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大气压双频氦气放电等离子体特性的数值研究 被引量：2
1
作者 王一男 孟晓东 +4 位作者 李帅星 金莹 王莉 张艳华 石凤燕 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期373-378,共6页
用一维流体模型研究了大气压双频氦气放电等离子体的特性。数值模拟的结果表明,在单、双频放电中,随着应用电压的增加,电子密度和放电电流都增加。相对于单频放电,双频放电中低频源的耦合效应使得放电中的电流以及电子密度降低。随着低... 用一维流体模型研究了大气压双频氦气放电等离子体的特性。数值模拟的结果表明,在单、双频放电中,随着应用电压的增加,电子密度和放电电流都增加。相对于单频放电,双频放电中低频源的耦合效应使得放电中的电流以及电子密度降低。随着低频源电压峰值的增加,电子密度降低,离子通量,电子损失能量以及电子吸收能量均降低;但电子温度和电势随着低频源电压峰值的增加而增加。在相同低频源电压下,随着高频源电压的增加离子流非线性增加。 展开更多
关键词 数值模拟 双频放电 氦气等离子体
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大气压双频Ar/O_(2)放电等离子体特性的数值模拟
2
作者 崔明晨 王一男 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第11期977-986,共10页
文章采用等离子体流体理论模型,研究了双频容性耦合放电中高频源频率对大气压氩气与氧气混合气体放电等离子体的各类粒子密度与各项等离子体参数的影响。通过模拟不同高频源频率的放电,得到了放电空间中各类粒子的密度、电子温度、电场... 文章采用等离子体流体理论模型,研究了双频容性耦合放电中高频源频率对大气压氩气与氧气混合气体放电等离子体的各类粒子密度与各项等离子体参数的影响。通过模拟不同高频源频率的放电,得到了放电空间中各类粒子的密度、电子温度、电场等参数的一维时空分布,进一步了解了双频放电中高频源频率对等离子体特性的影响作用。研究结果表明:当放电电压固定时,随高频源频率的升高,电子密度逐渐增大;电子温度、电场与电势有下降的趋势;各类氩离子密度与氩原子的亚稳态密度随高频源频率的升高而增大;随高频源频率的升高,各类氧离子密度增大,氧原子密度先减小后增大,氧分子的亚稳态密度先增大后减小。电子压力加热、电子欧姆加热、电子加热和能量损失受高频源频率的影响均逐步升高。此外,有效电流密度与有效功率密度随高频源频率的升高大体增加。 展开更多
关键词 大气压 双频放电 数值模拟
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RF-PECVD生长参数对石墨烯薄膜品质的影响
3
作者 袁强华 任江枫 殷桂琴 《真空科学与技术学报》 北大核心 2025年第2期98-105,共8页
对比不同工艺参数条件下生长的石墨烯薄膜的形貌和品质,分别研究了高频功率、放电气压、气体流量比、生长时间、生长温度以及基底种类对双频放电的RF-PECVD制备的石墨烯薄膜品质影响。实验结果表明,石墨烯的缺陷程度随着高频功率的增加... 对比不同工艺参数条件下生长的石墨烯薄膜的形貌和品质,分别研究了高频功率、放电气压、气体流量比、生长时间、生长温度以及基底种类对双频放电的RF-PECVD制备的石墨烯薄膜品质影响。实验结果表明,石墨烯的缺陷程度随着高频功率的增加而降低,但是薄膜的厚度随着高频功率的增加而减小。在3 Torr及5 Torr的条件下,石墨烯薄膜存在着较多的边界状缺陷。甲烷/氩气流量比为10:30、生长时间为40 min时,能够生长出品质较好的石墨烯薄膜。生长温度对石墨烯薄膜的生长影响较大,在300℃时,镍基底表面无法生长出石墨烯薄膜,并且生长温度低于600℃时,都无法生长出品质较好的石墨烯薄膜。最后发现,相同的生长条件,在镍基底上生长的石墨烯薄膜厚度更小,但是铜基底生长的石墨烯薄膜缺陷更少,品质更好,这与薄膜在两种基底上不同的生长方式有关。 展开更多
关键词 射频等离子体增强化学气相沉积 双频放电 石墨烯薄膜
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C_2F_6、C_4F_8的双频电容耦合等离子体特性研究
4
作者 黄宏伟 钱侬 叶超 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 2010年第3期66-72,共7页
采用发射光谱技术,研究了C2F6、C4F8气体的双频电容耦合放电等离子体中F、CF2基团密度以及F/CF2强度比随高频功率、低频功率、放电气压的变化关系.实验结果表明,在双频电容耦合放电等离子体中,高频功率、低频功率、放电气压的改变,使C2F... 采用发射光谱技术,研究了C2F6、C4F8气体的双频电容耦合放电等离子体中F、CF2基团密度以及F/CF2强度比随高频功率、低频功率、放电气压的变化关系.实验结果表明,在双频电容耦合放电等离子体中,高频功率、低频功率、放电气压的改变,使C2F6或C4F8等离子体中出现不同分解过程,这种对气体分解反应的选择性为实现双频等离子体刻蚀薄膜的精确控制提供了可能. 展开更多
关键词 C2F6、C4F8等离子体 双频电容耦合放电 等离子体发射光谱
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CHF_3等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的机理分析 被引量：1
