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射频器件材料变迁与电镀技术
1
作者 刘仁志 《表面工程与再制造》 2024年第3期17-20,共4页
随着以智能手机为代表的移动智能终端的普及,智能电子产品制造已成为当代制造业的主流。如今,全球5G系统尚处在建设阶段,我国在完善5G组网的同时,已经开始了6G系统的设计和开发。这一宏大的系统的建设,不仅需要强大的硬件支持,也需要电... 随着以智能手机为代表的移动智能终端的普及,智能电子产品制造已成为当代制造业的主流。如今,全球5G系统尚处在建设阶段,我国在完善5G组网的同时,已经开始了6G系统的设计和开发。这一宏大的系统的建设,不仅需要强大的硬件支持,也需要电子器件制造业全产业链的支持。 展开更多
关键词 全产业链 移动智能终端 电镀技术 硬件支持 射频器件 智能手机 制造业 智能电子产品
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低压硅基GaN射频器件
2
作者 张凯 朱广润 +3 位作者 房柏彤 王伟凡 汪流 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第4期F0003-F0003,共1页
基于硅基GaN的射频器件具有高功率、高效率、宽带工作以及低成本、批量化生产的优势,有望应用于5G移动终端等重要场景,具有巨大市场潜力。南京电子器件研究所发展了低损耗低方阻硅基GaN射频材料,开发了低阻欧姆接触技术,接触电阻(RC)仅... 基于硅基GaN的射频器件具有高功率、高效率、宽带工作以及低成本、批量化生产的优势,有望应用于5G移动终端等重要场景,具有巨大市场潜力。南京电子器件研究所发展了低损耗低方阻硅基GaN射频材料,开发了低阻欧姆接触技术,接触电阻(RC)仅有0.073Ω·mm(如图1所示),掌握了0.15μm和0.25μm低压器件设计与制备工艺。 展开更多
关键词 射频器件 欧姆接触 GaN 批量化生产 方阻 巨大市场潜力 接触电阻 低损耗
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基于虚拟仪器的微波射频器件自动测试平台的设计与实现 被引量：3
3
作者 焦龙飞 迟雷 +2 位作者 刘涛 桂明洋 安伟 《环境技术》 2023年第3期114-118,137,共6页
对于复杂微波射频器件的电性能通常需要对散射参数(S参数)、功率参数、噪声参数等多个方面进行测试,由于测试参数多样、测试条件复杂,使得传统的手动测试效率低下,难以满足现代化的测试需求。因此提高测试效率,构建自动化的测试平台已... 对于复杂微波射频器件的电性能通常需要对散射参数(S参数)、功率参数、噪声参数等多个方面进行测试,由于测试参数多样、测试条件复杂,使得传统的手动测试效率低下,难以满足现代化的测试需求。因此提高测试效率,构建自动化的测试平台已成为必需。本文使用矢量网络分析仪、程控电源、MCU控制器、射频切换开关等组建硬件平台,基于虚拟仪器集成开发环境,通过TCP/IP接口建立了硬件平台与PC机间的通信,并在PC机上开发了LabVIEW微波射频器件测试程序。该程序可以控制被测器件状态、切换射频测试通道、读取测试数据并导出存储等,最终实现了“一键测试”的自动测试效果。 展开更多
关键词 虚拟仪器 LabVIEW 微波射频器件 自动化测试
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5G通信基站用化合物半导体射频器件应用场景及发展 被引量：2
4
作者 王强 宋学峰 《电子技术与软件工程》 2020年第10期21-23,共3页
本文介绍了化合物半导体在5G基站中的应用场景和国内外发展现状。并重点就当前化合物射频器件的发展特点,进行分析并提出今后的建议。
关键词 5G 化合物半导体 射频器件
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氮掺杂对氢终端金刚石射频器件特性的影响
5
作者 刘晓晨 郁鑫鑫 +4 位作者 葛新岗 姜龙 李义锋 安晓明 郭辉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第11期2045-2052,共8页
