感应耦合等离子体刻蚀在聚合物光波导制作中的应用 被引量：9

1

作者 张琨 岳远斌 +2 位作者 李彤 孙小强 张大明 《中国光学》 EI CAS 2012年第1期64-70,共7页

提出了利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术提高聚合物光波导器件性能的方法,介绍了ICP刻蚀技术的原理和优点。选取聚甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸环氧丙酯(P(MMA-GMA))作为波导材料,采用氧气作为刻蚀气体,研究了ICP参数变化对刻蚀效果的... 提出了利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术提高聚合物光波导器件性能的方法,介绍了ICP刻蚀技术的原理和优点。选取聚甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸环氧丙酯(P(MMA-GMA))作为波导材料,采用氧气作为刻蚀气体,研究了ICP参数变化对刻蚀效果的影响。介绍了倒脊形光波导的制备过程,采用改变单一工艺参数的方法,分析了刻蚀效果随时间、功率、压强、气体流量等参数的变化,对参数优化后刻蚀得到的凹槽和平板结构进行了表征。实验结果表明:在天线射频功率为300 W,偏置射频功率为30 W,气体压强为0.5 Pa,氧气流速为50 cm3/min的条件下,可获得侧壁陡直、底面平整的P(MMA-GMA)凹槽结构。 展开更多

关键词 聚合物光波导 倒脊形光波导 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀

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基于感应耦合等离子刻蚀技术的三维微拉伸梁制作工艺

2

作者 张段芹 褚金奎 +1 位作者 侯志武 王立鼎 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期182-186,共5页

根据感应耦合等离子(Inductively coupled plasma,ICP)刻蚀的机理,针对热氧化硅薄膜微拉伸梁的结构特点,研究ICP刻蚀制作3D微拉伸梁结构的工艺并解决其中的难点问题。介绍ICP刻蚀工艺参数对刻蚀质量的影响,包括存在的微负载效应和深宽... 根据感应耦合等离子(Inductively coupled plasma,ICP)刻蚀的机理,针对热氧化硅薄膜微拉伸梁的结构特点,研究ICP刻蚀制作3D微拉伸梁结构的工艺并解决其中的难点问题。介绍ICP刻蚀工艺参数对刻蚀质量的影响,包括存在的微负载效应和深宽比效应。详细介绍热氧化硅薄膜微拉伸梁的制作,其关键步骤是双掩膜两次ICP刻蚀形成阶梯状窗口结构,并在硅衬底表面形成释放了的热氧化硅薄膜梁。利用ICP刻蚀对单晶硅的高选择性,此制作工艺适用于各种薄膜的微拉伸梁制作。 展开更多

关键词 感应耦合等离子刻蚀 阶梯状窗口 热氧化硅薄膜 微拉伸梁

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Cl_2/Ar/O_2环境下使用光刻胶掩膜的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀GaAs的研究 被引量：3

3

作者 范惠泽 刘凯 +7 位作者 黄永清 蔡世伟 任晓敏 段晓峰 王琦 刘昊 吴瑶 费嘉瑞 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期286-289,共4页

自1970年,元件制造首先采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术后,至今30多年,它的发展与集成电路和光电子器件发展密不可分,很大程度上,干法刻蚀的水平决定了整个产业的水平和规模。在本文中,本课题组使用ICP刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在Cl_2/A... 自1970年,元件制造首先采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术后,至今30多年,它的发展与集成电路和光电子器件发展密不可分,很大程度上,干法刻蚀的水平决定了整个产业的水平和规模。在本文中,本课题组使用ICP刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在Cl_2/Ar/O_2环境下,研究控制刻蚀气流组成成分,刻蚀气流总速率等不同的刻蚀条件对于GaAs材料刻蚀速率的影响。实验表明,当刻蚀气流的成分不变的情况下,GaAs的刻蚀速率随着总刻蚀气流速率的增加而增加。刻蚀孔径的大小和Cl_2的含量多少也会影响GaAs的刻蚀速率。当O_2的含量在5%左右或者大于5%的实验中,GaAs材料的刻蚀表面的粗糙度几乎没有被刻蚀所影响。同时,给出了实验现象的简要分析和解释。 展开更多

