伴随着资源节约型、环境友好型发展战略的贯彻实施,国家对新能源汽车发展给予了重点关注和重点扶持。以激光雷达、无人驾驶、智能车联网、人车交互系统等技术为代表的新能源电动汽车智能化发展趋势,新能源汽车上以电机、功率转化器及绝...伴随着资源节约型、环境友好型发展战略的贯彻实施,国家对新能源汽车发展给予了重点关注和重点扶持。以激光雷达、无人驾驶、智能车联网、人车交互系统等技术为代表的新能源电动汽车智能化发展趋势,新能源汽车上以电机、功率转化器及绝缘栅双极晶体管(IGBT)、动力电池、无线充电系统等为主的组件或设备会有很强的电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)产生,高压连接器是连接电动汽车三电系统(电池、电机、电控)的主体元器件,一方面直接与上述设备互联,另一方面本身传输的高电压、大电流也会产生强烈且随工况变化而突变的电磁干扰,所以其屏蔽结构直接影响到连接器线束总成及整车的电磁兼容(Electro Magnetic Compatibility,EMC)性能。本次研究设计一种以圆孔替代方孔的屏蔽结构,经过有限元仿真分析,发现优化改良后的连接器屏蔽结构不仅保证了连接器的链接性能,且电磁辐射屏蔽效果较为突出,可做进一步的推广应用。展开更多
介绍了550 kV SF6气体绝缘金属封闭式组合电器(GIS)高海拔套管的绝缘屏蔽结构参数对电场分布的影响。针对套管单屏蔽结构方案,通过有限元法研究了接地屏蔽层翻边结构参数组合对套管内部最大电场强度的影响;研究了接地屏蔽层高度对GIS套...介绍了550 kV SF6气体绝缘金属封闭式组合电器(GIS)高海拔套管的绝缘屏蔽结构参数对电场分布的影响。针对套管单屏蔽结构方案,通过有限元法研究了接地屏蔽层翻边结构参数组合对套管内部最大电场强度的影响;研究了接地屏蔽层高度对GIS套管内外绝缘电场强度分布的影响。从而通过最优化接地屏蔽层高度和接地屏蔽层翻边结构参数组合,得到合理的套管内外电场分布,有效解决了高海拔型套管外绝缘修正后的内外电场分布均匀化问题,为550 k V SF6气体绝缘高海拔套管的绝缘结构设计提供了理论依据。展开更多
中压开关柜的空间狭小使基于电阻分压的EVT(electronic voltage transformer,EVT)存在较大的分布电容而影响其准确度。通过EVT与开关柜之间的分布电容等效电路模型,分析了分布电容对EVT准确度的影响。仿真对比了不同屏蔽结构的单相EVT...中压开关柜的空间狭小使基于电阻分压的EVT(electronic voltage transformer,EVT)存在较大的分布电容而影响其准确度。通过EVT与开关柜之间的分布电容等效电路模型,分析了分布电容对EVT准确度的影响。仿真对比了不同屏蔽结构的单相EVT及三相EVT开关柜环境下的输出电压变化及最大场强,结果表明,对于整体高度相等的屏蔽罩,高低压屏蔽结构和高压屏蔽结构的屏蔽效果较优,在屏蔽整体高度达到60 mm时,开关柜分布电容对EVT比差的影响可降低到0.1%左右,当整体屏蔽高度达到90 mm时,其影响可降低到0.02%以内。采用高压屏蔽结构的样机测试结果验证了屏蔽结构对于开关柜分布电容屏蔽的有效性。展开更多
文摘伴随着资源节约型、环境友好型发展战略的贯彻实施,国家对新能源汽车发展给予了重点关注和重点扶持。以激光雷达、无人驾驶、智能车联网、人车交互系统等技术为代表的新能源电动汽车智能化发展趋势,新能源汽车上以电机、功率转化器及绝缘栅双极晶体管(IGBT)、动力电池、无线充电系统等为主的组件或设备会有很强的电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)产生,高压连接器是连接电动汽车三电系统(电池、电机、电控)的主体元器件,一方面直接与上述设备互联,另一方面本身传输的高电压、大电流也会产生强烈且随工况变化而突变的电磁干扰,所以其屏蔽结构直接影响到连接器线束总成及整车的电磁兼容(Electro Magnetic Compatibility,EMC)性能。本次研究设计一种以圆孔替代方孔的屏蔽结构,经过有限元仿真分析,发现优化改良后的连接器屏蔽结构不仅保证了连接器的链接性能,且电磁辐射屏蔽效果较为突出,可做进一步的推广应用。
文摘介绍了550 kV SF6气体绝缘金属封闭式组合电器(GIS)高海拔套管的绝缘屏蔽结构参数对电场分布的影响。针对套管单屏蔽结构方案,通过有限元法研究了接地屏蔽层翻边结构参数组合对套管内部最大电场强度的影响;研究了接地屏蔽层高度对GIS套管内外绝缘电场强度分布的影响。从而通过最优化接地屏蔽层高度和接地屏蔽层翻边结构参数组合,得到合理的套管内外电场分布,有效解决了高海拔型套管外绝缘修正后的内外电场分布均匀化问题,为550 k V SF6气体绝缘高海拔套管的绝缘结构设计提供了理论依据。
文摘中压开关柜的空间狭小使基于电阻分压的EVT(electronic voltage transformer,EVT)存在较大的分布电容而影响其准确度。通过EVT与开关柜之间的分布电容等效电路模型,分析了分布电容对EVT准确度的影响。仿真对比了不同屏蔽结构的单相EVT及三相EVT开关柜环境下的输出电压变化及最大场强,结果表明,对于整体高度相等的屏蔽罩,高低压屏蔽结构和高压屏蔽结构的屏蔽效果较优,在屏蔽整体高度达到60 mm时,开关柜分布电容对EVT比差的影响可降低到0.1%左右,当整体屏蔽高度达到90 mm时,其影响可降低到0.02%以内。采用高压屏蔽结构的样机测试结果验证了屏蔽结构对于开关柜分布电容屏蔽的有效性。