采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,通过改变气源中的氮含量,得到不同结晶质量的单晶金刚石,通过激光切割以及抛光控制样品尺寸为5 mm×5 mm×0.5 mm,然后对样品进行表面氢化处理并研制了金刚石射频器件,系统研究了氮含... 采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,通过改变气源中的氮含量,得到不同结晶质量的单晶金刚石,通过激光切割以及抛光控制样品尺寸为5 mm×5 mm×0.5 mm,然后对样品进行表面氢化处理并研制了金刚石射频器件,系统研究了氮含量对金刚石材料晶体质量和金刚石射频器件性能的影响。随着氮含量的增加,虽然单晶金刚石生长速率有所增加,但是其拉曼半峰全宽(FWHM)、XRD摇摆曲线半峰全宽也逐渐增加,光致发光光谱中对应的NV缺陷逐渐增多,晶体结晶质量逐渐变差,不仅导致沟道载流子的迁移率出现退化,而且也使金刚石射频器件出现了严重的电流崩塌和性能退化问题。通过降低氮浓度,提升材料的结晶质量,沟道载流子迁移率得到显著提升,金刚石射频器件的电流崩塌得到有效抑制,电流增益截止频率f_(T)和功率增益截止频率f_(max)分别从17 GHz和22 GHz大幅度提升至32 GHz和53 GHz。 展开更多
关键词 氮含量 微波等离子体化学气相沉积 晶体质量 氢终端金刚石 沟道载流子迁移率 电流崩塌 金刚石射频器件 频率特性
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非同轴射频器件测试夹具引入误差的研究
6
作者 常亮 李赵光 +2 位作者 李胜海 刘君荣 李炎阳 《电子产品可靠性与环境试验》 2018年第A01期153-156,共4页
随着射频器件的快速发展,对射频器件S参数测试技术的要求越来越严苛,测试用的矢量网络分析仪的测试连接一般为同轴接口,而器件的输入/输出端口一般不是同轴的。针对于此,一般设计相应的测试夹具,而非同轴射频测试夹具引入的误差较大,不... 随着射频器件的快速发展,对射频器件S参数测试技术的要求越来越严苛,测试用的矢量网络分析仪的测试连接一般为同轴接口,而器件的输入/输出端口一般不是同轴的。针对于此,一般设计相应的测试夹具,而非同轴射频测试夹具引入的误差较大,不容忽视。在对非同轴测试夹具校准时,必须考虑其引入的误差,因此,对非同轴射频测试夹具引入的误差进行研究是非常有意义的。从矢量网络分析仪的工作原理出发,分析了测试夹具引入的误差来源;研究了反射参数误差模型和传输参数误差模型,通过误差信号流图,分别得出了相应的数学模型,为改善非同轴射频测试夹具的校准技术提供了理论依据。 展开更多
关键词 射频器件 非同轴 测试夹具 误差 校准技术
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一种表面贴装式集成封装射频器件测试技术研究 被引量：4
7
作者 王阔 刘毅 《电子科学技术》 2015年第4期482-485,共4页
本文介绍的表面贴装式集成封装射频器件为无引脚,利用其底面焊盘贴装焊接在印制板上使用的。在研制和生产中需要采用无焊接方式对器件射频性能进行测试;通过多种方案测试夹具试验验证,找到了一种带座弹片接触方式的测试夹具方案,可以满... 本文介绍的表面贴装式集成封装射频器件为无引脚,利用其底面焊盘贴装焊接在印制板上使用的。在研制和生产中需要采用无焊接方式对器件射频性能进行测试;通过多种方案测试夹具试验验证,找到了一种带座弹片接触方式的测试夹具方案,可以满足不大于2GHz的射频性能测试。该测试夹具装拆方便,接触可靠,定位准确且在线可见。 展开更多
关键词 贴装式 射频器件 测试夹具 带座弹片
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非同轴射频器件校准件参数仿真技术的研究 被引量：2
8
作者 常亮 向易 +1 位作者 李炎阳 雷一鸣 《计量与测试技术》 2018年第11期22-25,共4页
随着射频器件的快速发展,要求对射频器件S参数测试技术越来越严苛,一般设计相应的测试夹具,而非同轴射频测试夹具引入的误差较大,不容忽视,有必要对非同轴射频测试夹具引入的误差进行消除。文章通过Synthesize综合,算出微带线的宽度为1.... 随着射频器件的快速发展,要求对射频器件S参数测试技术越来越严苛,一般设计相应的测试夹具,而非同轴射频测试夹具引入的误差较大,不容忽视,有必要对非同轴射频测试夹具引入的误差进行消除。文章通过Synthesize综合,算出微带线的宽度为1. 6mm,拟设计覆盖100MHz～12. 5GHz的频率,确定SOLT校准件和TRL校准件物理尺寸。采用ADS软件分别对SOLT校准件的直通校准件仿真、短路校准件仿真、开路校准件仿真、负载校准件仿真,得出设计的SOLT校准件性能良好。类似的采用ADS软件对TRL校准件进行仿真,得出设计的TRL校准件能覆盖100MHz～12. 5GHz的频率,且传输性能良好。 展开更多
关键词 射频器件 非同轴 测试夹具 校准件 仿真
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射频器件测量的校准技术研究 被引量：2
9
