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可级联的压控晶闸管同步驱动电路
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作者 王文东 吴朝阳 +2 位作者 王淦平 吴编 杨周炳 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第2期136-139,共4页
针对压控晶闸管脉冲工作特性和串联使用需求,设计了一种可级联的驱动电路,实现了多级串联压控晶闸管的同步开通。首先,介绍了电路拓扑及工作原理,利用推挽结构的平面耦合电感器隔离初、次级信号并传递驱动能量,解决了串联驱动小型化和... 针对压控晶闸管脉冲工作特性和串联使用需求,设计了一种可级联的驱动电路,实现了多级串联压控晶闸管的同步开通。首先,介绍了电路拓扑及工作原理,利用推挽结构的平面耦合电感器隔离初、次级信号并传递驱动能量,解决了串联驱动小型化和低压供电条件下快前沿输出的问题;其次,通过计算和仿真确定了电路参数和主要器件选型;最后,使用6级串联的MCT作为放电开关搭建了测试电路,在充电电压8.4 kV、工作重复频率20 Hz条件下,4Ω电阻负载上获得了幅值为1.958 kA的准方波脉冲电流。 展开更多
关键词 驱动 MOS栅控晶闸管 串联 同步 准方波脉冲
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面向开关时序与驱动电压自主协同调控的SiC/Si混合开关驱动电路 被引量:1
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作者 肖标 郭祺 +2 位作者 涂春鸣 肖凡 龙柳 《电工技术学报》 北大核心 2025年第4期1117-1128,共12页
由SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT)并联组成的SiC/Si混合开关(SiC/Si HyS)因兼具低损耗与低成本的优势而备受关注。然而,现有HyS研究主要关注于如何改变内部开关时序这一可调参数来优化其损耗或... 由SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT)并联组成的SiC/Si混合开关(SiC/Si HyS)因兼具低损耗与低成本的优势而备受关注。然而,现有HyS研究主要关注于如何改变内部开关时序这一可调参数来优化其损耗或可靠性,调控参数单一且尚未兼顾损耗和可靠性的整体优化,考虑多调控参数的HyS集成驱动电路更是极为缺乏。首先,该文在充分挖掘开关时序、驱动电压等多调控参数对HyS特性影响的基础上,提出一种面向开关时序与驱动电压自主协同调控的HyS驱动电路软硬件架构设计方法,所提驱动电路不仅能为HyS提供由不同开关时序与驱动电压组成的三种开关模式,而且能根据负载电流水平实现开关时序与驱动电压的自主协同调控。其次,搭建基于所提驱动电路的HyS型单相逆变器,验证了所提驱动电路的有效性。最后,从逆变器效率、驱动电路功率损耗以及成本三个方面分析了所提驱动电路的优势。 展开更多
关键词 SiC/Si混合开关 开关时序 驱动 协同控制 驱动
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栅极驱动电路的传导共模电磁干扰特征分析
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作者 岳乔治 彭晗 +1 位作者 童乔凌 康勇 《中国电机工程学报》 北大核心 2025年第7期2779-2790,I0028,共13页
栅极驱动电路作为低压控制电路与高压功率电路连接的桥梁,决定了电力电子器件的可靠开关,同时也承受着强烈的电磁干扰。目前针对栅极驱动电路的传导电磁干扰问题的研究重点关注以“串扰”为代表的差模干扰,对共模干扰缺乏深入的分析。... 栅极驱动电路作为低压控制电路与高压功率电路连接的桥梁,决定了电力电子器件的可靠开关,同时也承受着强烈的电磁干扰。目前针对栅极驱动电路的传导电磁干扰问题的研究重点关注以“串扰”为代表的差模干扰,对共模干扰缺乏深入的分析。共模干扰传播路径多,频率范围广,影响范围大,是驱动电路中驱动信号的主要干扰源。为此,文中对驱动电路的传导共模干扰特征进行分析,重点关注功率器件开关电压过冲与高频振荡特性,采用梯形波与衰减正弦波建立干扰源模型;根据主电路架构与驱动架构,逐层深入建立共模干扰的多支路耦合网络模型并分析其宽频阻抗特性;选取共模干扰电流以及驱动信号干扰电压为表征对象,求解其传递函数并结合干扰源特征分析驱动电路故障机理。实验结果表明,干扰源电压的高频振荡将产生严重的共模干扰。当其振荡频率与耦合路径阻抗谐振频率相同时,共模干扰将被放大,在驱动电路电磁兼容设计时需要格外注意。最后根据所建立的电磁干扰模型对栅极驱动电路的抗干扰设计提供一定指导。 展开更多
