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动态随机存储器中堆叠电容器结构的互连寄生电容模拟 被引量：1
1
作者 李毅 王泽毅 侯劲松 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期29-31,共3页
在高密度比特位动态随机存储器 (DRAM)芯片的发展中 ,随着多层布线与复杂存储单元结构的日渐普遍使用 ,互连寄生电容对存储器件性能如时延、功耗、噪声等的影响日渐突出 ,已成为不可忽视的重要因素 ,对互连寄生电容提取软件提出了紧迫... 在高密度比特位动态随机存储器 (DRAM)芯片的发展中 ,随着多层布线与复杂存储单元结构的日渐普遍使用 ,互连寄生电容对存储器件性能如时延、功耗、噪声等的影响日渐突出 ,已成为不可忽视的重要因素 ,对互连寄生电容提取软件提出了紧迫的要求 .本文介绍一个基于直接边界元素法的精度高 ,速度快 ,并可适应复杂堆叠(stacked)电容器结构的互连寄生电容模拟软件 ,并通过实例计算 。 展开更多
关键词 寄生电容 动态随机存储器 堆叠存储电容器
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