期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到79篇文章
< 1 2 … 4 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
双极型晶体管电流增益温度特性的研究 被引量：3
1
作者 赵利 张小玲 +4 位作者 陈成菊 谢雪松 齐浩淳 吕长志 肖文杰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期233-236,共4页
修正了电流增益表达式。对样品3DK105B在不同温度点下进行测试分析。考虑样品理想因子n随温度的变化、VBE随温度的变化,以及禁带宽度随温度变化对电流增益的影响,对电流增益表达式进行了修正,使修正后的结果更加接近实际测试结果。
关键词 双极型晶体管 温度特性 电流增益
在线阅读 下载PDF
达林顿晶体管中稳定电阻对电流增益及电流分配的影响行为 被引量：1
2
作者 王培林 杨晶琦 宫立波 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期49-54,共6页
在达林顿晶体管中,由于稳定电阻的引入,使电流增益和各级管间集电极电流分配关系发生了变化.当稳定电阻很小时会造成电流增益的严重下降。本文对稳定电阻的影响行为进行了定量分析,并提出了电流增益和电流分配不受稳定电阻影响时稳定电... 在达林顿晶体管中,由于稳定电阻的引入,使电流增益和各级管间集电极电流分配关系发生了变化.当稳定电阻很小时会造成电流增益的严重下降。本文对稳定电阻的影响行为进行了定量分析,并提出了电流增益和电流分配不受稳定电阻影响时稳定电阻间比值P、稳定电阻基本值R、基极电流I_B 之间应满足的公式。文中图示的曲线族可供达林顿晶体管设计参考. 展开更多
关键词 达林顿晶体管 电流增益 电流分配
在线阅读 下载PDF
低温下双极型晶体管电流增益和基区杂质浓度的新关系 被引量：1
3
作者 郑茳 魏同立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期115-116,共2页
近年来,低温(77K)微电子器件和电路的研究得到了国际上广泛重视,已成为半导体学科十分重要和活跃的领域之一.本文建立了低温下双极型晶体管电流增益和基区杂质浓度的新关系,这将成为低温双极型晶体管设计的重要理论依据.以n^+pn型晶体... 近年来,低温(77K)微电子器件和电路的研究得到了国际上广泛重视,已成为半导体学科十分重要和活跃的领域之一.本文建立了低温下双极型晶体管电流增益和基区杂质浓度的新关系,这将成为低温双极型晶体管设计的重要理论依据.以n^+pn型晶体管为例进行分析,当基区杂质浓度N_B小于N_0=1×10^(17)cm^(-3)时,基区中无禁带变窄效应的存在,此时电流增益H_(FE)将随基区杂质浓度N_B上升而下降. 展开更多
关键词 双极型 晶体管 电流增益 杂质浓度
在线阅读 下载PDF
低温多晶硅发射极晶体管电流增益模型和模拟 被引量：1
4
作者 黄流兴 魏同立 +1 位作者 郑茳 曹俊诚 《电子科学学刊》 CSCD 1994年第2期207-211,共5页
本文考虑禁带变窄效应、载流子冻析效应和多晶硅/单晶硅界面复合与氧化层隧穿效应,采用有效复合速度方法,建立了多晶硅发射极晶体管电流增益的温度关系模型。模拟计算结果与实验符合较好。
关键词 双极晶体管 发射极 电流增益
在线阅读 下载PDF
多晶硅发射极晶体管电流增益工艺稳定性研究 被引量：1
5
作者 阚玲 刘建 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第4期589-592,共4页
针对多晶硅发射极晶体管实际工艺中出现的电流增益异常波动问题,首先从原理上进行了分析,其次通过与正常批次PCM数据进行对比,发现基极电流Ib存在一个量级的差异。设计了较为完整的DOE工艺试验,进行了对比和验证。结果表明,多晶硅/硅界... 针对多晶硅发射极晶体管实际工艺中出现的电流增益异常波动问题,首先从原理上进行了分析,其次通过与正常批次PCM数据进行对比,发现基极电流Ib存在一个量级的差异。设计了较为完整的DOE工艺试验,进行了对比和验证。结果表明,多晶硅/硅界面氧化层厚度一致性差、波动大是电流增益异常波动的主要原因。该研究结果为解决类似问题提供了有价值的参考。 展开更多
关键词 多晶硅发射极晶体管 电流增益 界面氧化层 自然氧化层
在线阅读 下载PDF
基区复合对nSi/pSi_(1-x)Ge_x/nSi晶体管共射极电流增益的影响
6
作者 安俊明 李建军 +3 位作者 魏希文 沈光地 陈建新 邹德恕 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期188-193,共6页