关键词 栅极驱动 传导磁干扰 共模干扰
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垂直腔面发射激光器数字驱动电路设计
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作者 卫英泽 廖英 +5 位作者 周建斌 童欣 叶凡 李松松 罗朋奎 黎荣锋 《激光与红外》 北大核心 2025年第1期18-25,共8页
垂直腔面发射激光器(VCSEL)是原子磁强计和原子钟等光学量子仪器的核心部件,其输出激光的稳定性将直接影响仪器的测量精度和灵敏度等关键参数。本文介绍了一种以ZYNQ7010为控制核心的VCSEL数字驱动电路,该电路使用XTR111芯片提供VCSEL... 垂直腔面发射激光器(VCSEL)是原子磁强计和原子钟等光学量子仪器的核心部件,其输出激光的稳定性将直接影响仪器的测量精度和灵敏度等关键参数。本文介绍了一种以ZYNQ7010为控制核心的VCSEL数字驱动电路,该电路使用XTR111芯片提供VCSEL所需的高稳定电流,并通过MAX1978芯片控制VCSEL内部集成的半导体制冷器(TEC)实现高精度温控。实验结果表明,本文设计的驱动电路可输出0~2 mA的线性可调电流,调节精度优于0.04 mA,TEC的温控精度优于0.1℃;最终在1.325 mA的驱动电流和63℃的工作温度下,VCSEL的最大输出功率漂移和波长漂移分别为0.001 mW和0.004 nm。该数字驱动电路可满足原子磁强计等高精度测量仪器对光源驱动的需求。 展开更多
关键词 子学 驱动 MAX1978 温度控制 XTR111 恒流驱动
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基于4H-SiC的高温驱动电路设计与制造
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作者 田源 黄润华 +4 位作者 倪朝辉 刘涛 张国斌 杨勇 柏松 《固体电子学研究与进展》 2025年第2期23-28,共6页
为解决SiC MOSFET在高温条件下性能受硅基驱动电路限制的问题,设计制造了一款基于4H-SiC材料的驱动电路,用于改善电路整体的耐高温能力,并且分别在常温(25℃)和高温(300℃)条件下对驱动电路的性能进行了测试。常温下驱动电路在无负载条... 为解决SiC MOSFET在高温条件下性能受硅基驱动电路限制的问题,设计制造了一款基于4H-SiC材料的驱动电路,用于改善电路整体的耐高温能力,并且分别在常温(25℃)和高温(300℃)条件下对驱动电路的性能进行了测试。常温下驱动电路在无负载条件下的上升沿延迟和下降沿延迟分别为2.496μs和1.32μs,高温下两者分别为1.61μs和0.816μs。在输出功率为100 W、输出电压为56 V、母线电压为320 V的条件下对驱动电路进行带负载测试,常温下驱动电流的充电电流峰值为129 mA,放电电流峰值为120 mA;高温下驱动电流的充电电流峰值为264 mA,放电电流峰值为221 mA。测试结果表明,该驱动电路可在环境温度为300℃时正常工作,且随着环境温度在25~300℃范围内逐渐上升,该驱动电路的驱动能力以及响应速度逐渐提升。 展开更多
关键词 碳化硅 驱动 金属氧化物半导体晶体管
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中长波双波段红外焦平面探测器驱动电路设计
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作者 张禹 宫宸 +2 位作者 魏洪苗 刘纪洲 李红 《红外》 2025年第3期16-22,共7页
