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一种基于电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路
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作者 陈一峰 宋志棠 +7 位作者 陈小刚 陈后鹏 刘波 白宁 陈邦明 吴关平 谢志峰 杨左娅 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期840-843,共4页
基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130nm标准CMOS工艺将其与128kb的相变存储器实验芯片集成。相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电... 基于相变存储器的擦操作(SET)特性,设计了一种能够产生电流阶梯波的相变存储器擦驱动电路,采用130nm标准CMOS工艺将其与128kb的相变存储器实验芯片集成。相比传统的单一电流脉冲擦驱动电路,这种改进后的擦驱动电路能将相变存储单元的电阻均值从15kΩ左右降至7kΩ左右,并且存储阵列的阻值分布一致性也得到提升,最终能将128kb相变存储实验芯片的单元成品率提升至99%以上。 展开更多
关键词 相变存储器 非易失性存储器 电流阶梯波 擦驱动电路
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