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硅微波功率器件二次发射极镇流研究 被引量：3
1
作者 王因生 林金庭 张树丹 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第12期912-915,共4页
本文报道了采用多晶硅电阻和扩散电阻组合而成的复合镇流电阻对硅微波功率器件进行二次发射极镇流的实验结果．
关键词 硅微波功率器件 二次发射极镇流 镇流电阻
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固态微波功率器件测试方法研究 被引量：2
2
作者 王文娟 项道才 胡菊萍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期974-978,共5页
固态微波功率器件由于其大功率、高频率、宽频带的特性,使其微波电参数的测试成为一大难点,特别是对非同轴、无内匹配的功率器件而言,微波参数的测量难度更大。介绍了固态微波功率器件测试的整体方案,针对某款SiC器件的尺寸及特性,设计... 固态微波功率器件由于其大功率、高频率、宽频带的特性,使其微波电参数的测试成为一大难点,特别是对非同轴、无内匹配的功率器件而言,微波参数的测量难度更大。介绍了固态微波功率器件测试的整体方案,针对某款SiC器件的尺寸及特性,设计制作了相应的测试夹具及校准件,利用矢量网络分析仪及阻抗调谐器搭建测试平台,通过负载牵引技术调整输入输出阻抗,并通过TRL校准技术消除夹具引入的误差,将被测端面移动到被测件的两端,得到被测器件的真实特性。经实验验证,在器件工作频率范围内测试系统的阻抗都能达到良好匹配,并得到被测器件的最佳性能指标。 展开更多
关键词 微波功率器件 测试夹具 校准件 负载牵引系统 去嵌入
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微波功率器件及其材料的发展和应用前景 被引量：1
3
作者 文剑 曾健平 晏敏 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第2期33-37,共5页
介绍了微波功率器件的发展和前景,对HBT,MESFET和HEMT微波功率器件材料的特点和选取,以及器件的特性和设计做了分类说明。着重介绍了SiGe合金、InPSiC、GaN等新型微波功率器件材料。并对目前各种器件的最新进展和我国微波功率器件的研... 介绍了微波功率器件的发展和前景,对HBT,MESFET和HEMT微波功率器件材料的特点和选取,以及器件的特性和设计做了分类说明。着重介绍了SiGe合金、InPSiC、GaN等新型微波功率器件材料。并对目前各种器件的最新进展和我国微波功率器件的研制现状及与国外的差距做了概述与展望。 展开更多
关键词 微波功率器件 化合物半导体 电磁波 晶体管 二极管
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GaAs场效应微波功率器件稳态热场分析的等效结构模型 被引量：5
4
作者 张鸿欣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期591-596,共6页
提出了用于计算ＧａＡｓ场效应微波功率器件峰值沟道温度的等效结构模型．其中底座与芯片等截面的等效厚度处理和多胞单胞化处理，使计算工作量下降约二个数量级．计算的峰值沟道温度与修正（包括了胞内热场分布影响、胞间热场分布影响... 提出了用于计算ＧａＡｓ场效应微波功率器件峰值沟道温度的等效结构模型．其中底座与芯片等截面的等效厚度处理和多胞单胞化处理，使计算工作量下降约二个数量级．计算的峰值沟道温度与修正（包括了胞内热场分布影响、胞间热场分布影响和瞬态冷却过程影响）后的电学法测量值的差别约为３℃． 展开更多
关键词 砷化镓 场效应 微波功率器件 稳态热场分析
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固态微波功率器件测量夹具及其校准技术研究 被引量：4
5
作者 王文娟 张继平 +3 位作者 阚劲松 王酣 王晓童 殷玉喆 《计测技术》 2017年第4期36-39,共4页
固态微波功率器件由于其封装形式的特殊性,测量过程中必须引入测量夹具作为桥梁,才能完成接口形式的转换,进而开展测试工作。针对固态微波功率器件微波电参数在测试中,测量夹具给测量结果带来影响的问题,对固态微波功率器件测量夹具及... 固态微波功率器件由于其封装形式的特殊性,测量过程中必须引入测量夹具作为桥梁,才能完成接口形式的转换,进而开展测试工作。针对固态微波功率器件微波电参数在测试中,测量夹具给测量结果带来影响的问题,对固态微波功率器件测量夹具及其校准技术进行了研究。文章介绍了采用TRL校准方法,并利用矢量网络分析仪的误差修正功能来去除测量夹具误差,从而得到被测器件的真实性能参数。通过具体试验数据表明,对测量夹具的校准和误差的去除是可行有效的,从而可以在测量结果中去除测量夹具的影响而得到被测器件的"净"参数。 展开更多