双波段红外焦平面探测器是未来发展趋势之一,在越来越多的场景中得到应用。针对中长波双波段红外焦平面探测器的驱动电路进行设计,提出了包括双模式驱动电路、独立动态范围调整电路、低模拟信号调理电路、双衬底切换电路、电源驱动电路... 双波段红外焦平面探测器是未来发展趋势之一,在越来越多的场景中得到应用。针对中长波双波段红外焦平面探测器的驱动电路进行设计,提出了包括双模式驱动电路、独立动态范围调整电路、低模拟信号调理电路、双衬底切换电路、电源驱动电路和分布式积分的设计方法。该驱动电路能够对红外焦平面探测器敏感元输出的模拟信号进行有效变换,同时给红外焦平面探测器提供所需的偏置电压和驱动时序。本文所设计的中长波双波段红外焦平面探测器驱动电路在中波和长波图像融合后具有良好的成像效果。 展开更多
关键词 双波段 红外焦平面探测器 驱动 分布式积分 图像融合
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基于DSP的振镜电机数模混合驱动电路设计
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作者 黄磊 杜思勋 +1 位作者 林晓刚 解伟 《电力电子技术》 2025年第1期13-16,共4页
振镜作为高端激光装备不可或缺的一环,其中振镜电机驱动电路对于电机快速精确的摆动起着至关重要的作用。目前国内大多品牌的振镜依旧采用纯模拟式的振镜电机驱动电路架构,相较于数模混合驱动电路,其工作带宽低,控制精度易受温度影响。... 振镜作为高端激光装备不可或缺的一环,其中振镜电机驱动电路对于电机快速精确的摆动起着至关重要的作用。目前国内大多品牌的振镜依旧采用纯模拟式的振镜电机驱动电路架构,相较于数模混合驱动电路,其工作带宽低,控制精度易受温度影响。设计了一种基于数字信号处理器(DSP)的振镜电机数模混合驱动电路,该电路首先采用两片高精度的模数转换芯片,分别设计电流采样电路和位置采样电路,将电流和位置信号转换为数字信号传输到DSP处理,然后利用高精度数模转换芯片输出电压控制信号,最后经线性功率放大器调理输出为电机电压控制信号。其中,电流和位置采样的精度达到1 mA和1μrad,输出控制信号的精度为1 mV。经自主搭建实验平台测试,验证了该驱动电路能够在保证控制精度的同时,提高振镜电机系统的工作带宽。 展开更多
关键词 振镜 数模混合驱动 数字信号处理器
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图腾柱式IGBT栅极驱动电路设计
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作者 吴田 《机电产品开发与创新》 2025年第1期110-112,共3页
由晶体管BJT构成的图腾柱式栅极驱动电路在单相交错式PFC中被大量应用,本文分析了IGBT栅极特性和栅极驱动电路结构,分别推导了栅极最大电流、 BJT基极电流以及驱动功率的计算方法,全面地得出了IGBT栅极驱动电路关键器件的参数选型和注... 由晶体管BJT构成的图腾柱式栅极驱动电路在单相交错式PFC中被大量应用,本文分析了IGBT栅极特性和栅极驱动电路结构,分别推导了栅极最大电流、 BJT基极电流以及驱动功率的计算方法,全面地得出了IGBT栅极驱动电路关键器件的参数选型和注意事项。 展开更多
关键词 IGBT 栅极驱动 图腾柱式 栅极最大峰值 驱动功率
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固态继电器驱动电路的优化设计与仿真分析
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作者 朱治国 张锐锐 +1 位作者 席建利 彭德教 《信息与电脑》 2025年第5期162-164,共3页
固态继电器驱动电路在工业控制中至关重要,但传统电路存在响应速度慢、功率损耗大、抗干扰能力差和散热不良等问题。文章提出了一种优化的驱动电路设计,解决了这些问题。通过仿真和实际测试,优化后的电路显著提高了在高负载、高频和长... 固态继电器驱动电路在工业控制中至关重要,但传统电路存在响应速度慢、功率损耗大、抗干扰能力差和散热不良等问题。文章提出了一种优化的驱动电路设计,解决了这些问题。通过仿真和实际测试,优化后的电路显著提高了在高负载、高频和长时间工作中的稳定性和可靠性,减少了功率损耗,缩短了响应时间,提升了抗干扰能力,满足了固态继电器高效稳定的驱动需求。 展开更多