关键词 GAAS 感应耦合等离子体刻蚀 CL2 O2 刻蚀速率 表面的粗糙度

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基于AZ6130光刻胶掩膜的氮化硅ICP刻蚀工艺

4

作者 白敬元 杨洪广 +2 位作者 占勤 窦志昂 张志坤 《材料热处理学报》 北大核心 2025年第3期208-214,共7页

使用AZ6130光刻胶作为等离子增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀掩膜,分析了前后烘温度、匀胶转速及曝光剂量对光刻胶侧壁形貌的影响,探究了ICP功率对光刻胶掩膜及氮化硅刻蚀形貌的影响。结果表明:当前烘温度为9... 使用AZ6130光刻胶作为等离子增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀掩膜,分析了前后烘温度、匀胶转速及曝光剂量对光刻胶侧壁形貌的影响,探究了ICP功率对光刻胶掩膜及氮化硅刻蚀形貌的影响。结果表明:当前烘温度为90℃、后烘温度为110℃、匀胶转速为6000 r/min、曝光剂量为57.6 mJ/cm^(2)时,可以得到截面形貌较佳的光刻胶掩膜;当ICP功率为300 W、RF功率为50 W、腔室压力为5 mTorr、CF_(4)流量为50 mL/min、N_(2)流量为50 mL/min、托盘温度为10℃时,可以得到刻蚀缺陷较少的氮化硅微结构,该工艺的刻蚀速率为1.71 nm/s、刻蚀选择比为0.83。 展开更多

关键词 光刻 氮化硅 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀

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全息光刻-反应离子束刻蚀制作硅光栅 被引量：1

5

作者 郑衍畅 王铭 +3 位作者 胡华奎 王雅楠 杨春来 王海 《安徽工程大学学报》 CAS 2019年第6期28-32,45,共6页

全息光刻-反应离子束刻蚀是一种非常重要的制作光栅的方法,而如何解决全息曝光中的驻波问题,提高光栅的制作质量,实现该方法向硅材料等高反射率基底的推广应用是一项急需解决的问题。研究开发了一套完整可行的全息光刻-反应离子束刻蚀... 全息光刻-反应离子束刻蚀是一种非常重要的制作光栅的方法,而如何解决全息曝光中的驻波问题,提高光栅的制作质量,实现该方法向硅材料等高反射率基底的推广应用是一项急需解决的问题。研究开发了一套完整可行的全息光刻-反应离子束刻蚀制作硅光栅的方法,成功制得1μm周期的高质量硅光栅,光栅侧壁陡直且光滑。理论分析得到,全息曝光驻波效应的强弱跟基底的反射率成正相关,通过涂布减反膜将基底反射率降低到了2%以下,成功解决了驻波问题。探究并优化了感应耦合等离子体刻蚀减反膜的工艺参数,得到了陡直且光滑的光栅掩膜。并与热压增大掩膜占宽比的技术相结合,实现了对掩膜占宽比的双向调控,既可调大,也可调小,得到了占宽比分别为0.29和0.44的硅光栅。该方法工艺可控性好,制作质量高,通用性强,不仅适用于硅材料,也可扩展到其他高反射率材料,不仅适用于一维光栅,也可扩展到二维光栅。 展开更多

关键词 硅光栅 全息光刻 反应离子束刻蚀 驻波 感应耦合等离子体刻蚀

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ICP深硅刻蚀工艺研究

6

作者 赵洋 高渊 宋洁晶 《电子工业专用设备》 2024年第5期42-46,共5页

深硅刻蚀工艺是MEMS器件制造过程中的关键工艺之一。加速度计的梳齿结构、滤波器及压力传感器的硅腔结构都是决定器件性能的关键工艺,均需要通过深硅刻蚀制备。梳齿的垂直度以及硅腔的侧壁平整度均会对器件的性能产生直接影响。针对深... 深硅刻蚀工艺是MEMS器件制造过程中的关键工艺之一。加速度计的梳齿结构、滤波器及压力传感器的硅腔结构都是决定器件性能的关键工艺,均需要通过深硅刻蚀制备。梳齿的垂直度以及硅腔的侧壁平整度均会对器件的性能产生直接影响。针对深硅刻蚀工艺中出现的形貌问题进行分析,找到影响硅草、侧壁垂直度差、底部横向钻蚀、侧壁钻蚀等问题的工艺参数。最后通过工艺参数优化,对这些问题进行改善,从而获得理想形貌,满足器件性能要求。 展开更多

关键词 深硅刻蚀 微机电系统 刻蚀形貌 感应耦合等离子刻蚀

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ICP深硅刻蚀工艺研究 被引量：21

7

作者 许高斌 皇华 +4 位作者 展明浩 黄晓莉 王文靖 胡潇 陈兴 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期832-835,共4页