关键词 固态微波功率器件 测试夹具 误差修正
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基于TEM室的微波功率器件电磁兼容测试技术 被引量：1
6
作者 任翔 马帅帅 +2 位作者 李静 肖苗苗 程婷婷 《舰船电子工程》 2019年第8期166-168,189,共4页
电磁兼容对微波功率器件有着及其重要的意义,微波功率器件电磁兼容性能的优劣会对系统工作的稳定性和可靠性产生直接影响。论文从TEM室的设计方法、辐射发射测试方法和抗扰度测试方法等方面介绍了基于TEM室的微波功率器件电磁兼容测试方... 电磁兼容对微波功率器件有着及其重要的意义,微波功率器件电磁兼容性能的优劣会对系统工作的稳定性和可靠性产生直接影响。论文从TEM室的设计方法、辐射发射测试方法和抗扰度测试方法等方面介绍了基于TEM室的微波功率器件电磁兼容测试方法,该测试方法具有结构封闭、抗干扰能力强、成本低廉、操作方便等优点,可对微波功率器件的辐射发射及抗干扰度进行表征。 展开更多
关键词 微波功率器件 电磁兼容 TEM
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微波功率器件及其材料的发展和应用前景 被引量：3
7
作者 文剑 曾健平 晏敏 《电子与封装》 2005年第11期1-8,共8页
本文介绍了微波功率器件的发展和前景，对HBT、MESFET和HEMT微波功率器件的材料的特点和选取，以及器件的特性和设计做了分类说明。着重介绍了SiGe合金、InP、SiC、GaN等新型的微波功率器件材料。并对目前各种器件的最新进展和我国微波... 本文介绍了微波功率器件的发展和前景，对HBT、MESFET和HEMT微波功率器件的材料的特点和选取，以及器件的特性和设计做了分类说明。着重介绍了SiGe合金、InP、SiC、GaN等新型的微波功率器件材料。并对目前各种器件的最新进展和我国微波功率器件的研制现状及与国外的差距做了概述与展望。 展开更多
关键词 微波功率器件 设计 材料 HBT MESFET HEMT
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微波功率器件及其电路 被引量：2
8
作者 党冀萍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第4期17-20,48,共5页
简要地介绍了国内外微波功率器件及其电路的发展现状，分析了在微波功率方面与国外的差距，并指出了造成目前差距的原因所在，对以后我国在微波功率方面的发展提出了建议。
关键词 微波功率器件 电路
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非掺杂AlGaN/GaN HEMT微波功率器件
9
作者 曾庆明 李献杰 +2 位作者 周洲 王勇 王晓亮 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期151-154,共4页
介绍了非掺杂GaN HEMT微波功率器件的结构、制造工艺和测试结果.制作了几种0.6μm栅长、100～1000μm不同栅宽的器件,对于栅宽分别为100,300和500μm的器件,典型最大跨导为190～170mS/mm;截止频率比较相近,大约为24GHz;而最高振荡频率... 介绍了非掺杂GaN HEMT微波功率器件的结构、制造工艺和测试结果.制作了几种0.6μm栅长、100～1000μm不同栅宽的器件,对于栅宽分别为100,300和500μm的器件,典型最大跨导为190～170mS/mm;截止频率比较相近,大约为24GHz;而最高振荡频率随栅宽增加而降低,分别为56,46和40GHz.测试了8GHz频率时,不同工作条件下1000μm栅宽器件的连续波微波功率特性:Vds=17V,Id=310mA,Pin=25.19dBm时,Po=30dBm(1W),Ga=4.81dB;Vds=18V,Id=290mA,Pin=27dBm时,Po=31.35dBm(1.37W),Ga=4.35dB. 展开更多
关键词 GAN HEMT 微波功率器件
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基片焊接不良导致微波功率器件热烧毁 被引量：2
10
作者 徐爱斌 李少平 《电子产品可靠性与环境试验》 2004年第1期15-19,共5页
利用声学扫描检测技术,提示了热烧毁的微波功率器件氧化铍陶瓷基片与底座金属散热片的焊接不良现象;通过对样品的研磨与剥离,验证了焊接界面存在大面积空隙的状况;分析了其失效机理,并提出了建议。
关键词 微波功率器件 界面空隙 热烧毁
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基于Si/Si_(1-x)Ge_x/Si HBT的微波功率器件Ge组分的数值拟合计算
11
