供了新思路。
