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高温退火对AlN外延材料晶体质量的影响
1
作者 罗伟科 王翼 +5 位作者 李亮 李传皓 张东国 杨乾坤 彭大青 李忠辉 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第2期167-172,共6页
采用高温退火技术改善金属有机物化学气相沉积AlN薄膜材料晶体质量。研究发现较低的生长温度下,Al原子迁移能力弱,外延呈岛状生长模式,形成大量的柱状晶粒,晶粒倾斜、扭曲,晶格原子排列混乱,存在大量的位错和层错缺陷;高温退火时晶格发... 采用高温退火技术改善金属有机物化学气相沉积AlN薄膜材料晶体质量。研究发现较低的生长温度下,Al原子迁移能力弱,外延呈岛状生长模式,形成大量的柱状晶粒,晶粒倾斜、扭曲,晶格原子排列混乱,存在大量的位错和层错缺陷;高温退火时晶格发生重构,晶粒合并,位错和层错缺陷减少,晶格排列整齐,晶体质量得到提升。通过优化生长温度和退火温度,获得了高质量的200 nm厚AlN模板,其(002)和(102)面的X射线双晶衍射摇摆曲线半高宽分别为107 arcsec和257 arcsec,位错密度比退火前降低了2~3个数量级。 展开更多
关键词 高温退火 氮化铝 晶体质量 金属有机物化学气相沉积
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高晶体质量共价有机框架材料研究
2
作者 陈珂 李琰 +1 位作者 姜伟星 张滨 《化纤与纺织技术》 CAS 2024年第1期26-28,共3页
高晶体质量共价有机框架材料(COFs)是一类备受瞩目的新兴材料,其发展趋势在当今的材料科学和应用技术领域引发了各国的广泛兴趣。在一个面临资源稀缺和环境挑战的时代,COFs的可控性合成、多功能性设计和跨学科应用为未来材料研究提供了... 高晶体质量共价有机框架材料(COFs)是一类备受瞩目的新兴材料,其发展趋势在当今的材料科学和应用技术领域引发了各国的广泛兴趣。在一个面临资源稀缺和环境挑战的时代,COFs的可控性合成、多功能性设计和跨学科应用为未来材料研究提供了新的方向,这些材料通过其多孔结构、电化学性能和光学性质等方面的独有特性,成为能源存储、传感技术、医疗应用、环境保护等领域的潜在解决方案。文章基于高晶体质量共价有机框架材料的定义和性质特点,研究高晶体质量共价有机框架材料的制备方法,探讨了高晶体质量共价有机框架材料的发展趋势,以便更好地理解高晶体质量共价有机框架材料的未来发展方向,促进其在各种领域的应用和研究。 展开更多
关键词 高晶体质量 共价有机框架材料 材料科学
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退火对CdZnTe晶体质量的影响 被引量：8
3
作者 朱基千 褚君浩 +2 位作者 张小平 李标 程继健 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第10期782-786,共5页
我们用红外透射光谱和X射线双晶衍射等，研究了退火对CdZnTe晶体质量的影响．结果表明，在Cd气氛中，700℃，退火5小时以上，能大量地去除晶片中的Te沉淀，提高其红外透射比；同时，退火也导致了晶片表面的损伤，损伤层为50～130μm．... 我们用红外透射光谱和X射线双晶衍射等，研究了退火对CdZnTe晶体质量的影响．结果表明，在Cd气氛中，700℃，退火5小时以上，能大量地去除晶片中的Te沉淀，提高其红外透射比；同时，退火也导致了晶片表面的损伤，损伤层为50～130μm．表面结构损伤的原因是，（1）Cd气氛中退火，CdZnTe晶体表面的Zn损失；（2）退火过程中，吸附在沉淀物周围的杂质，尤其是快扩散杂质，将随着沉淀相的消失而迁移到晶体的表面，从而破坏了表面的晶体结构．退火后，磨去损伤层，可将聚集在表面的这些杂质除去，更有利于外延生长或器件制备． 展开更多
关键词 化含物半导体 晶体质量 退火
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金刚石的晶体质量评定探究 被引量：12
4
作者 刘剑红 陈美华 +1 位作者 吴改 宫旎娜 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期559-564,共6页