关键词 固态继 驱动 优化设计 响应速度 抗干扰
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基于碳化硅MOSFET半桥驱动及保护电路设计
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作者 郑高铭 孙峰 +3 位作者 李欢 胡雅婷 刘京 刘羽捷 《电子技术应用》 2025年第3期90-97,共8页
针对碳化硅MOSFET驱动电路设计难度较大、门极易受串扰、保护功能不齐全以及全国产化的问题,基于国产芯片设计了一款碳化硅MOSFET半桥驱动及保护电路。重点分析总结了碳化硅MOSFET有源米勒钳位保护、退饱和保护以及桥臂互锁保护原理与... 针对碳化硅MOSFET驱动电路设计难度较大、门极易受串扰、保护功能不齐全以及全国产化的问题,基于国产芯片设计了一款碳化硅MOSFET半桥驱动及保护电路。重点分析总结了碳化硅MOSFET有源米勒钳位保护、退饱和保护以及桥臂互锁保护原理与模型。在隔离原边信号与副边信号的同时,采用18 V/-3.3 V的高低电平,实现对上、下桥臂碳化硅MOSFET的控制,同时集成了欠压锁定、退饱和保护、桥臂互锁、有源米勒钳位保护的功能。与国际先进水平Wolf Speed的碳化硅MOSFET驱动板CGD1200HB2P-BM2进行了参数对比和功能测试。实验结果表明,该电路开关参数与CGD1200HB2P-BM2驱动板相近,满足碳化硅MOSFET驱动需求,并能可靠触发保护功能。电路已实际应用于碳化硅MOSFET的驱动中。 展开更多
关键词 碳化硅MOSFET 驱动 有源米勒钳位 退饱和保护
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一种适用于GaN栅驱动的具有自适应能力的电平移位电路
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作者 王亮 刘大伟 +1 位作者 范建林 庄巍 《机电工程技术》 2025年第2期153-158,共6页
半桥驱动器中高侧驱动信号电平移位电路是驱动芯片的核心模块,其功能是将低压域PWM控制信号转换成高边浮动电压域的驱动信号,从而控制上桥臂功率管的开启或关断。电平移位电路正常工作与否直接决定了驱动芯片的设计成败。介绍了一种用于... 半桥驱动器中高侧驱动信号电平移位电路是驱动芯片的核心模块,其功能是将低压域PWM控制信号转换成高边浮动电压域的驱动信号,从而控制上桥臂功率管的开启或关断。电平移位电路正常工作与否直接决定了驱动芯片的设计成败。介绍了一种用于GaN功率器件双输出栅极驱动的电平移位电路,旨在提高其共模瞬变干扰免疫(CMTI)能力,具有自适应性、高速、低功耗的特点。所提出的电平移位电路的浮动电压域利用自举电路供电,设计了自适应路径,自适应路径引入了输出端反馈,对差模输入信号不产生影响,且能根据不同大小的共模干扰噪声dV/dt感应出不同大小的补偿电流,来抑制高边驱动信号的电压尖峰,从而使电平移位电路能在浮动电源轨电压VSW快速浮动时保持稳定输出。该电路基于0.18μm BCD工艺仿真验证,结果显示上升沿传输延迟为1.55 ns,下降沿传输延迟为1.1 ns,d V/dt摆率抗扰度可达100 V/ns。 展开更多
关键词 GAN 驱动 平移位 自适应 共模瞬变干扰免疫 传输延迟
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一种抑制栅极正负向串扰的GaN HEMT无源驱动电路 被引量:2
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作者 王忠 秦世清 +1 位作者 王福学 边国辉 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期483-491,共9页
