2～12GHz集成E/D驱动功能的数控衰减器单片 被引量：11

1

作者 刘志军 陈凤霞 +2 位作者 高学邦 崔玉兴 吴洪江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期254-258,共5页

在GaAs衬底上集成增强/耗尽型数字驱动器和数控衰减器,实现了数字电路与微波电路的一体化集成。数字部分采用直接耦合场效应逻辑结构实现,具有结构简单、速度快和功耗低等优点。2～12 GHz 6 bit数控衰减器,内置6位并行驱动电路,控制端... 在GaAs衬底上集成增强/耗尽型数字驱动器和数控衰减器,实现了数字电路与微波电路的一体化集成。数字部分采用直接耦合场效应逻辑结构实现,具有结构简单、速度快和功耗低等优点。2～12 GHz 6 bit数控衰减器,内置6位并行驱动电路,控制端减少为6个,晶体管—晶体管逻辑电路(TTL)电平控制,并行输入控制信号。电路测试结果为:插入损耗≤4.5 dB,开关时间≤15 ns,输入输出驻波比≤1.4∶1,均方根衰减误差(全态)≤0.7 dB,静态功耗为2.0 mA@-5 V,芯片尺寸为2.6 mm×1.6 mm×0.1 mm。在GaAs PHEMT衬底上实现了数字驱动和数控衰减等功能的集成,控制电平兼容应用系统电平,应用更简单,可靠性更高。 展开更多

关键词 增强 耗尽型 均方根衰减误差 TTL 数控衰减器 赝配高电子迁移率晶体管

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一种正电控制大衰减量的6bit单片数控衰减器 被引量：5

2

作者 甄建宇 王清源 +2 位作者 赵瑞华 刘金 王凯 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期184-188,共5页

分析了单片数控衰减器的衰减原理,设计了一款DC～2 GHz的大衰减量的6 bit数控衰减器。并通过数模混合设计,采用基于GaAs工艺的场效应管驱动器结构将正TTL电平转换为衰减器负的控制电平,成功实现了正电控制,对单片电路进行了仿真与优化,... 分析了单片数控衰减器的衰减原理,设计了一款DC～2 GHz的大衰减量的6 bit数控衰减器。并通过数模混合设计,采用基于GaAs工艺的场效应管驱动器结构将正TTL电平转换为衰减器负的控制电平,成功实现了正电控制,对单片电路进行了仿真与优化,采用GaAs工艺技术完成了流片。测试结果表明,在DC～2 GHz频带内,衰减步进1 dB,最大衰减量63 dB,插入损耗小于1.7 dB,衰减精度小于±0.1 dB@1 dB～4 dB;小于±0.8 dB@8 dB～32 dB;小于±1.3 dB@48 dB～63 dB,两个端口在所有态下的驻波比小于1.2∶1。单片数控衰减器芯片尺寸为3.0 mm×2.0 mm,控制电压为0和5 V。 展开更多

关键词 大衰减量 数控衰减器 正电控制 微波单片集成电路 数模混合

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GaAsE/DPHEMT正压驱动单片数控衰减器 被引量：6

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作者 白元亮 张晓鹏 +1 位作者 陈凤霞 默立冬 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第12期910-913,923,共5页

采用将正压数字驱动电路和微波衰减器集成在同一单片上的方法,设计制作了6 bit正压驱动数控衰减器单片电路。分析了几种衰减电路原理,以及增强/耗尽型(E/D)PHEMT正压驱动电路原理。采用桥T型结构衰减电路单元、E/D PHEMT控制电路设计了... 采用将正压数字驱动电路和微波衰减器集成在同一单片上的方法,设计制作了6 bit正压驱动数控衰减器单片电路。分析了几种衰减电路原理,以及增强/耗尽型(E/D)PHEMT正压驱动电路原理。采用桥T型结构衰减电路单元、E/D PHEMT控制电路设计了数控衰减器单片电路。基于GaAs E/D PHEMT工艺,流片制作了数控衰减器单片电路。测试结果表明,在DC^4 GHz带宽内,插入损耗L i≤2.9 dB,输入输出回波损耗L r≤-15 dB,衰减精度e bit≤±(0.4+3%×Att)dB(Att为衰减量)。电路具有衰减精度高、线性度好和芯片面积小等特点。内置的E/D PHEMT正压控制电路,可减小控制信号布线面积。采用单正压电源供电使电路更易使用。 展开更多