作者 曾健平 周少华 +2 位作者 文剑 李宇 田涛 《电子器件》 CAS 2005年第2期251-253,共3页
采用异质结双台面双极型结构设计微波功率器件,选择Si作发射区和集电区,Si1-xGex合金作基区的n-p-n型HBT,利用数学方法,通过实验数据,采用MATLAB得到了一个比线性化更精确的禁带宽度Eg在300K时关于Ge组分变化的方程。并用数值方法计算... 采用异质结双台面双极型结构设计微波功率器件,选择Si作发射区和集电区,Si1-xGex合金作基区的n-p-n型HBT,利用数学方法,通过实验数据,采用MATLAB得到了一个比线性化更精确的禁带宽度Eg在300K时关于Ge组分变化的方程。并用数值方法计算出集电区电流密度Jc随VBE变化的直流方程,与实验结果相符。并得到一个最佳的Ge组分值。对器件的仿真设计具有实际指导意义。 展开更多
关键词 双极型 微波功率器件 SI1-XGEX 数值方法
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用于微波功率器件的层级式片上功率合成技术
12
作者 黄伟 严利人 周卫 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期691-696,共6页
提出了一个包含版图分布参数和引线寄生参数在内的微波功率HBT的宏模型,建立了通过微波仿真进行器件结构优化的技术方法。基于以上模型和方法,较为全面地评估了实际器件中各寄生参数对器件输出功率的影响,继而提出了片上功率合成的层级... 提出了一个包含版图分布参数和引线寄生参数在内的微波功率HBT的宏模型,建立了通过微波仿真进行器件结构优化的技术方法。基于以上模型和方法,较为全面地评估了实际器件中各寄生参数对器件输出功率的影响,继而提出了片上功率合成的层级式技术方案。数值计算指出,采用该方案,在相同版图面积并且器件的线性度等关键性指标得到保证的情况下,可有效地提高SiGe HBT的功率容量。 展开更多
关键词 微波功率器件 大信号模型 SIGE HBT 功率合成
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微波功率器件金属化布线回流加固结构
13
作者 孙英华 李志国 +1 位作者 程尧海 张万荣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期705-710,共6页
在回流动力学理论和实验研究的基础上 ,将回流加固结构应用于实际微波功率器件 .结合器件具体结构和制备工艺 ,对金属化布线电流分布和最佳回流长度进行了模拟计算和分析 ,结合实际工艺优化设计了回流加固结构 ,制备了六种结构样管 ,电... 在回流动力学理论和实验研究的基础上 ,将回流加固结构应用于实际微波功率器件 .结合器件具体结构和制备工艺 ,对金属化布线电流分布和最佳回流长度进行了模拟计算和分析 ,结合实际工艺优化设计了回流加固结构 ,制备了六种结构样管 ,电热应力试验结果表明 :采用一个缝隙、缝隙宽度为 3μm的结构回流加固效果最好 ,抗热电徙动能力最强 .利用回流效应可有效降低微波管中的纵向 ( Al- Si界面 )电迁徙失效 。 展开更多
关键词 回流结构 金属化 微波功率器件
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基于Si/Si_(1-x)Ge_x/Si异质结双极性晶体管的微波功率器件电流密度的数值拟合计算
14
作者 张乒 曾健平 +1 位作者 文剑 田涛 《真空电子技术》 2005年第1期24-27,共4页
采用异质结双台面双极型结构设计微波功率器件,选择Si作发射区和集电区,Si1-xGex合金作基区的n p n型异质结双极性晶体管,利用数学方法,通过实验数据,采用MATLAB得到了一个比线性化更精确的禁带宽度Eg在300K时关于Ge组分变化的方程。并... 采用异质结双台面双极型结构设计微波功率器件,选择Si作发射区和集电区,Si1-xGex合金作基区的n p n型异质结双极性晶体管,利用数学方法,通过实验数据,采用MATLAB得到了一个比线性化更精确的禁带宽度Eg在300K时关于Ge组分变化的方程。并用数值方法计算出集电区电流密度Jc随VBE变化的直流方程,与实验结果相符,并得到一个最佳的Ge组分值。 展开更多
关键词 双极型 异质结双极性晶体管 微波功率器件 si1-xGe 数值方法
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精确预计SiBJT微波功率器件峰值结温的方法
15
作者 张鸿欣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期646-651,共6页
