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采用增益提高技术的两级放大器的设计
1
作者 刘云康 彭晓宏 +3 位作者 胡勇 侯立刚 朱志鼎 吕本强 《现代电子技术》 2013年第9期144-146,150,共4页
基于chartered 0.35μm工艺,采用PMOS管作为输入管的折叠式共源共栅结构,设计了一种采用增益提高技术的两级运算放大器。利用Cadence公司的spectre对电路进行仿真,该电路在3.3 V电源电压下具有125.8 dB的直流开环增益,2.43 MHz的单位增... 基于chartered 0.35μm工艺,采用PMOS管作为输入管的折叠式共源共栅结构,设计了一种采用增益提高技术的两级运算放大器。利用Cadence公司的spectre对电路进行仿真,该电路在3.3 V电源电压下具有125.8 dB的直流开环增益,2.43 MHz的单位增益带宽,61.2°的相位裕度,96.3 dB的共模抑制比。 展开更多
关键词 折叠式共源共栅 增益提高技术 运算放大器 低电压电流镜
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一种新型的高增益超宽带低噪声放大器 被引量：2
2
作者 吕瑛 康星朝 《信息技术》 2018年第1期141-143,154,共4页
文中提出了一种采用增益提高技术的超宽带低噪声放大器(LNA)。为了通过提高电路的输出阻抗,进而实现改善电路增益的目的,该LNA包含了两级共射共基放大器电路,并在共基晶体管基极引入电感。基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺对其进行设计,实... 文中提出了一种采用增益提高技术的超宽带低噪声放大器(LNA)。为了通过提高电路的输出阻抗,进而实现改善电路增益的目的,该LNA包含了两级共射共基放大器电路,并在共基晶体管基极引入电感。基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺对其进行设计,实现了超宽的31GHz^42GHz的工作频率,增益为20.1dB^30.7dB,噪声系数为1.19dB^1.31dB,并且在1.8V单电源电压供电情况下,消耗的功耗为13.2mW。 展开更多
关键词 噪声放大器 增益提高技术 超宽带
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基于0.13μm CMOS工艺的快速稳定的高增益Telescopic放大器设计
3
作者 苏丽梅 赵晓霞 《现代电子技术》 2007年第21期14-16,共3页
提出了一个0.13μm CMOS工艺下的快速稳定的高增益Telescopic放大器的设计。该设计采用了增益提高技术,分析了这种技术的增益模型和频率响应模型。后仿真结果表明,该设计开环直流增益为98 dB,在4.5 ns的建立时间之内达到0.02%的稳定精度... 提出了一个0.13μm CMOS工艺下的快速稳定的高增益Telescopic放大器的设计。该设计采用了增益提高技术,分析了这种技术的增益模型和频率响应模型。后仿真结果表明,该设计开环直流增益为98 dB,在4.5 ns的建立时间之内达到0.02%的稳定精度,而且没有超调的现象,其等效输入噪声小于4 nV/rtHz,在1.2 V供电下消耗电流2 mA。 展开更多
关键词 套筒式运放 增益提高技术 高增益 软件无线电
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12位100MS/s ADC中采样/保持电路的分析与设计 被引量：6
4
作者 张凯 周贵贤 +2 位作者 刘烨 陈贵灿 程军 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2007年第11期8-13,共6页
设计了一种高性能的采样保持(S/H)电路,在1.8V的电源电压下,其性能满足12位精度、100MS/s转换速率的ADC的要求。设计中采用了一种新型的自举采样开关,提高了S/H电路的可靠性和线性度;对于高增益大带宽的运算跨导放大器OTA的带宽设计,在... 设计了一种高性能的采样保持(S/H)电路,在1.8V的电源电压下,其性能满足12位精度、100MS/s转换速率的ADC的要求。设计中采用了一种新型的自举采样开关,提高了S/H电路的可靠性和线性度;对于高增益大带宽的运算跨导放大器OTA的带宽设计,在分析了主运放和辅助运放在带宽和相位裕度等方面的关系的基础上,提出了新的设计方法。仿真结果表明:S/H电路的差动输出摆幅达到了2V;对于输入为49MHz的正弦波,测得其信号噪声失真比达到了82dB,满足12位ADC的要求;整个电路的功耗约为20mW。 展开更多
关键词 采样/保持电路 自举开关 增益提高技术
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