关键词 砷化镓 增强 耗尽型(E D) 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 6 bit单片数控衰减器 正压控制电路

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DC～20GHz宽带单片数控衰减器 被引量：4

4

作者 刘志军 方园 +1 位作者 高学邦 吴洪江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期287-290,共4页

介绍了五位数控衰减器单片电路的主要技术指标和设计方法。电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAsPHEMT工艺技术实现。利用版图电磁仿真验证技术,实现了全态附加相移小的目标。工作频率为DC～20GHz,全态衰减附加相移小于等于±3... 介绍了五位数控衰减器单片电路的主要技术指标和设计方法。电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAsPHEMT工艺技术实现。利用版图电磁仿真验证技术,实现了全态附加相移小的目标。工作频率为DC～20GHz,全态衰减附加相移小于等于±3°,驻波比≤1.5∶1。通过设计结果和测试结果对比,表明本单片的设计方法可行。最终,单片电路流片一次成功,实现了设计目标。电路尺寸为2.7mm×1.4mm×0.1mm,控制电压为0V和-5V,无直流功耗。 展开更多

关键词 宽带 衰减附加相移 微波单片集成电路 数控衰减器 电磁仿真

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带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器设计 被引量：5

5

作者 张滨 李富强 +2 位作者 杨柳 魏洪涛 方园 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期499-503,共5页

采用GaAs增强/耗尽型（E/D）赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器微波单片集成电路（MMIC）。该MMIC将数字驱动和6bit数控衰减器集成在一起,数字驱动电路采用的是直接耦合场效应晶体管逻辑... 采用GaAs增强/耗尽型（E/D）赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器微波单片集成电路（MMIC）。该MMIC将数字驱动和6bit数控衰减器集成在一起,数字驱动电路采用的是直接耦合场效应晶体管逻辑（DCFL）电路,6bit数控衰减器由6个衰减基本态级联组成。版图经过合理优化后,最终的MMIC芯片尺寸为2.4mm×1.3mm。测试结果表明,在12~18GHz,芯片可以实现最大衰减量为31.5dB,步进为0.5dB的衰减量控制。衰减64态均方根误差小于0.6dB,附加相移-2°~2.5°,插入损耗小于6.1dB,输入输出驻波比均小于1.5∶1。 展开更多

关键词 微波单片集成电路(MMIC) 数字驱动 数控衰减器 直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL) 均方根(RMS)误差

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一款高精度大衰减量单片数控衰减器 被引量：9

6

作者 刘志军 高学邦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期59-62,共4页

介绍了一款高精度大衰减量单片数控衰减器的主要技术指标和设计方法。电路设计基于Agilent ADS微波软件设计环境,采用GaAs HFET工艺技术实现。对开关器件建模流程和数控衰减器电路设计流程分别作了相应的描述。针对不同衰减值的基本衰减... 介绍了一款高精度大衰减量单片数控衰减器的主要技术指标和设计方法。电路设计基于Agilent ADS微波软件设计环境,采用GaAs HFET工艺技术实现。对开关器件建模流程和数控衰减器电路设计流程分别作了相应的描述。针对不同衰减值的基本衰减位,选择合适的衰减拓扑。通过采用创新的大衰减量衰减结构,既实现了63.5 dB的大衰减量,又满足其衰减精度的要求,还达到了整个单片数控衰减器低插入损耗和高衰减精度的目标。单片电路测试结果为:在3～100 MHz工作频率范围内,插入损耗≤2.2 dB,驻波比≤1.4∶1,衰减范围为0.5～63.5 dB。测试结果表明设计方法有效、可行。电路尺寸为3.5 mm×1.4 mm×0.1 mm,控制电压为0 V和-5 V。 展开更多