感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一。利用英国STS公司STS Multiplex刻蚀机,研究了ICP刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,分析了刻蚀速率和侧壁垂直度的... 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一。利用英国STS公司STS Multiplex刻蚀机,研究了ICP刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,分析了刻蚀速率和侧壁垂直度的影响原因,给出了深硅刻蚀、侧壁光滑陡直刻蚀和高深宽比刻蚀等不同形貌刻蚀的优化工艺参数。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体刻蚀 深硅刻蚀 侧壁光滑陡直刻蚀 高深宽比刻蚀 工艺参数

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Cl_2/BCl_3ICP刻蚀GaN基LED的规律研究 被引量：7

8

作者 宋颖娉 郭霞 +2 位作者 艾伟伟 董立闽 沈光地 《微纳电子技术》 CAS 2006年第3期125-129,共5页

研究了用Cl2/BCl3刻蚀GaN基LED中,工艺参数对GaN刻蚀速率、刻蚀侧壁和GaN与SiO2刻蚀选择比的影响。研究结果表明,刻蚀速率随着ICP功率和压强的增大先增大继而减小,随RF功率的增大单调增大;刻蚀选择比随ICP功率增大单调减小,随压强增大... 研究了用Cl2/BCl3刻蚀GaN基LED中,工艺参数对GaN刻蚀速率、刻蚀侧壁和GaN与SiO2刻蚀选择比的影响。研究结果表明,刻蚀速率随着ICP功率和压强的增大先增大继而减小,随RF功率的增大单调增大;刻蚀选择比随ICP功率增大单调减小,随压强增大而增大。还研究了刻蚀速率和选择比与气体比例变化的关系。刻蚀SEM图表明,压强和RF功率增大会使刻蚀垂直度增大。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体刻蚀 GaN 刻蚀速率 选择比 垂直度

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ICP刻蚀技术在MEMS器件制作中的应用 被引量：10

9

作者 李伟东 张建辉 +1 位作者 吴学忠 李圣怡 《微纳电子技术》 CAS 2005年第10期473-476,共4页

简单介绍了ICP刻蚀系统和刻蚀原理。通过实验分析了ICP刻蚀SiO2和Cr时,刻蚀速率随相关工艺参数变化而变化的几点规律。同时给出了用ICP刻蚀出的MEMS传感器Si基腔的表面形貌图和Cr电阻的显微镜照片。

关键词 微机电系统 感应耦合等离子体刻蚀 刻蚀速率

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碳化硅薄膜的ICP浅刻蚀工艺研究 被引量：5

10

作者 刘雨涛 梁庭 +3 位作者 王涛龙 王心心 张瑞 熊继军 《传感器与微系统》 CSCD 2016年第2期46-48,51,共4页

选用SF6/O2混合气体对等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的碳化硅(Si C)薄膜进行了浅槽刻蚀,并通过正交试验设计方法,研究了感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术中反应室压强、偏压射频(BRF)功率、O2比例三个工艺参数对碳化硅薄膜刻蚀... 选用SF6/O2混合气体对等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的碳化硅(Si C)薄膜进行了浅槽刻蚀,并通过正交试验设计方法,研究了感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术中反应室压强、偏压射频(BRF)功率、O2比例三个工艺参数对碳化硅薄膜刻蚀速率的影响及其显著性。实验结果表明:BRF功率对于刻蚀速率的影响具有高度显著性,各因素对刻蚀速率的影响程度依次为BRF功率>反应室压强>O2比例,并讨论了所选因素对碳化硅薄膜刻蚀速率的影响机理。 展开更多

关键词 碳化硅薄膜 感应耦合等离子体刻蚀 正交试验 刻蚀速率

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ICP工艺参数对刻蚀Pyrex玻璃影响的实验研究(英文) 被引量：1

11

作者 张迪雅 梁庭 +4 位作者 刘雨涛 王涛龙 李旺旺 姚宗 熊继军 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期1149-1154,共6页