作者 吴杰峰 吴绍精 谢晋雄 《无线通信技术》 2022年第3期40-45,共6页
射频微波元件在使用矢量网络分析仪(VNA)进行S参数测量时,往往需要引入夹具以连接微波元件和VNA两端的线缆。但是这个过程不可避免的引入了导体与地之间的自有电容以及导体与导体之间的互有电容的耦合误差。为了去除这些误差对测试的影... 射频微波元件在使用矢量网络分析仪(VNA)进行S参数测量时,往往需要引入夹具以连接微波元件和VNA两端的线缆。但是这个过程不可避免的引入了导体与地之间的自有电容以及导体与导体之间的互有电容的耦合误差。为了去除这些误差对测试的影响,本文使用了不同的校准技术,如直通-反射-线(TRL)、双延时(Double-L)、直通-反射(TR)来去除这些误差。实测结果表明:直通-反射-延时线(TRL)的幅度和相位与官方手册结果一致,三种校准技术均有较高的精度,但直通-反射-线(TRL)比双延时(Double-L)、直通-反射(TR)应用范围更广。 展开更多
关键词 射频器件测量 校准技术 精度分析与对比
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GaN电力电子和射频器件产业链分析 被引量：1
10
作者 沈一度 《集成电路应用》 2018年第10期91-92,共2页
Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子漂移速度,高击穿场强等优越性能,是发展高频、高温、高功率电子器件的最优选材料。在Ⅲ族氮化物材料体系中,AlGaN/GaN异质结构是迄今为止研制高温、高频、大功率电... Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子漂移速度,高击穿场强等优越性能,是发展高频、高温、高功率电子器件的最优选材料。在Ⅲ族氮化物材料体系中,AlGaN/GaN异质结构是迄今为止研制高温、高频、大功率电子器件最重要和最基本的材料体系。GaN产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节以及下游的应用环节。 展开更多
关键词 氮化物半导体 GAN 大功率电子器件 射频器件
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从GSM到TD-SCDMA飞思卡尔实现无线射频器件的突破性技术
11
《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第7期638-639,共2页
关键词 TD-SCDMA 射频器件 GSM 突破性 通信设备制造商 无线技术
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安捷伦科技公司发布适用于直流和射频器件表征和建模的最新IC—CAP平台软件
12
《计算机测量与控制》 CSCD 北大核心 2011年第7期I0001-I0001,共1页
本刊讯：2011年6月22日，北京安捷伦科技公司（NYSE：A）目前宣布发布最新版本的器件建模软件平台一一集成电路表征和分析程序。
关键词 安捷伦科技公司 器件建模 平台软件 射频器件 表征 CAP IC 直流
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全球星-2卫星使用新型射频器件
13
《航天器工程》 2013年第3期118-118,共1页
据中国国防科技信息网站2013年3月29日消息，美国Peregrine公司为通信卫星研制的射频集成电路新产品——雷达射频器件（锁相环频综器和预分频器），已于2月6日搭载在6颗全球星-2（Globalstar-2）上进入太空。该产品支持“全球星”卫星... 据中国国防科技信息网站2013年3月29日消息，美国Peregrine公司为通信卫星研制的射频集成电路新产品——雷达射频器件（锁相环频综器和预分频器），已于2月6日搭载在6颗全球星-2（Globalstar-2）上进入太空。该产品支持“全球星”卫星系统内的16个C和S频段异频雷达收发机，它使用UltraCMOS技术作为主要生产工艺。此工艺具有内嵌隔离、低功耗、小体积和轻重量等特性，使得射频器件相位噪声低， 展开更多
关键词 射频器件 卫星研制 全球星 异频雷达收发机 射频集成电路 CMOS技术 生产工艺 信息网站
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国家科技重大专项03专项“面向RoF等新型且网技术的射频器件与模块”课题通过验收
14
《信息网络安全》 2014年第3期99-99,共1页
由中国科学院微电子研究所牵头，天津大学、武汉虹信通信技术有限责任公司、沈阳中科微电子有限公司共同承担的国家科技重大专项03专项“面向RoF等新型组网技术的射频器件与模块”课题，于近日顺利通过专家组的现场验收。