关键词 大衰减量 高精度 单片式微波集成电路 数控衰减器 砷化镓

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128dB数控衰减器的设计 被引量：1

7

作者 石振华 文必洋 +2 位作者 石新智 刘海文 黄为民 《武汉大学学报（自然科学版）》 CSCD 1999年第1期119-121,共3页

根据ＥｌｅｃｔｒｉｃＥｒａｓａｂｌｅＰｏｔ（Ｅ２ＰＯＴ）电位器的电气参数和数字逻辑电路设计原理，设计和制作了一种可用数码控制的衰减器，该衰减器操作方便，而且可准确定位，掉电后可以保持原来的状态信息，并可提供衰减量的数... 根据ＥｌｅｃｔｒｉｃＥｒａｓａｂｌｅＰｏｔ（Ｅ２ＰＯＴ）电位器的电气参数和数字逻辑电路设计原理，设计和制作了一种可用数码控制的衰减器，该衰减器操作方便，而且可准确定位，掉电后可以保持原来的状态信息，并可提供衰减量的数字显示． 展开更多

关键词 电位器 数字显示 数控衰减器 设计

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基于金属陶瓷贴片封装的数控衰减器设计 被引量：2

8

作者 沈宏昌 沈亚 《电子与封装》 2010年第12期1-4,19,共5页

衰减器作为幅度调制器件被广泛用于电子战、雷达、测试设备、通信等各种微波领域。随着信息革命的深入发展,通信、雷达、测试设备等各种微波领域的电子设备趋向于小型化、低成本,对元器件的体积、功耗、可靠性、使用方便性的要求越来越... 衰减器作为幅度调制器件被广泛用于电子战、雷达、测试设备、通信等各种微波领域。随着信息革命的深入发展,通信、雷达、测试设备等各种微波领域的电子设备趋向于小型化、低成本,对元器件的体积、功耗、可靠性、使用方便性的要求越来越高。文章介绍了一款采用GaAsPHEMT工艺和金属陶瓷贴片封装制作的L波段高精度单片六位数控衰减器的设计方法和研制结果。测试结果表明在频率为DC～2GHz内,衰减步进0.5dB,衰减范围0～31.5dB,插入损耗IL<2.5dB,输入输出驻波比VSWR<1.4,衰减精度|△A_i|<(0.2+3%A_i)dB。附加相移|△φ|<3°,控制方式为TTL电平。 展开更多

关键词 数控衰减器 PHEMT 衰减精度

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数控衰减器AT-280及其在接收机性能测试中的应用

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作者 尚朝轩 胡文华 祖士珍 《国外电子元器件》 2003年第11期19-21,共3页

数控衰减器作为一种新型的衰减器在电子领域有着广泛的应用 ,文章介绍了数控衰减器AT-280的结构、特性参数以及控制使用方法 。

关键词 数控衰减器 AT-280 性能测试 噪声系数 灵敏度 雷达接收机

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数控衰减器的设计 被引量：6

10

作者 蒋铁珍 石振华 +1 位作者 吴世才 王淑融 《武汉大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期577-580,共4页

根据高频电路阻抗匹配的原则 ,利用微型真空继电器和贴片电阻网络以及单片机控制技术 ,设计和制作了一种数码控制的衰减器 ,它通过一个 4× 4的数字键盘对衰减量的大小进行设置 ,并可提供衰减量的数字显示 ,具有体积小、工作频率高... 根据高频电路阻抗匹配的原则 ,利用微型真空继电器和贴片电阻网络以及单片机控制技术 ,设计和制作了一种数码控制的衰减器 ,它通过一个 4× 4的数字键盘对衰减量的大小进行设置 ,并可提供衰减量的数字显示 ,具有体积小、工作频率高、可靠性好、功能强、操作方便。 展开更多