分别选用辽宁瓦房店原生矿产出金刚石、湖南砂矿产出金刚石、CVD合成金刚石、高温高压合成金刚石各1颗,采用红外光谱、高分辨率X射线衍射、拉曼光谱和正交偏光显微观察的分析方法,对其晶体质量进行了研究。通过比较金刚石1332.5 cm-1拉... 分别选用辽宁瓦房店原生矿产出金刚石、湖南砂矿产出金刚石、CVD合成金刚石、高温高压合成金刚石各1颗,采用红外光谱、高分辨率X射线衍射、拉曼光谱和正交偏光显微观察的分析方法,对其晶体质量进行了研究。通过比较金刚石1332.5 cm-1拉曼本征峰的实际位移与理论位移,四颗金刚石均存在一定的内应力,高温高压合成金刚石的内应力小于其它三颗金刚石;金刚石拉曼本征峰的半高宽比对表明,四颗金刚石均存在较多晶格缺陷,其中湖南砂矿产出金刚石缺陷明显;采用双轴晶ω扫描方式测试了四颗金刚石{004}面的摇摆曲线,并估算其晶面族的晶面间距,结果显示高温高压合成金刚石{004}面的晶面间距大于其它三颗金刚石,可能是因孤氮所致;由金刚石摇摆曲线半高宽计算出内部平均位错密度值表明,高温高压合成金刚石最低,而瓦房店产出的金刚石内部平均位错密度最大,且含有亚晶界,这一结果与其异常双折射现象一致。 展开更多
关键词 金刚石 晶体质量 摇摆曲线 拉曼光谱 位错密度
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提高蛋白质晶体质量的研究进展 被引量：3
5
作者 鹿芹芹 尹大川 +3 位作者 刘永明 陈瑞卿 曹慧玲 解思晓 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期104-110,共7页
获得高质量蛋白质晶体一直是X射线衍射解析蛋白质结构的瓶颈问题,因此研究提高蛋白质晶体质量的方法具有非常重要的意义。近年来人们从影响蛋白质结晶过程的各个因素出发,发展了一系列提高蛋白质晶体质量的方法,如在亚稳区生长蛋白质晶... 获得高质量蛋白质晶体一直是X射线衍射解析蛋白质结构的瓶颈问题,因此研究提高蛋白质晶体质量的方法具有非常重要的意义。近年来人们从影响蛋白质结晶过程的各个因素出发,发展了一系列提高蛋白质晶体质量的方法,如在亚稳区生长蛋白质晶体、利用特殊环境影响蛋白质晶体生长的动力学过程、利用去垢剂提高蛋白质晶体质量和分子工程改造蛋白质分子提高晶体质量等。分析和评述了这些方法影响蛋白质结晶过程的机理。 展开更多
关键词 蛋白质 X射线衍射 晶体质量
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生长方式对DKDP晶体质量的影响研究 被引量：2
6
作者 常新安 臧和贵 +1 位作者 陈学安 肖卫强 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B06期185-189,193,共6页
本文进行了片状籽晶c向生长、点状籽晶全方位生长和锥头籽晶c向生长等不同方式的DKDP晶体生长研究。通过对不同生长方式分析、对比,认为锥头籽晶c向生长为最佳生长方式,以此方式在体积为10L的育晶器中顺利地生长出了c向尺寸达145mm的DKD... 本文进行了片状籽晶c向生长、点状籽晶全方位生长和锥头籽晶c向生长等不同方式的DKDP晶体生长研究。通过对不同生长方式分析、对比,认为锥头籽晶c向生长为最佳生长方式,以此方式在体积为10L的育晶器中顺利地生长出了c向尺寸达145mm的DKDP晶体。通过{100}晶面和{101}晶面面网密度和生长基元在不同晶面上成键的键能估算,结合晶体生长的Bravais法则和PBC理论对DKDP晶体生长习性进行了理论解释,同时对全方位生长晶体质量问题的成因进行了讨论。 展开更多
关键词 DKDP晶体 生长方式 晶体质量 面网密度 键能
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Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延薄膜的晶体质量分析 被引量：1
7
作者 朱基千 褚君浩 +3 位作者 李标 陈新强 曹菊英 程继健 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1997年第2期103-108,共6页
本文用Ｘ射线双晶摇摆曲线，分析了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜的晶体质量。结果表明，用垂直浸渍液相外延方法生长的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ薄膜，结构均匀性好，晶体质量高；Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜表面层的晶体质量，优于其... 本文用Ｘ射线双晶摇摆曲线，分析了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜的晶体质量。结果表明，用垂直浸渍液相外延方法生长的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ薄膜，结构均匀性好，晶体质量高；Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜表面层的晶体质量，优于其界面层；同时，Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜表面层的位错密度，可通过Ｘ射线双晶摇摆曲线的半峰宽估算得到。 展开更多