影响ICP刻蚀的工艺参数包括反应室压力,偏置射频功率,氩气流量比率。通过正交试验的方法,以CHF3和Ar的混合物作为反应气体,利用电感耦合等离子体技术刻蚀Pyrex玻璃。并采用回归分析方法建立了二次回归方程模型描述腐蚀速率和三个因素之... 影响ICP刻蚀的工艺参数包括反应室压力,偏置射频功率,氩气流量比率。通过正交试验的方法,以CHF3和Ar的混合物作为反应气体,利用电感耦合等离子体技术刻蚀Pyrex玻璃。并采用回归分析方法建立了二次回归方程模型描述腐蚀速率和三个因素之间的关系。实验结果表明,氩气的流量比率(总气体流量(CHF3+Ar)是恒定的)对刻蚀速率的影响最大,影响程度的主次顺序为氩气的流量比率,反应室压力,偏置射频功率。腐蚀速率和三个因素之间的数学表达式为:腐蚀速率=532.680 0+2.055 6×Ar+0.012 7×(偏置射频功率)-0.964 1×压力-0.065 5×Ar2-0.006 7×Ar×(偏置射频功率)+0.021 7×(偏置射频功率)×压力-0.050 4×(压力)2,实验结果证明数学拟合结果良好。 展开更多

关键词 感应耦合等离子刻蚀 Pyrex玻璃 正交试验 刻蚀速率 数学拟合

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适用于阵列波导光栅制作的厚SiO_2陡直刻蚀技术 被引量：3

12

作者 魏珂 刘训春 +3 位作者 曹振亚 王润梅 罗明雄 牛立华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1222-1225,共4页

采用 ICP- 98型高密度等离子体刻蚀机进行了厚 Si O2 陡直刻蚀技术的研究 ,利用双层掩膜技术解决了“微掩膜现象”问题 ,刻蚀获得 12 .4 μm的陡直 Si O2 光波导剖面 ,并将这一刻蚀技术用于阵列波导光栅的制作中 .

关键词 阵列波导光栅(AWG) SiO2 感应耦合等离子体刻蚀(ICP)

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ICP刻蚀GaP表面形貌控制(英文) 被引量：1

13

作者 蒋文静 徐晨 +2 位作者 邓琛 高伟 沈光地 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2010年第3期281-283,共3页

不同角度的GaP表面形貌刻蚀主要依赖于刻蚀参数的调节以及光刻胶的形貌,但要得到能够重复的光刻胶形貌是很困难的.研究了如何通过调节感应耦合等离子(ICP)刻蚀仪器本身的参数,而不依赖于不定的光刻胶形貌来得到可重复的表面形貌.通过研... 不同角度的GaP表面形貌刻蚀主要依赖于刻蚀参数的调节以及光刻胶的形貌,但要得到能够重复的光刻胶形貌是很困难的.研究了如何通过调节感应耦合等离子(ICP)刻蚀仪器本身的参数,而不依赖于不定的光刻胶形貌来得到可重复的表面形貌.通过研究可知,射频功率与腔室压强是影响表面形貌的最重要的两个参数.射频功率越小刻蚀得到的角度越大,腔室压强越大刻蚀得到的角度也越大.通常BCl3等离子体被用来作为GaP的刻蚀气体,但为了维持所需的等离子浓度以及更大的操作压强,Ar被加入刻蚀气体中. 展开更多

关键词 感应耦合等离子刻蚀 刻蚀形貌 等离子体

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干法刻蚀InSb时Ar气含量的选取 被引量：2

14

作者 李海燕 谭振 +1 位作者 陈慧卿 亢喆 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2018年第12期1503-1508,共6页

感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是目前国际制备InSb台面结型焦平面阵列技术的主流技术之一。文章研究采用ICP刻蚀技术,以CH4/H2/Ar刻蚀气体体系对InSb材料进行干法刻蚀时刻蚀气体体系中Ar气体积组分对材料刻蚀形貌及器件性能的影响。实... 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是目前国际制备InSb台面结型焦平面阵列技术的主流技术之一。文章研究采用ICP刻蚀技术,以CH4/H2/Ar刻蚀气体体系对InSb材料进行干法刻蚀时刻蚀气体体系中Ar气体积组分对材料刻蚀形貌及器件性能的影响。实验方案设置为在控制其他实验变量相同的情况下设置不同Ar气体积分数的刻蚀气体体系对InSb材料进行台面蚀刻,通过扫描电子显微镜(SEM)、激光共聚焦显微镜考察台面刻蚀形貌,通过I-V测试得到的器件性能结果考察刻蚀损伤情况。从实验结果得到,Ar体积占据总气体体积的30%～35%时台面刻蚀形貌良好,表面损伤轻,器件性能良好,刻蚀工艺满足要求。 展开更多