GaN器件由于其更快的开关速度,比硅器件更容易发生严重的开关振荡,也更容易受到栅源电压振荡的影响。为了抑制GaN基半桥结构中的串扰,提出了一种抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)栅极正负向串扰的无源钳位驱动电路来抑制栅源电压振荡。... GaN器件由于其更快的开关速度,比硅器件更容易发生严重的开关振荡,也更容易受到栅源电压振荡的影响。为了抑制GaN基半桥结构中的串扰,提出了一种抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)栅极正负向串扰的无源钳位驱动电路来抑制栅源电压振荡。采用基本无源元件建立自举驱动回路,并增加三极管以构成从驱动电路到GaN HEMT的低阻抗米勒电流路径,抑制正负向串扰。在LTspice软件下进行电路模拟仿真,并搭建实验平台进行实测验证,结果表明栅源电压的最大正向串扰可降至1.2 V,最大负向串扰可降至1.6 V,漏源电流的正向和负向串扰均降至2 A以下,证明该电路对栅源电压以及漏源电流的振荡均有良好的抑制效果。 展开更多
关键词 GaN高子迁移率晶体管(HEMT) 驱动 串扰 桥式 振荡
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煤矿氧气检测高精度VCSEL驱动及温控电路设计 被引量:1
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作者 于庆 张华乾 郭清华 《矿业安全与环保》 CAS 北大核心 2024年第2期153-160,共8页
为解决当前常用煤矿氧气检测仪器易受交叉气体干扰且功耗大的问题,基于GD32F303RCT6微控制器和ADN8834热电冷却控制器,设计了一种软启动开关电路控制的垂直腔面发射激光器(Vertical-cavity Surface-emitting Laser,VCSEL)高精度驱动及... 为解决当前常用煤矿氧气检测仪器易受交叉气体干扰且功耗大的问题,基于GD32F303RCT6微控制器和ADN8834热电冷却控制器,设计了一种软启动开关电路控制的垂直腔面发射激光器(Vertical-cavity Surface-emitting Laser,VCSEL)高精度驱动及温控电路。驱动电路中,高频正弦波信号和低频锯齿波信号叠加的二进制数据由微控制器产生,经信号发生电路、电压电流转换电路转化成VCSEL高精度驱动电流信号;温控电路中,设计基于比例积分微分(Proportional Integral Differential,PID)补偿电路和数模转换控制器(Digital to Analog Converter,DAC)目标温度控制电路实现激光器温度自动调节。测试结果表明:驱动电路的电流输出区间为0.680~1.360 mA;锯齿波频率误差小于0.5%,正弦波频率误差小于0.1%;氧气吸收峰扫描精度高达0.07 pm,对应电流扫描精度为0.12μA;温控电路的温度控制精度为±0.012℃。满足了可调谐半导体激光吸收光谱(Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy,TDLAS)煤矿氧气检测应用需求。 展开更多
关键词 煤矿 氧气检测 VCSEL 高精度驱动及温控 PID补偿 DAC目标温度控制
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端接复杂电路传输线网络的电磁耦合时域并行计算方法 被引量:1
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作者 叶志红 张玉 鲁唱唱 《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期713-719,共7页
针对端接复杂电路传输线(TL)网络的电磁耦合问题,仍缺乏高效的场路协同仿真技术。该文将传输线方程与时域有限差分(FDTD)方法、诺顿定理和置换定理以及NGSPICE软件相结合,并引入消息传递接口(MPI)并行技术,提出一种高效的时域混合并行算... 针对端接复杂电路传输线(TL)网络的电磁耦合问题,仍缺乏高效的场路协同仿真技术。该文将传输线方程与时域有限差分(FDTD)方法、诺顿定理和置换定理以及NGSPICE软件相结合,并引入消息传递接口(MPI)并行技术,提出一种高效的时域混合并行算法(FDTDTL-NGSPICE)。首先,根据诺顿定理和置换定理,将传输线网络分解为传输线子系统和复杂电路子系统,并构建对应的等效电路模型。然后,使用FDTDTL并行算法计算传输线子系统沿线各点的电压和电流,并获取对应诺顿等效电路的电流源和等效导纳大小。最后,使用NGSPICE对复杂电路子系统进行传导干扰分析,获得复杂电路各元件上的瞬态响应,并将端口电压反馈给传输线子系统作为边界,实现传输线网络电磁耦合的场线路联合协同仿真。通过对3类典型场景的计算实例,分别使用时域混合并行算法和电磁仿真软件CST电缆工作室(CS)进行数值模拟并对比,验证所提算法的置信度。 展开更多