关键词 晶体质量 液相外延 薄膜 三元系 红外探测器
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快速热退火提高应变InAs／InP量子阱结构的晶体质量 被引量：1
8
作者 邢启江 章蓓 王舒民 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期357-361,共5页
研究了快速热退火对应变ＩｎＡＳ／ＩｎＰ单量子阱（ＳＱＷ）结构光学性质的影响。样品经最佳条件７００℃ｔ，５ｓ的快速热退火，８Ｋ温度下量子阱的荧光强度增加了４倍，量子阱荧光峰仅蓝移１．５５ｍｅＶ。而且，发现在样品中的深辐... 研究了快速热退火对应变ＩｎＡＳ／ＩｎＰ单量子阱（ＳＱＷ）结构光学性质的影响。样品经最佳条件７００℃ｔ，５ｓ的快速热退火，８Ｋ温度下量子阱的荧光强度增加了４倍，量子阱荧光峰仅蓝移１．５５ｍｅＶ。而且，发现在样品中的深辐射能级的荧光效率也受到快速热退火的影响。实验结果证明快速热退火能大大改进生长以后的应变量子阱结构的晶体质量，而且是提高激光器件特性的一个重要途径。 展开更多
关键词 半导体 量子阱结构 快速热退火 火荧光 晶体质量
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用晶体质量划分年龄组调查东北兔的种群组成 被引量：1
9
作者 周晓梅 马建章 《东北师大学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期64-69,共6页
通过对长白山区随机采集的东北兔的详细研究 ,了解东北兔种群组成为 :雄性 /雌性数量比为 53∶4 4 ,经显著性检验与 1∶1无显著性差异 ,雌雄间晶体干质量无显著性差异 (t<t0 .0 5 ) .将两性合并分析 ,根据晶体质量分为四个年龄组 .... 通过对长白山区随机采集的东北兔的详细研究 ,了解东北兔种群组成为 :雄性 /雌性数量比为 53∶4 4 ,经显著性检验与 1∶1无显著性差异 ,雌雄间晶体干质量无显著性差异 (t<t0 .0 5 ) .将两性合并分析 ,根据晶体质量分为四个年龄组 .幼年组晶体干质量在 1 80 .0～ 2 4 0 .0mg之间 ,所占比例为 1 8.56% ,雌性 /雄性数量比为 1∶1 .2 5;亚成年组晶体干质量在 2 4 0 .1～ 3 0 0 .0mg之间 ,所占比例为 4 8.4 5% ,雌性 /雄性数量比为 1∶1 .3 5;成年组Ⅰ晶体干质量在 3 0 0 .1～ 3 60 .0mg之间 ,所占比例为 2 0 .62 % ,雌性 /雄性数量比为 1∶1 ;成年组Ⅱ晶体干质量在3 60 .1～ 4 0 0 .0mg之间 ,所占比例为 1 2 .2 3 % ,雌性 /雄性数量比为1∶0 .71 .从种群组成来看 ,虽然幼体比重较少 ,但是种群的发展趋势为数量增长型 .从性比上看 ,幼年组和亚成年组的雄性比例明显偏高 ,而随年龄增长雄性比例明显降低 ,远低于雌性 ,这符合哺乳动物种的特性 . 展开更多
关键词 东北兔 种群组成 晶体质量 年龄结构 年龄组划分 雌雄比例 显著性检验
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不同直径张应变锗材料对光谱和晶体质量的影响
10
作者 黄诗浩 孙钦钦 +3 位作者 谢文明 汪涵聪 林抒毅 陈炳煌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期305-309,共5页
绝缘体上张应变锗材料是通过能带工程提高锗材料光电性能得到的一种新型半导体材料,在微电子和光电子领域具有重要的应用前景。采用微电子技术中的图形加工方法以及利用锗浓缩的技术原理,在绝缘体上硅(SOI)材料上制备了绝缘体上张应变... 绝缘体上张应变锗材料是通过能带工程提高锗材料光电性能得到的一种新型半导体材料,在微电子和光电子领域具有重要的应用前景。采用微电子技术中的图形加工方法以及利用锗浓缩的技术原理,在绝缘体上硅(SOI)材料上制备了绝缘体上张应变锗材料。喇曼与室温光致发光(PL)测试结果表明,不同圆形半径的绝缘体上锗材料张应变均为0.54%。对于绝缘体上张应变锗材料,应变使其发光红移的效果强于量子阱使其发生蓝移的效果,总体将使绝缘体上张应变锗材料的直接带发光峰位红移。同时0.54%张应变锗材料的直接带发光强度随着圆形半径的增大而减弱,这主要是因为圆形半径大的样品其晶体质量较差。该材料可进一步用于制备锗微电子和光电子器件。 展开更多
关键词 绝缘体上锗 张应变 锗浓缩 绝缘体上硅(SOI) 晶体质量
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红外光谱法检测LPE　In_（1－x）Gal_xA　syP_（1－y）晶体质量优劣的研究