关键词 单片机 数控衰减器 微型继电器 贴片电阻网络 高频电路阻抗匹配 电子测量设备 数字显示 设计

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内置驱动器的六位GaAs PHEMT宽带单片数控衰减器 被引量：6

11

作者 李娜 许正荣 +1 位作者 李晓鹏 陈新宇 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期69-72,共4页

采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的砷化镓MMIC单片六位数字控制衰减器,具有衰减精度准确、承受功率大、线性度高等特点,并且集成了驱动器,使得输入信号控制线减少了一半,大大减少了系统布线的难... 采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的砷化镓MMIC单片六位数字控制衰减器,具有衰减精度准确、承受功率大、线性度高等特点,并且集成了驱动器,使得输入信号控制线减少了一半,大大减少了系统布线的难度。产品由GaAsPHEMT标准工艺线加工。测试结果表明,在0.05～3.0GHz带内,插入损耗≤2.3dB@3GHz,带内输入输出驻波比≤1.5,衰减精度在±(0.3dB+3%)以内,1dB压缩功率点达到了27dBm,IP3超过了+45dBm。 展开更多

关键词 砷化镓 数控衰减器 增强型 耗尽型 赝配高电子迁移率晶体管

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一种X波段低附加相位的6位单片数控衰减器 被引量：5

12

作者 刘凡 熊翼通 刘志伟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期232-236,共5页

提出了一种X波段低附加相位的6位单片数控衰减器。采用一种改进型开关T型衰减网络,实现了2dB与4dB的衰减位。网络在整个带宽内具有良好的附加相位特性。其他各衰减位采用了基于传输线的相位补偿结构。该6位单片数控衰减器基于0.25μm G... 提出了一种X波段低附加相位的6位单片数控衰减器。采用一种改进型开关T型衰减网络,实现了2dB与4dB的衰减位。网络在整个带宽内具有良好的附加相位特性。其他各衰减位采用了基于传输线的相位补偿结构。该6位单片数控衰减器基于0.25μm GaAs工艺进行流片与验证,芯片面积为(2.2×1.4)mm^2。测试结果表明,在整个带宽内,该数控衰减器的插损小于4.1dB,输入输出回波损耗小于-10.7dB,RMS幅度误差小于0.26dB,RMS相位误差小于2.4°。 展开更多

关键词 数控衰减器 低附加相位 微波IC

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一种正电控制低温漂单片数控衰减器 被引量：1

13

作者 韩玉鹏 赵国庆 +2 位作者 赵瑞华 王凯 甄建宇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期46-50,共5页

数控衰减器在宽频带内具有高的衰减精度、优良的电压驻波比和大的衰减动态范围，因而得到了推广和应用。正电控制、低温漂6bit数控衰减器，各衰减位均采用具有低温漂特性的桥T型结构，并通过对衰减结构的合理构建，在不采用电平转换驱... 数控衰减器在宽频带内具有高的衰减精度、优良的电压驻波比和大的衰减动态范围，因而得到了推广和应用。正电控制、低温漂6bit数控衰减器，各衰减位均采用具有低温漂特性的桥T型结构，并通过对衰减结构的合理构建，在不采用电平转换驱动器的情况下，成功实现正电控制，面积得到进一步缩小。对电路进行了仿真与优化，采用GaAs工艺技术完成了流片，测试结果表明，在2．4～8GHz频带内，参考态插入损耗小于4．0dB；衰减精度小于±1dB@31．5dB；回波损耗小于-15dB；衰减量在高温或低温时较常温时的偏差控制在0．3dB以内；各衰减位为0．5，1，2，4，8和16dB，最大衰减量为31．5dB。单片数控衰减器芯片最终尺寸为2．9mm×1．3mm，控制电压为0V和5V。 展开更多