关键词 射频器件 通信技术 ROF 模块 大专 科技 电子研究所 中国科学院
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安捷伦科技公司发布适用于直流和射频器件表征和建模的最新IC-CAP平台软件
15
《国外电子测量技术》 2011年第7期81-81,共1页
安捷伦科技公司（NYSE：A）日前宣布发布最新版本的器件建模软件平台集成电路表征和分析程序。IC-CAP2011.04将IC-CAP Wafer Professional自动测量解决方案与IC-CAP CMOS模型提取套件相结合,能够显著改善半导体器件的建模流程。
关键词 安捷伦科技公司 器件建模 平台软件 射频器件 PROFESSIONAL 表征 直流 半导体器件
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安捷伦科技公司发布适用于直流和射频器件表征和建模的最新IC-CAP平台软件
16
《电子测量技术》 2011年第7期120-120,共1页
安捷伦科技公司（NYSE：A）日前宣布发布最新版本的器件建模软件平台——集成电路表征和分析程序。IC-CAP 2011.04将IC-CAP Wafer Professional自动测量解决方案与IC-CAP CMOS模型提取套件相结合,能够显著改善半导体器件的建模流程。
关键词 安捷伦科技公司 器件建模 平台软件 射频器件 PROFESSIONAL 表征 直流 半导体器件
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LTC5564(射频器件)
17
《电子设计工程》 2011年第1期61-61,共1页
凌力尔特公司推出一款精准RF功率检波器LTC5564，该器件在600MHz-15GHz的频率范围内工作．对脉冲RF信号具有出色的7ns快速响应时间。此外，该器件还具有一个传播延迟为9ns的内置快速比较器。该比较器的门限电压可由用户设定，因而提供... 凌力尔特公司推出一款精准RF功率检波器LTC5564，该器件在600MHz-15GHz的频率范围内工作．对脉冲RF信号具有出色的7ns快速响应时间。此外，该器件还具有一个传播延迟为9ns的内置快速比较器。该比较器的门限电压可由用户设定，因而提供了一个灵活的跳变点。该器件的输出可以通过确定一个锁存使能引脚进行锁存，从而允许快速捕获短持续时间、 展开更多
关键词 射频器件 RF功率 响应时间 RF信号 频率范围 传播延迟 门限电压 持续时间
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从GSM到TD-SCDMA飞思卡尔实现无线射频器件的先进技术
18
《单片机与嵌入式系统应用》 2007年第7期78-79,共2页
关键词 射频器件 GSM SCDMA 卡尔 技术 TD 通信设备制造商 突破性
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RFMD拓展中国封装厂规模射频器件产能提高50％
19
《集成电路应用》 2006年第1期11-11,共1页
射频集成电路供应商RF Micro Devices公司（RFMD）宣布，该公司董事会已批准其RFMD封装工厂的拓展，该拓展计划于2006年第二季度开始实施。公司预计这次拓展将使RFMD的封装产能提高近50％，而这提高的部分占该公司封装需求的大约25％。
关键词 封装 射频器件 产能 DEVICES 中国 射频集成电路 MICRO 公司 供应商 董事会
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Microsemi开发下一代高电压高功率射频器件
20
《单片机与嵌入式系统应用》 2011年第8期86-86,共1页
美高森美公司发布用于开发下一代高电压大功率系统的设计指南，这些系统以公司独有的数字射频（Digital Radio Frequency，DRF）系列混合模块为基础，广泛应用于半导体加工、LCD玻璃涂层、太阳能电池生产、光学器件及建筑玻璃涂层、有... 美高森美公司发布用于开发下一代高电压大功率系统的设计指南，这些系统以公司独有的数字射频（Digital Radio Frequency，DRF）系列混合模块为基础，广泛应用于半导体加工、LCD玻璃涂层、太阳能电池生产、光学器件及建筑玻璃涂层、有害气体处理、CO2激光激发、MRIRF放大器、RF手术刀和感应加热等系统中。 展开更多
关键词 高电压 射频器件 开发 高功率 大功率系统 RF放大器 玻璃涂层 半导体加工
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