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基于Si/Si_(1-x)Ge_x/Si异质结双极性晶体管的微波功率器件电流密度的数值拟合计算: 1; 作者张乒曾健平 +1 位作者文剑田涛《真空电子技术》 2005年第1期24-27,共4页; 采用异质结双台面双极型结构设计微波功率器件,选择Si作发射区和集电区,Si1-xGex合金作基区的n p n型异质结双极性晶体管,利用数学方法,通过实验数据,采用MATLAB得到了一个比线性化更精确的禁带宽度Eg在300K时关于Ge组分变化的方程。并... 展开更多; 关键词双极型异质结双极性晶体管微波功率器件 si1-xGe 数值方法; 在线阅读下载PDF 职称材料

一款低附加相位噪声X波段四倍频MMIC的设计被引量：1: 2; 作者方园吴洪江吴永辉《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期106-109,153,共5页; 基于GaAs异质结双极性晶体管（HBT）工艺设计了一款输出频率为8~10 GHz的X波段四倍频器单片微波集成电路（MMIC）。采用两级对管平衡倍频器级联结构,并在输出端设计了驱动放大器,实现了高变频增益和良好谐波抑制。基于GaAs HBT工艺优良... 展开更多; 关键词 GaAs异质结双极性晶体管(HBT) X波段四倍频器附加相位噪声单片微波集成电路(MMIC); 在线阅读下载PDF 职称材料

GaInP/GaAs HBT高频噪声特性分析: 3; 作者程知群车延锋 +1 位作者刘海文孙晓玮《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期466-469,共4页; 通过器件Z参数分析噪声等效电路及计算最小噪声系数 ,利用HPADS软件仿真了等效电路元件对最小噪声系数的影响 ,从而得出了根据器件几何、物理参数来改进器件高频噪声性能的有效途径。; 关键词异质结双极性晶体管最小噪声系数噪声等效电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种新颖的HBT小信号模型参数直接提取方法: 4; 作者时红娟何国荣《信息技术》 2013年第6期166-168,共3页; 提出了一种改进了的HBT小信号参数直接提取的方法。该方法中在提取极间寄生参数的基础上采用fly-back技术提取发射极和集电极电阻,降低了传统的采用集电极开路的方法提取全部电阻参数的复杂度,并且建立了一套完整的直接提取HBT小信号模... 展开更多; 关键词小信号模型异质结双极性晶体管参数提取; 在线阅读下载PDF 职称材料

功率AlGaAs/GaAs HBT自加热频率特性: 5; 作者王源张义门张玉明《计算物理》 CSCD 北大核心 2003年第5期467-470,共4页; 　提出了一种功率AlGaAs/GaAsHBT的自加热温度模型,讨论了在大电流条件下,器件晶格温度升高和基区扩展效应对HBT器件频率特性的影响,并对器件的晶格温度、截止频率和最高振荡频率在自加热条件下的变化分别进行了计算和模拟.; 关键词功率AlGaAs/GaAsHBT 自加热温度模型频率特性异质结双极性晶体管晶格温度截止频率最高振荡频率; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs MMIC的热生成机制的建模与仿真方法: 6; 作者赵磊何小琦 +2 位作者来萍周斌恩云飞《电子产品可靠性与环境试验》 2013年第6期36-40,共5页; 以GaAs基异质结双极性晶体管(HBT)单片微波集成电路(MMIC)为例,研究了器件内部的热生成机制,包括:确定器件内部的热生成机制及热生成区的位置,讨论器件内部热传导和热耗散的形式,建立器件的详细3 D实体模型。利用有限元软件ANSYS WorkBe... 展开更多; 关键词热生成区峰值结温有限元仿真单片微波集成电路异质结双极性晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs HBT低噪声放大器的Pspice模型预测与分析: 7; 作者吴健煜吴建飞 +3 位作者杜传报毛从光郑亦菲张红丽《现代应用物理》 2022年第2期16-23,共8页; 针对传统模型因芯片封装无法利用矢量网络分析仪提取散射参数进行建模仿真的问题,对传统模型预测方法进行了改进。对一款GaAs异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)低噪声放大器(low noise amplifier,LNA)进行建模... 展开更多; 关键词低噪声放大器电路建模 Pspice模型预测异质结双极性晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于光电集成的InP基HBT新结构被引量：6: 8; 作者崔海林任晓敏 +3 位作者黄辉李轶群王文娟黄永清《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期263-266,共4页; 对用于光电集成(OEIC)的InP基异质结双极性晶体管(HBT)进行了分析,提出了一种新的集电区外延结构,该结构是在单HBT(SHBT)的集电区与次集电区间加入特定厚度与掺杂浓度的p-InGaAs层和n-InP层,既适用于集成光探测器,又较好地解决了SHBT反... 展开更多; 关键词光电集成(OEIC) 异质结双极性晶体管(HBT) 复合集电区; 原文传递

InP基PIN＋HBT光电集成器件的设计与研制被引量：2: 9; 作者崔海林任晓敏 +3 位作者李轶群苗昂黄辉黄永清《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期285-288,共4页; 对用于光电集成电路(OEIC)的InP基异质结双极性晶体管(HBT)及PIN探测器进行了设计与研制,讨论了堆叠层结构和共享层结构2种常见的集成方式,通过实验比较,确定了共享层结构器件性能更好,并对此结构进行了改进。所研制的HBT截止频率达到30... 展开更多; 关键词光电集成电路(OEIC) 异质结双极性晶体管(HBT) PIN; 原文传递

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