关键词 低温漂 数控衰减器 正电控制 单片微波集成电路(MMIC) 砷化镓

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一种晶圆级封装的MEMS数控衰减器 被引量：1

14

作者 孙俊峰 姜理利 +4 位作者 刘水平 郁元卫 朱健 黎明 陈章余 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第4期353-358,共6页

设计实现了一种晶圆级封装的三位MEMS数控衰减器,工作频段DC~15 GHz,衰减范围0~35 dB,步进5 dB。衰减器采用MEMS工艺实现,信号传输采用共面波导(CPW)结构,6个直接接触式悬臂梁MEMS开关对称放置实现不同衰减量的切换,每个开关带有三个触... 设计实现了一种晶圆级封装的三位MEMS数控衰减器,工作频段DC~15 GHz,衰减范围0~35 dB,步进5 dB。衰减器采用MEMS工艺实现,信号传输采用共面波导(CPW)结构,6个直接接触式悬臂梁MEMS开关对称放置实现不同衰减量的切换,每个开关带有三个触点,电阻网络采用T型结构,整个衰减器实现晶圆级封装。测试结果显示,DC~15 GHz频段内实现了8个衰减态,衰减器插入损耗小于1.7 dB,回波损耗小于-15 dB,衰减平坦度小于±5%,功耗几乎为零。芯片尺寸为2.7 mm×2.7 mm×0.8 mm。 展开更多

关键词 数控衰减器 晶圆级封装 RF MEMS MEMS开关

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智能数控衰减器的设计 被引量：4

15

作者 孟宪虎 钱光弟 《实验科学与技术》 2006年第3期109-110,共2页

介绍了一种智能数控衰减器的工作原理和电路设计。设计时采用了开关-固定衰减器和П型PIN二极管网络结构和温度修正,是一种较理想的宽带吸收数控衰减器解决方案。

关键词 数控衰减器 固态衰减器 PIN衰减器

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基于89C51单片机控制的数控衰减器的设计与实现 被引量：2

16

作者 王文忠 邵战强 马彦涛 《可编程控制器与工厂自动化（PLC FA）》 2006年第4期108-111,共4页

目前,我国的一些雷达测控设备中所使用的机械式手动衰减器,其步进衰减量(10dB)比较大,而且缺乏对信号衰减量的直观显示,也不便于对衰减器进行远程的操作与使用,在应用上具有一定的局限性。针对以上问题,本文提出了一种基于单片机控制的... 目前,我国的一些雷达测控设备中所使用的机械式手动衰减器,其步进衰减量(10dB)比较大,而且缺乏对信号衰减量的直观显示,也不便于对衰减器进行远程的操作与使用,在应用上具有一定的局限性。针对以上问题,本文提出了一种基于单片机控制的数控衰减器的设计方案,并对该方案进行了设计与实现。 展开更多

关键词 单片机 控制 数控衰减器 信号强度 系统功能

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数控衰减器在雷达DAGC系统中的应用 被引量：4

17

作者 谷涛 《现代电子技术》 2009年第16期169-170,共2页

根据雷达自动增益控制的原理,讨论在单脉冲跟踪雷达中数字AGC技术的工作原理及实现方法,重点介绍使用数控衰减器在数字中频接收系统中,实现自动增益控制的方法,较详细论述数控衰减器AT107在某型号跟踪雷达接收机数字增益控制电路中的应... 根据雷达自动增益控制的原理,讨论在单脉冲跟踪雷达中数字AGC技术的工作原理及实现方法,重点介绍使用数控衰减器在数字中频接收系统中,实现自动增益控制的方法,较详细论述数控衰减器AT107在某型号跟踪雷达接收机数字增益控制电路中的应用,给出了具体应用电路,在实际使用中使得雷达DAGC系统参数调整灵活,提高了可靠性,同时实现电路板的小型化。 展开更多