关键词 锑化铟 感应耦合等离子体刻蚀 氩气 表面形貌 化学计量比 I-V测试

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碲镉汞p型接触孔低损伤干法刻蚀技术研究 被引量：2

15

作者 宁提 陈慧卿 +2 位作者 谭振 张敏 刘沛 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期601-604,共4页

对碲镉汞材料干法刻蚀损伤进行研究,采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术、湿法腐蚀方法完成碲镉汞接触孔刻蚀,通过扫描电子显微镜和激光扫描显微镜分析刻蚀后样品的表面形貌,利用伏安特性曲线分析刻蚀样品的表面损伤。实验结果表明,干法... 对碲镉汞材料干法刻蚀损伤进行研究,采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术、湿法腐蚀方法完成碲镉汞接触孔刻蚀,通过扫描电子显微镜和激光扫描显微镜分析刻蚀后样品的表面形貌,利用伏安特性曲线分析刻蚀样品的表面损伤。实验结果表明,干法刻蚀工艺极易造成碲镉汞p型接触孔表面反型,提出了一种新型的干法混合刻蚀技术,该技术通过两步干法刻蚀工艺实现,有效地降低了刻蚀引入的表面损伤。 展开更多

关键词 碲镉汞 感应耦合等离子体刻蚀 低损伤

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p-GaN ICP刻蚀损伤研究 被引量：1

16

作者 龚欣 吕玲 +3 位作者 郝跃 李培咸 周小伟 陈海峰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1097-1103,共7页

运用Cl2/N2等离子体系统,系统研究了ICP刻蚀中ICP功率、RF功率、反应室压力和Cl2百分比对p型GaN材料的物理表面形貌和欧姆接触特性的影响.原子力显微镜显示,在文中所用的刻蚀条件范围内,刻蚀并没有引起表面形貌较大的变化,刻蚀表面的均... 运用Cl2/N2等离子体系统,系统研究了ICP刻蚀中ICP功率、RF功率、反应室压力和Cl2百分比对p型GaN材料的物理表面形貌和欧姆接触特性的影响.原子力显微镜显示,在文中所用的刻蚀条件范围内,刻蚀并没有引起表面形貌较大的变化,刻蚀表面的均方根粗糙度在1.2nm以下.结果还显示,已刻蚀p-GaN材料的电特性与物理表面形貌没有直观联系,刻蚀后欧姆接触特性变差更多地是因为刻蚀中浅施主能级的引入,使表面附近空穴浓度降低所致. 展开更多

关键词 GAN 感应耦合等离子体刻蚀 等离子体损伤

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GaAs/AlGaAs多层膜刻蚀的陡直度 被引量：6

17

作者 罗跃川 韩尚君 +2 位作者 王雪敏 吴卫东 唐永建 《信息与电子工程》 2011年第3期347-350,共4页

GaAs/AlGaAs多层膜的陡直度较大程度地关系到其实际应用效果,但在实际加工中较难控制,因此有必要研究刻蚀过程中一些主要因素对其陡直度的影响。结合具体工作情况,用AZ1500光刻胶作为掩模,GaAs/Al0.15Ga0.85As多层膜为刻蚀材料,分别使... GaAs/AlGaAs多层膜的陡直度较大程度地关系到其实际应用效果,但在实际加工中较难控制,因此有必要研究刻蚀过程中一些主要因素对其陡直度的影响。结合具体工作情况,用AZ1500光刻胶作为掩模,GaAs/Al0.15Ga0.85As多层膜为刻蚀材料,分别使用湿法和干法对其进行刻蚀。湿法刻蚀的刻蚀剂为H3PO4+H2O2溶液,干法刻蚀采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀法,等离子体由Cl2+BCl3(蒸汽)混合气体电离形成。通过控制变量方法,发现湿法刻蚀中刻蚀剂配比和温度以及干法刻蚀中BCl3(蒸汽)流量对刻蚀陡直度的影响规律。由此得出,提高H3PO4所占比例和降低刻蚀温度虽然会降低刻蚀速率,但可以提高多层膜的陡直度;ICP刻蚀的陡直度优于湿法刻蚀,BCl3(蒸汽)的流量在一定范围内对刻蚀陡直度的影响较小。 展开更多