三维全热程热电一体地模拟了 Si BJT微波功率器件 .热场计算包括从芯片的有源区经芯片 -粘接层 -基片 -粘接层 -底座直到固定于 70℃的安装台面的整个散热过程 .在处理热电正反馈时把有源区的 6 0个基本单元 (子胞 )当成 6 0个并联子胞... 三维全热程热电一体地模拟了 Si BJT微波功率器件 .热场计算包括从芯片的有源区经芯片 -粘接层 -基片 -粘接层 -底座直到固定于 70℃的安装台面的整个散热过程 .在处理热电正反馈时把有源区的 6 0个基本单元 (子胞 )当成 6 0个并联子胞晶体管进行建模 ,子胞模型包括子胞晶体管本身、基区横向扩展电阻、发射区横向扩展电阻 .热电一体分析除了涉及 Vbe随温度变化外 ,还有子胞发射极有效面积随子胞发射极电流上升而下降的效应 (以下称面积效应 ) .与对有源区各点直接进行分析相比 ,子胞建模不仅大大简化了计算 ,而且摸拟结果与器件结构、版图结构、工艺参数关系清楚 .模拟预计的热斑温度 (2 0 4℃ )与投片后三个样品的平均测量结果 (197℃ )在实验误差(10℃ )内一致 .模拟结果说明面积效应对抑制热电正反馈有重要作用 . 展开更多
关键词 可靠性 热模拟 双极微波功率器件 BJT 峰值结温 硅
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氮化镓微波功率器件研究动态(下)
16
作者 张秋 程子秦 周钦沅 《信息技术与标准化》 2012年第5期66-68,共3页
（上接2012年第4期第61页）4．1．3KORRIGAN的成果KORRIGAN分为四个子项目：材料、工艺、可靠性、热量管理和封装。经过五年的努力，KORRIGAN已实现下列成果：
关键词 微波功率器件 氮化镓 可靠性 封装
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基于性能退化数据的固态微波功率器件加速寿命试验
17
作者 王文娟 柳华光 +1 位作者 邢荣欣 王耀国 《电子质量》 2020年第10期53-57,共5页
该文针对固态微波功率器件的实际工作条件,选择Ga N固态微波功率器件,开展直流稳态加速寿命试验和射频动态加速寿命试验,通过二者试验数据,分析器件的退化趋势,并得出器件的失效率,对固态微波功率器件的寿命可靠性研究提供参考。
关键词 微波功率器件 加速寿命试验 性能退化
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微波功率器件动态试验系统 被引量：2
18
作者 来萍 张晓明 +3 位作者 荣炳麟 冯敬东 范国华 金毓铨 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期451-454,共4页
为开展微波功率器件动态加速寿命试验,建立了一套由计算机实时监测的微波动态试验系统。采用微带电路剥离以及加热部件与其他电路的隔热连接等方法,实现了对每个器件进行独立的内腔式加热,从而单独提高受试器件环境温度,保证了高温应力... 为开展微波功率器件动态加速寿命试验,建立了一套由计算机实时监测的微波动态试验系统。采用微带电路剥离以及加热部件与其他电路的隔热连接等方法,实现了对每个器件进行独立的内腔式加热,从而单独提高受试器件环境温度,保证了高温应力下微波动态电路的稳定性和可靠性。同时编制了计算机程序软件,解决了参数校准、参数提取等方面存在的误差修正及提高测试精度等技术问题,实现了对试验过程的实时监测和数据的完整保存。 展开更多
关键词 微波功率器件 动态 试验系统
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S波段GaN微波功率器件的研制 被引量：4
19
作者 周泽伦 多新中 王栋 《电子器件》 CAS 北大核心 2017年第1期27-32,共6页
简要介绍了第3代新型半导体材料GaN的特点和优势,基于Agilent ADS微波仿真软件设计并实现了一款工作于S波段基于GaN的高效超宽带微波功率器件。测试结果表明,该器件适用于2.7 GHz^3.5 GHz的超宽带,连续波和脉冲制式均可工作,在饱和状态... 简要介绍了第3代新型半导体材料GaN的特点和优势,基于Agilent ADS微波仿真软件设计并实现了一款工作于S波段基于GaN的高效超宽带微波功率器件。测试结果表明,该器件适用于2.7 GHz^3.5 GHz的超宽带,连续波和脉冲制式均可工作,在饱和状态下,输出功率大于15 W,增益达到13 d B,漏极效率超过45%,并在管壳内部实现了匹配和偏置电路,对GaN MOSFET微波功率器件小型化、超宽带、高增益和高效率的优异性能得以验证和实现。 展开更多
关键词 GAN 微波功率器件 ADS 超宽带 高效率
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微波功率器件大信号S参数的提取
20
作者 高学邦 蒋竞棋 《半导体情报》 1996年第2期52-55,共4页
介绍了微波有源器件大信号模型的计算机模拟技术和利用商品化软件ＨＰＭＤＳ提取大信号Ｓ参数的方法。
关键词 参数提取 大信号S参数 微波功率器件 放大器
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