关键词 数控衰减器 数字AGC 自动增益 雷达接收机

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一种X波段低插损5位数控衰减器设计 被引量：4

18

作者 徐艳蒙 《天津理工大学学报》 2016年第4期34-38,57,共6页

该文基于IBM 0.18μm Si Ge Bi CMOS工艺,采用混合结构设计了一种可用于X波段相控阵的5位数控衰减器.通过电路分析和计算,确定了电路中的元件参数,通过对NMOS开关进行仿真分析,得到了最优尺寸.阐述了一种插损补偿技术,即在输入输出端引... 该文基于IBM 0.18μm Si Ge Bi CMOS工艺,采用混合结构设计了一种可用于X波段相控阵的5位数控衰减器.通过电路分析和计算,确定了电路中的元件参数,通过对NMOS开关进行仿真分析,得到了最优尺寸.阐述了一种插损补偿技术,即在输入输出端引入串联电感来降低电路的插损并且优化端口匹配.仿真结果显示,该衰减器的插损小于5.0 d B;所有状态的相移小于7°;输入端口回波损耗小于-15.7 d B,输出端口回波损耗小于-16.65 d B. 展开更多

关键词 NMOS开关 相控阵 数控衰减器 插损补偿 混合结构

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CINRAD/SA型天气雷达射频数控衰减器的电路原理及故障维修 被引量：4

19

作者 秦建峰 谢晓宇 +1 位作者 涂明 蔡宏 《气象水文海洋仪器》 2019年第2期103-109,共7页

文章详细介绍了CINRAD/SA型天气雷达射频数控衰减器的结构与组成、电路原理,并结合1次故障实例,介绍了射频数控衰减器的故障诊断与器件维修的具体方法,特别是提出了一种基于数据分析的故障诊断方法。维修实例表明了数据分析法与硬件测... 文章详细介绍了CINRAD/SA型天气雷达射频数控衰减器的结构与组成、电路原理,并结合1次故障实例,介绍了射频数控衰减器的故障诊断与器件维修的具体方法,特别是提出了一种基于数据分析的故障诊断方法。维修实例表明了数据分析法与硬件测试方法相结合,可使射频数控衰减器的故障诊断与维修工作事半功倍。 展开更多

关键词 天气雷达 数控衰减器 故障诊断 维修

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10~26GHz CMOS六位数控衰减器设计与实现

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作者 雒寒阳 李斌 陈卫东 《计算机测量与控制》 2023年第1期276-281,300,共7页

为了使衰减器更好的适应相控阵系统对高集成度波束赋形电路的应用需求;基于55 nm CMOS工艺,设计了一款具有低插入损耗、低附加相移特性的六位数控衰减器,该数控衰减器采用桥T和π型衰减结构级联而成,在10~26 GHz频率范围内实现步进为0.5... 为了使衰减器更好的适应相控阵系统对高集成度波束赋形电路的应用需求;基于55 nm CMOS工艺,设计了一款具有低插入损耗、低附加相移特性的六位数控衰减器,该数控衰减器采用桥T和π型衰减结构级联而成,在10~26 GHz频率范围内实现步进为0.5 dB、动态范围为0~31.5 dB的信号幅度衰减;为减小插入损耗,NMOS开关采用悬浮栅和悬浮衬底连接方式,同时采用了电容补偿网络和电感补偿以有效降低附加相移;仿真结果表明,在10~26 GHz的频带范围内,该数控衰减器的插入损耗小于-7 dB,输入/输出回波小于-10 dB,附加相移小于±3°,所有衰减态的衰减误差均方根小于0.8 dB,芯片的核心电路面积为0.36 mm×0.16 mm。 展开更多

关键词 集成电路技术 数控衰减器 CMOS NOMS开关 附加相移

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