关键词 GaAs/AlGaAs多层膜 湿法刻蚀 感应耦合等离子体刻蚀 陡直度

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应用于TGV的ICP玻璃刻蚀工艺研究 被引量：14

18

作者 张名川 靖向萌 +2 位作者 王京 杨盟 于大全 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期1222-1227,共6页

玻璃通孔(TGV)技术被认为是下一代三维集成的关键技术,该技术的核心为深孔形成工艺。感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是半导体领域中深孔形成的重要手段之一。本文通过正交实验设计方法,研究ICP石英玻璃刻蚀工艺中工作压强、C4F8流量、A... 玻璃通孔(TGV)技术被认为是下一代三维集成的关键技术,该技术的核心为深孔形成工艺。感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是半导体领域中深孔形成的重要手段之一。本文通过正交实验设计方法,研究ICP石英玻璃刻蚀工艺中工作压强、C4F8流量、Ar流量三个工艺参数对深孔刻蚀的影响,探索提高刻蚀速率的优化组合。实验结果表明,C4F8流量对玻璃刻蚀速率有显著影响,并且随着C4F8/Ar流量比减小,侧壁角度垂直性越好。实验为TGV技术开发和应用提供了实验依据。 展开更多

关键词 玻璃通孔 感应耦合等离子体刻蚀 刻蚀速率 正交实验

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C_(4)F_(6)/SF_(6)混合气体对硅基材料的ICP刻蚀工艺研究 被引量：1

19

作者 陈长鸿 王妹芳 +5 位作者 孙一军 孙颖 孙家宝 刘艳华 刘志 谢石建 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期36-41,共6页

为避免深硅刻蚀工艺所引起的扇贝纹效应,同时减少其工艺气体所带来的温室效应,本文将新一代环保电子刻蚀气C4F6引入硅刻蚀工艺,采用刻蚀与钝化同步进行的伪Bosch工艺刻蚀硅槽孔。研究了ICP功率、RIE功率、腔体压强和C_(4)F_(6)/SF_(6)... 为避免深硅刻蚀工艺所引起的扇贝纹效应,同时减少其工艺气体所带来的温室效应,本文将新一代环保电子刻蚀气C4F6引入硅刻蚀工艺,采用刻蚀与钝化同步进行的伪Bosch工艺刻蚀硅槽孔。研究了ICP功率、RIE功率、腔体压强和C_(4)F_(6)/SF_(6)气体流量比对刻蚀速率、光刻胶/硅刻蚀选择比及刻蚀形貌的影响。结果表明,一定程度增加ICP功率和RIE功率可分别提高等离子体密度和物理轰击刻蚀作用;腔体压强对粒子平均自由径有较大影响;而C4F6流量的增加可加强刻蚀侧壁保护机制。通过综合优化工艺参数,获得了2.8μm/min硅刻蚀速率,3.1的光刻胶/硅刻蚀选择比和侧壁平坦,表面光滑,垂直度高的刻蚀形貌。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体刻蚀 刻蚀速率 深硅刻蚀 选择比

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薄膜体声波滤波器AlN压电薄膜的ICP刻蚀研究 被引量：7

20

作者 侯卓立 周燕萍 +4 位作者 査强 李茂林 左超 杨秉君 吴胜利 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期220-225,共6页

随着5G通信技术的发展,通信频段不断提高,以氮化铝(AlN)为压电薄膜材料的薄膜体声波滤波器作为目前唯一可集成的射频前段滤波器成为研究热点之一。本文开展AlN材料刻蚀工艺的实验研究,实验中采用光刻胶作为刻蚀掩膜,Cl2/BCl3作为刻蚀工... 随着5G通信技术的发展,通信频段不断提高,以氮化铝(AlN)为压电薄膜材料的薄膜体声波滤波器作为目前唯一可集成的射频前段滤波器成为研究热点之一。本文开展AlN材料刻蚀工艺的实验研究,实验中采用光刻胶作为刻蚀掩膜,Cl2/BCl3作为刻蚀工艺气体,通过一系列工艺影响参数调整及相应刻蚀结果分析,获得了ICP源功率、RF偏压功率、腔体压强和BCl3气体流量对AlN材料和光刻胶掩膜刻蚀速率、刻蚀形貌的影响规律。通过综合优化工艺参数,最终得到了侧壁平坦、表面光滑的空气隙型薄膜体声波滤波器三明治结构。 展开更多

关键词 薄膜体声波滤波器 感应耦合等离子体刻蚀 氮化铝 刻蚀速率

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