采用二维数值模拟方法详细分析了基区复合电流对 n Si/p Si1- x Gex/n Si应变基区异质结双极晶体管 ( HBT)共射极电流放大系数 β的影响 ,给出了 Si1- x Gex HBT的 Gummel图、平衡能带图 .得出在靠近发射结附近基区的复合电流是引起 β... 采用二维数值模拟方法详细分析了基区复合电流对 n Si/p Si1- x Gex/n Si应变基区异质结双极晶体管 ( HBT)共射极电流放大系数 β的影响 ,给出了 Si1- x Gex HBT的 Gummel图、平衡能带图 .得出在靠近发射结附近基区的复合电流是引起 β下降的主要因素 ,并给出了减小基区复合电流的 Ge分布形式 . 展开更多
关键词 双极晶体管 异质结 应变基区 共射极电流增益
在线阅读 下载PDF
低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型
7
作者 黄流兴 魏同立 郑茳 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期103-105,共3页
本文综合考虑了多晶硅发射极的载流子输运障碍，界面氧化物遂穿、晶粒间界杂质分凝和界面能带弯曲等因素，以及禁带变窄效应、低温下的载流子冻析效应和浅能级补偿杂质陷阱效应，建立了低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析... 本文综合考虑了多晶硅发射极的载流子输运障碍，界面氧化物遂穿、晶粒间界杂质分凝和界面能带弯曲等因素，以及禁带变窄效应、低温下的载流子冻析效应和浅能级补偿杂质陷阱效应，建立了低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型，对电流增益和截止频率的温度关系进行了理论分析并与３００Ｋ和７７Ｋ下的实测结果进行了比较。 展开更多
关键词 双极晶体管 多晶硅发射极 电流增益 截止频率 低温
在线阅读 下载PDF
达林顿功率晶体管电流增益的计算机模拟
8
作者 高勇 赵旭东 +1 位作者 陈治明 尹贤文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期24-28,共5页
本文介绍了用数值分析法对GTR单管结构和达林顿结构的电流增益进行计算机模拟,得到几个影响电流增益的主要因素;提出一种适合工作在大电流段的GTR电路模型参数的提取方法,为GTR达林顿结构及应用电路的网络分析提供了有效的途径。
关键词 功率晶体管 计算机 模拟 电流增益
在线阅读 下载PDF
多晶硅发射极晶体管电流增益的计算机分析
9
作者 高勇 赵旭东 +1 位作者 余宁梅 刘先锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第5期49-52,48,共5页
本文采用较精确的模型,对多晶硅发射极晶体管特有的发射区结构:SiO_2层厚度与位置、准中性发射区厚度、发射极表面浓度等参数对电流增益的影响进行了计算机分析,为这种器件的优化设计提供了有益的数值分析结果。
关键词 晶体管 发射机 多晶硅 电流增益
在线阅读 下载PDF
低温高注入硅双极晶体管电流增益的定量模拟
10
作者 肖志雄 魏同立 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期83-86,共4页
本文考虑了基区复合电流，发射结空间电荷区复合电流，基区高注入引起的禁带变窄效应，Ｅａｒｌｙ效应，基区和发射区电导调制效应，有效基区展宽效应以及发射区电流集边效应，定量地模拟了硅双极晶体管电流增益在７７Ｋ和３００Ｋ时与... 本文考虑了基区复合电流，发射结空间电荷区复合电流，基区高注入引起的禁带变窄效应，Ｅａｒｌｙ效应，基区和发射区电导调制效应，有效基区展宽效应以及发射区电流集边效应，定量地模拟了硅双极晶体管电流增益在７７Ｋ和３００Ｋ时与集电极电流的关系，并且与实验结果相吻合，计算还表明在低温７７Ｋ时，电流增益的大注入效应由基区电导调制效应和发射区电流集边效应决定，而在３００Ｋ时则由有效基区展宽效应决定。 展开更多
关键词 硅双极晶体管 电流增益 低温 高注入 定量模拟
在线阅读 下载PDF
低温高注入硅双极晶体管电流增益和特征频率的定量模拟
11
作者 肖志雄 魏同立 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期42-49,共8页
本文定量地模拟了硅双极晶体管电流增益和特征频率与集电极电流在77K和300K时的关系，计算结果与实验相吻合．结果表明在77K时，电流增益大注入效应由基区电导调制效应和发射区电流集边效应决定，而在300K时则由有效基区展宽效应决定，... 本文定量地模拟了硅双极晶体管电流增益和特征频率与集电极电流在77K和300K时的关系，计算结果与实验相吻合．结果表明在77K时，电流增益大注入效应由基区电导调制效应和发射区电流集边效应决定，而在300K时则由有效基区展宽效应决定，特征频率在300K时主要由基区渡越时间决定，而在77K时，由于发射区禁带变窄效应非常明显，以至于发射区少于存贮时间可能成为主要因素．低温下特征频率蜕变的主要原因是禁带变窄效应，而不是低温浅能级杂质陷阱效应． 展开更多
关键词 硅双极晶体管 电流增益 特征频率
在线阅读 下载PDF
微波晶体管电流增益和基极电流非理想因子的温度特性
12