5
作者 崔进 刘卉敏 +1 位作者 邓艳红 叶超 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 2011年第1期48-51,57,共5页
通过对SiCOH低k薄膜刻蚀后的表面状态分析、等离子体空间活性基团分析,并通过调节刻蚀时的离子轰击能量,从实验上研究了碳氟等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的基本过程,发现刻蚀过程中SiCOH薄膜表面的C:F沉积、到达SiCOH薄膜表面的F原子密度... 通过对SiCOH低k薄膜刻蚀后的表面状态分析、等离子体空间活性基团分析,并通过调节刻蚀时的离子轰击能量,从实验上研究了碳氟等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的基本过程,发现刻蚀过程中SiCOH薄膜表面的C:F沉积、到达SiCOH薄膜表面的F原子密度以及传递到SiCOH薄膜表面的能量是决定SiCOH薄膜刻蚀的主要因素,符合Sankaran的碳氟等离子体刻蚀SiO2薄膜模型.在等离子体空间的CF2基团浓度较低、F基团浓度较高时,并且施加给待刻蚀薄膜的偏置功率较高时,SiCOH薄膜表面沉积的C:F薄膜层较薄,有利于等离子体空间的F基团和离子轰击薄膜的能量传递到SiCOH薄膜表面,从而使SiCOH薄膜表面的F、Si反应几率增大,实现SiCOH薄膜的有效刻蚀. 展开更多
关键词 SiCOH薄膜刻蚀 CHF3等离子体 双频电容耦合放电
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CHF3双频电容耦合放电等离子体特性研究
6
作者 胡佳 徐轶君 叶超 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期2661-2665,共5页
研究了用于SiCOH低介电常数薄膜刻蚀的CHF3气体在13.56MHz/2MHz,27.12MHz/2MHz和60MHz/2MHz双频电容耦合放电时的等离子体性质.发现2MHz低频源功率的增大主要导致F基团密度的增大;而高频频率从13.56,27.12增大到60MHz,导致CF2基团的密... 研究了用于SiCOH低介电常数薄膜刻蚀的CHF3气体在13.56MHz/2MHz,27.12MHz/2MHz和60MHz/2MHz双频电容耦合放电时的等离子体性质.发现2MHz低频源功率的增大主要导致F基团密度的增大;而高频频率从13.56,27.12增大到60MHz,导致CF2基团的密度增大和电极之间F基团密度的轴向空间不均匀性增加.根据电子温度的分布规律及离子能量随高频源频率的变化关系,提出CF2基团的产生主要通过电子-中性气体碰撞,而F基团的产生是离子-中性气体碰撞的结果. 展开更多
关键词 双频电容耦合放电 CHF3等离子体
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O_2流量对O_2/C_4F_8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的影响
7
作者 刘卉敏 周峰 +2 位作者 崔进 邓艳红 叶超 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 2011年第2期53-57,共5页
研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极大地提高多孔SiCOH薄膜的刻蚀速率,降低表面的粗糙度,减少SiCOH薄膜表面的C:F沉积.等离子体特性的光谱分... 研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极大地提高多孔SiCOH薄膜的刻蚀速率,降低表面的粗糙度,减少SiCOH薄膜表面的C:F沉积.等离子体特性的光谱分析表明,O2的添加,增强了C与O之间的反应,从而在Si、F反应刻蚀Si的同时,C、O之间的反应使C消耗,实现Si、C的同步刻蚀,从而获得SiCOH低k薄膜的高刻蚀率和低粗糙度表面. 展开更多
关键词 SiCOH薄膜刻蚀 O2/C4F8等离子体 双频电容耦合放电
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O_2流量对O_2/C_2F_6等离子体处理的硅油光致发光性能影响
8
作者 陈天 钱侬 +1 位作者 袁颖 叶超 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 2012年第2期59-63,69,共6页
研究了O2/C2F6等离子体处理的硅油光致发光性能.发光谱覆盖了250～600 nm的光谱范围,由290nm、410 nm、468 nm、481 nm、491 nm和552 nm的6个发光峰组成.O2流量的增大使290 nm、410 nm、552 nm的发光峰增强,468 nm的发光峰强度减弱.光... 研究了O2/C2F6等离子体处理的硅油光致发光性能.发光谱覆盖了250～600 nm的光谱范围,由290nm、410 nm、468 nm、481 nm、491 nm和552 nm的6个发光峰组成.O2流量的增大使290 nm、410 nm、552 nm的发光峰增强,468 nm的发光峰强度减弱.光致发光性能与等离子体作用导致的氧缺乏中心、C悬挂键、Si悬挂键的形成有关. 展开更多
关键词 硅油 光致发光 o2/c2f6等离子体 双频电容耦合放电
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