关键词 传输线网络 复杂 诺顿定理 时域有限差分与传输线方程的混合并行算法 NGSPICE软件
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窄脉冲激光器驱动电路延时反馈控制研究
15
作者 王婷 魏明 宋巍 《激光杂志》 北大核心 2024年第12期40-44,共5页
在窄脉冲激光器驱动电路中,收发天线以双极化模式运作,受到非理想因素影响,使源信号的极化方向容易在信号传输过程中部分转移到其他极化方向上,导致出现极化干扰,引入非期望的干扰信号,降低控制过程的稳定性。为此,提出一种窄脉冲激光... 在窄脉冲激光器驱动电路中,收发天线以双极化模式运作,受到非理想因素影响,使源信号的极化方向容易在信号传输过程中部分转移到其他极化方向上,导致出现极化干扰,引入非期望的干扰信号,降低控制过程的稳定性。为此,提出一种窄脉冲激光器驱动电路延时反馈控制方法。通过交叉极化隔离度描述信号功率与交叉极化干扰之比,量化干扰大小,采用盲源分离法还原源信号,利用峭度函数确定最佳步长,从多个独立分量中提取非零峭度的信号作为源信号,实现干扰信号的抑制。在窄脉冲激光器驱动电路中组建离散正交虚拟电路,计算实际电压电流正交的虚拟分量并展开反馈,实现窄脉冲激光器驱动电路延时反馈控制。实验结果表明,所提方法具有良好的稳定性,可以获取更加满意的窄脉冲激光器驱动电路延时反馈控制结果。 展开更多
关键词 窄脉冲激光器 驱动 延时反馈控制 代价函数 最优步长
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两开关无电解电容LED驱动电路拓扑及控制策略
16
作者 林国庆 黄远彬 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第18期5742-5754,共13页
LED驱动电源常因含有平衡输入输出功率的电解电容而导致寿命大打折扣,为延长LED驱动电源的使用寿命以及提高其可靠性,该文提出一种两开关无电解电容LED驱动电路拓扑,该拓扑以反激变换器为基础,通过集成的辅助储能电容实现输入输出瞬时... LED驱动电源常因含有平衡输入输出功率的电解电容而导致寿命大打折扣,为延长LED驱动电源的使用寿命以及提高其可靠性,该文提出一种两开关无电解电容LED驱动电路拓扑,该拓扑以反激变换器为基础,通过集成的辅助储能电容实现输入输出瞬时功率平衡,从而大大地减小了抑制输出电流低频纹波所需的电容器容值,实现无电解电容化,并充分吸收漏感能量,使电源效率得到提高。详细分析该电路拓扑的工作原理及各个模态,给出参数设计方法,并提出相应控制策略,最后,搭建一台35 W原理样机验证了该电路拓扑的可行性。 展开更多
关键词 LED驱动 低频纹波抑制 漏感吸收
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基于三电平的超声波电机驱动电路调速性能研究
17
作者 傅平 孔晨 蔡康伟 《微特电机》 2024年第1期51-57,共7页
从超声波电机驱动电路拓扑结构出发,使用三相全桥电路构建三电平波形发生电路,得到基于三电平的超声波电机驱动电路,通过改变相关PWM驱动参数可以实现电机驱动波形的调频、调压和调相功能,进而实现电机调速。通过分析得到驱动电压、驱... 从超声波电机驱动电路拓扑结构出发,使用三相全桥电路构建三电平波形发生电路,得到基于三电平的超声波电机驱动电路,通过改变相关PWM驱动参数可以实现电机驱动波形的调频、调压和调相功能,进而实现电机调速。通过分析得到驱动电压、驱动频率与行波幅值之间的关系,使用半实物仿真平台对基于三电平的超声波电机驱动电路进行测试,验证空载、带载时超声波电机在调压、调频、调相的情况下转速的变化情况,从而实现基于三电平的超声波电机的调速性能测试,为电机调速打下基础。 展开更多