作者 郑茳 冯耀兰 魏同立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第2期179-185,共7页
本文研究了微波晶体管电流增益H_FE和基极电流非理想因子n随温度变化的机理,给出了电流增曾H_FE的温度模型,指出:(1)中电流时电流增益H_PE具有正温度系数,而在小电流时随温度上升迅速增大,在大电流时增大减缓,并会出现负增值,(2)基极电... 本文研究了微波晶体管电流增益H_FE和基极电流非理想因子n随温度变化的机理,给出了电流增曾H_FE的温度模型,指出:(1)中电流时电流增益H_PE具有正温度系数,而在小电流时随温度上升迅速增大,在大电流时增大减缓,并会出现负增值,(2)基极电流非理想因子n具有负温度系数.实验结果和理论分析一致. 展开更多
关键词 微波晶体管 电流增益 基极电流
在线阅读 下载PDF
双极型晶体管电流增益的温度特性研究 被引量：5
13
作者 何建 徐学良 +4 位作者 王健安 李吉 李泽宏 张金平 任敏 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期270-272,276,共4页
分析了大注入效应对双极型晶体管电流增益温度特性的影响,建立了双极型晶体管电流增益温度解析模型。选取产品3DD167来进行不同温度不同工作条件下的测试分析。实验结果表明,在特定工作条件下,该器件在不同温度时其电流增益都有一个零... 分析了大注入效应对双极型晶体管电流增益温度特性的影响,建立了双极型晶体管电流增益温度解析模型。选取产品3DD167来进行不同温度不同工作条件下的测试分析。实验结果表明,在特定工作条件下,该器件在不同温度时其电流增益都有一个零温度点。实验结果和模型吻合较好。 展开更多
关键词 双极晶体管 正温度系数 大注入 电流增益
在线阅读 下载PDF
SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益的研究 被引量：2
14
作者 陈越政 钱钦松 孙伟锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期54-57,共4页
采用二维器件模拟仿真软件Tsuprem4和Medici模拟了SOI-LIGBT的n型缓冲层掺杂剂量、阳极p+阱区长度、漂移区长度以及阳极所加电压对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β的影响,通过理论分析定性的解释了产生上述现象的原因和机理,并且通过实... 采用二维器件模拟仿真软件Tsuprem4和Medici模拟了SOI-LIGBT的n型缓冲层掺杂剂量、阳极p+阱区长度、漂移区长度以及阳极所加电压对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β的影响,通过理论分析定性的解释了产生上述现象的原因和机理,并且通过实验测试结果进一步验证了分析结论的正确性。其中,n型缓冲层掺杂剂量对电流增益β的影响最为明显,漂移区长度的影响最弱。基本完成了对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β主要工艺影响因素的定性分析,对于SOI-LIGBT的设计有一定的借鉴意义。 展开更多
关键词 绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管 电流增益β n型缓冲层 漂移区长度
在线阅读 下载PDF
硅低温双极型晶体管电流增益的分析
15
作者 魏同立 郑茳 冯耀兰 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1990年第6期24-30,共7页
从理论和实验两方面研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型,阐明了电流增益低温下降的机理,在此基础上探讨了获得具有良好电性能的硅低温晶体管的方法,结论如下:电流增益由发射效率决定时,具有正温度系数,且随温... 从理论和实验两方面研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型,阐明了电流增益低温下降的机理,在此基础上探讨了获得具有良好电性能的硅低温晶体管的方法,结论如下:电流增益由发射效率决定时,具有正温度系数,且随温度下降而下降,下降程度随工作电流的减小而增强.发射区采用轻掺杂技术以减小禁带变窄量,并考虑载流子冻析效应,可获得适于低温工作的硅双极晶体管. 展开更多
关键词 晶体管 硅 电流增益 低温 双极型
全文增补中
双极晶体管电流增益与发射区杂质浓度关系的温度特性
16
作者 郑茳 魏同立 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1991年第2期39-41,共3页
本文从理论和实验两方面对双极型晶体管电流增益H_(FE)与发射区杂质浓度N_E 的关系的温度特性进行了探讨.研究结果表明,H_(FE)与N_E 的相关程度与温度有关,在常温下,H_(FE)随N_E 的增加而增加;当温度升高时,H_(FE)将随N_E 的增加而更剧... 本文从理论和实验两方面对双极型晶体管电流增益H_(FE)与发射区杂质浓度N_E 的关系的温度特性进行了探讨.研究结果表明,H_(FE)与N_E 的相关程度与温度有关,在常温下,H_(FE)随N_E 的增加而增加;当温度升高时,H_(FE)将随N_E 的增加而更剧烈地增加. 展开更多
关键词 双极晶体管 电流增益 发射区 杂质浓度 温度特性
全文增补中
硅双极晶体管低温电流增益模型修正
17
作者 苏九令 常旭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期617-621,共5页
多晶硅发射区双极晶体管的低温（７７Ｋ）电流增益模型建立在理想掺杂近似的基础上．本文由基区电子电流密度Ｊｎ和发射区空穴电流密度Ｊｐ出发，根据实际掺杂情况中的近似高斯分布，分析了理想掺杂近似对电流增益结果的影响，指出引用... 多晶硅发射区双极晶体管的低温（７７Ｋ）电流增益模型建立在理想掺杂近似的基础上．本文由基区电子电流密度Ｊｎ和发射区空穴电流密度Ｊｐ出发，根据实际掺杂情况中的近似高斯分布，分析了理想掺杂近似对电流增益结果的影响，指出引用这一近似在常温下偏差较小，在低温下则会出现较大的误差．在此基础上，对多晶硅发射区双极晶体管低温电流增益模型作了修正．结果表明，修正后的模型与ＰＩＳＣＥＳ模拟结果取得了较好的吻合． 展开更多
关键词 硅 双极晶体管 低湿 电流增益 晶体管
在线阅读 下载PDF
带有发射极边减薄结构的异质结双极晶体管直流电流增益的计算
18
作者 刘晓伟 张荣 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期241-246,共6页
为了计算带有发射极边减薄结构的异质结双极晶体管 (EET- HBT:Emitter Edge Thinning- HeterojunctionBipolar Transistor)的电流增益 ,提出了发射极边偏移电压的概念 .在将它引入 Gum mel- Poon模型后 ,对不同结构的 EET- HBT的直流电... 为了计算带有发射极边减薄结构的异质结双极晶体管 (EET- HBT:Emitter Edge Thinning- HeterojunctionBipolar Transistor)的电流增益 ,提出了发射极边偏移电压的概念 .在将它引入 Gum mel- Poon模型后 ,对不同结构的 EET- HBT的直流电流增益进行了计算 ,并将计算结果与已发表的实验数据作了比较 .计算表明 ,修正后的Gum mel- Poon模型能够较好的反映出采用 EET结构后对增益的改善作用 ,钝化边长度越长、器件发射结的面积越小 (周长 /面积比越大 ) ,钝化的效果越好 .计算结果显示采取薄发射区设计也能起到与 EET结构同样的钝化效果 .计算结果可以为高性能 展开更多
关键词 电流增益 异质结构双极晶体管 发射极边减薄结构
在线阅读 下载PDF
低温大注入多晶硅发射极硅双极晶体管电流增益的定量模拟
19
作者 肖志雄 魏同立 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期44-48,共5页
已有的理论和实验都已证明，多晶硅发射极硅双极晶体管适合于低温工作。但至今为止，其完整的大注入时电流增益的理论分析还不成熟，特别是进行定量的计算；本文定量地模拟了低温７７Ｋ和常温３００Ｋ下多晶硅发射极硅双极晶体管电流增... 已有的理论和实验都已证明，多晶硅发射极硅双极晶体管适合于低温工作。但至今为止，其完整的大注入时电流增益的理论分析还不成熟，特别是进行定量的计算；本文定量地模拟了低温７７Ｋ和常温３００Ｋ下多晶硅发射极硅双极晶体管电流增益与集电极电流密度的关系，并且分析了低温和常温下决定该晶体管电流增益大注入效应的主要物理效应，为低温多晶硅发射极硅双极晶体管的设计提供了有益的理论基础。 展开更多
关键词 多晶硅 发射极硅 双极晶体管 电流增益
在线阅读 下载PDF
电流增益温度稳定的硅双极晶体管 被引量：2
20
作者 郑茳 吴金 魏同立 《电子器件》 CAS 1991年第1期44-50,共7页
随着现代电子工业的迅猛发展,高可靠己成为现代武器系统、军用电子设备、航天航空工程和高性能电子整机的基本要求,电子整机、设备和系统要求能够在各种条件下工作,这就对半导体器件提出了具有耐环境变化的高可靠性和高稳定性的要求.半... 随着现代电子工业的迅猛发展,高可靠己成为现代武器系统、军用电子设备、航天航空工程和高性能电子整机的基本要求,电子整机、设备和系统要求能够在各种条件下工作,这就对半导体器件提出了具有耐环境变化的高可靠性和高稳定性的要求.半导体器件的电特性参数大多是温度敏感参数,环境温度的高低温变化将引起半导体器件电性能的剧烈变化,这直接影响了电子整机、设备和系统的性能,甚至使它们丧失工作能力. 展开更多
关键词 双极晶体管 电流增益 硅晶体管
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 4 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部