关键词 超声波 驱动 半实物仿真
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一种新型可调驱动电压的SiC/Si混合开关驱动电路
18
作者 付永升 任海鹏 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第7期2774-2785,I0021,共13页
为提高碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistor,SiC-MOSFET)与硅基绝缘栅极双极晶体管(silicon insulated gate bipolar transistor,Si-IGBT)并联混合开关(SiC/Si hybr... 为提高碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistor,SiC-MOSFET)与硅基绝缘栅极双极晶体管(silicon insulated gate bipolar transistor,Si-IGBT)并联混合开关(SiC/Si hybrid switch,SiC/Si HyS)的可靠性与适用性,该文提出一种可变驱动电压的SiC/Si HyS栅极驱动电路结构,采用一路脉冲宽度调制(pulse width modulation,PWM)控制信号和一个驱动芯片产生不同电压幅值的栅极控制信号,分别控制SiC/Si HyS中的SiC-MOSFET和Si-IGBT。相比于传统采用2个独立驱动电路的SiC/Si HyS驱动结构,该驱动电路大幅度降低SiC/Si HyS栅极驱动电路的复杂度,降低SiC-MOSFET关断过程中Si-IGBT误导通的可能性,提升混合开关的工作可靠性。该文首先分析所设计驱动电路工作原理,给出驱动电压调节方法;其次,建立耦合电容端电压纹波和系统启动时电容端电压暂态数学模型,通过仿真和实验验证模型准确性;搭建2 kW的SiC/Si混合开关Buck电路,验证该文所提混合开关驱动电路可行性,从SiC/Si HyS功率器件关断损耗、驱动电路功率损耗、成本以及体积4个方面分析所提驱动结构的优势。 展开更多
关键词 宽禁带半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 硅基绝缘栅极双极晶体管 混合开关 门极驱动 耦合
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高精度固态调制器绝缘栅双极晶体管驱动电路 被引量:1
19
作者 石秀倩 何大勇 +3 位作者 李飞 甘楠 牟雅洁 李京祎 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期120-128,共9页
加法器式固态调制器是一种使用绝缘栅双极晶体管(IGBT)控制储能电容放电来产生脉冲高压的装置,相比传输线型调制器,具有模块化、稳定性好、寿命长等优势。但IGBT的正常工作需要利用栅极驱动电路将控制信号进行放大才能实现,驱动电路的... 加法器式固态调制器是一种使用绝缘栅双极晶体管(IGBT)控制储能电容放电来产生脉冲高压的装置,相比传输线型调制器,具有模块化、稳定性好、寿命长等优势。但IGBT的正常工作需要利用栅极驱动电路将控制信号进行放大才能实现,驱动电路的性能直接影响IGBT的开关特性,最终影响脉冲电压质量,尤其是驱动电路的导通抖动指标,这是影响脉冲电压精度的关键因素之一。根据加法器式固态调制器中IGBT的工作特性,以提高脉冲电压精度为目标,对驱动电路进行研究。分析了开关抖动对输出电压精度的影响,介绍了设计原理,研制了驱动电路板,并利用放电模块对其工作性能进行了实验测试。测试结果表明,该款驱动电路的导通抖动为300 ps,相比1 ns的商用驱动电路抖动压缩至1/3,在1 kV充电电压下,放电模块在0.5Ω的负载上放电,形成上升时间为500 ns、导通抖动峰、峰值在5 ns以下的脉冲电压,当发生退饱和故障时,驱动电路能够在4μs时间内关断IGBT,该款驱动电路满足高精度固态调制器的工作要求。 展开更多
关键词 固态调制器 脉冲压精度 绝缘栅双极晶体管 栅极驱动 导通抖动
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