11
作者 刘益春 孙跃东 齐秀英 《东北师大学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1995年第3期28-30,共3页
通过红外光谱检测ＬＰＥＩｎＧａＡｓＰ材料带边发光强度和光谱线型的空间分布检测材料带边辐射复合效率和均匀性，对引起光致发光强度衰减及半谱半宽度起伏的物理原因进行了分析，并同Ｘ－射线双晶衍射的测量结果进行了对比，二者具有... 通过红外光谱检测ＬＰＥＩｎＧａＡｓＰ材料带边发光强度和光谱线型的空间分布检测材料带边辐射复合效率和均匀性，对引起光致发光强度衰减及半谱半宽度起伏的物理原因进行了分析，并同Ｘ－射线双晶衍射的测量结果进行了对比，二者具有很好的一致性．实验结果证明，光致发光方法是判断ＬＰＥ晶体质量简单而有效的方法． 展开更多
关键词 红外光谱 LPE INGAASP 半导体 晶体质量
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终态形貌与晶体质量相关性
12
作者 姜国经 沈永宏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期210-210,共1页
终态形貌与晶体质量相关性姜国经沈永宏（中国科学院长春光学精密机械研究所，长春１３００２２）ＲｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐＢｅｔｗｅｅｎＴｅｒｍｉｎａｌＳｔａｔｅｓａｎｄＱｕａｌｉｔｙｏｆＣｒｙｓｔａｌＪｉａｎｇＧｕｏｊｉｎ... 终态形貌与晶体质量相关性姜国经沈永宏（中国科学院长春光学精密机械研究所，长春１３００２２）ＲｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐＢｅｔｗｅｅｎＴｅｒｍｉｎａｌＳｔａｔｅｓａｎｄＱｕａｌｉｔｙｏｆＣｒｙｓｔａｌＪｉａｎｇＧｕｏｊｉｎｇＳｈｅｎＹｏｎｇｈｏｎｇ（Ｃｈａ... 展开更多
关键词 终态形貌 晶体生长 晶体质量 相关性
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SOI晶体质量分析技术
13
作者 张鹏飞 钱佩信 《微细加工技术》 EI 1993年第1期32-37,共6页
本文评述了腐蚀金相技术、物理化学技术和电学测试技术等晶体质量分析手段,研究了这些方法在SOI晶膜检测中的应用,对于SOI质量鉴定和SOI工艺评价具有实用价值。
关键词 半导体材料 SOI 晶体质量 质量分析
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通过双中温AlN插入层提高半极性(1122)面AlN薄膜的表面形貌和晶体质量
14
作者 崔佳 罗旭光 +1 位作者 张雄 崔一平 《半导体光电》 CAS 北大核心 2022年第3期505-509,共5页
利用金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石衬底上生长了一系列具有双中温AlN插入层(MTG-AlN)的半极性AlN薄膜样品。中温生长的AlN插入层具有较大的表面粗糙度,形成了类似纳米级图形化衬底结构,能够有效阻断高温生长的半极性AlN样品中堆垛... 利用金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石衬底上生长了一系列具有双中温AlN插入层(MTG-AlN)的半极性AlN薄膜样品。中温生长的AlN插入层具有较大的表面粗糙度,形成了类似纳米级图形化衬底结构,能够有效阻断高温生长的半极性AlN样品中堆垛层错的传播,从而提高半极性AlN样品的表面形貌和晶体质量。通过原子力显微镜和X射线衍射仪的表征,研究了MTG-AlN插入层厚度在20~100 nm之间的变化对半极性AlN样品的表面形貌和晶体质量的影响。结果表明,所有半极性AlN样品都具有(1122)取向。当插入的MTG-AlN中间层厚度约为80 nm时,半极性AlN样品表面粗糙度显著降低,晶体质量明显改善。 展开更多
关键词 双中温AlN插入层 半极性AlN 表面形貌 晶体质量
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VGF-InP中气孔形成机理及对晶体质量的影响
15
作者 田树盛 杨瑞霞 +5 位作者 孙聂枫 王书杰 陈春梅 黄子鹏 付莉杰 王阳 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第6期466-470,483,共6页
采用垂直梯度凝固(VGF)法生长的InP单晶晶锭中部出现气孔,观察了气孔的形成过程,解释了气孔的产生机理,分析了晶体中气孔对晶体质量的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光谱、化学腐蚀法和霍尔测试系统对InP样品... 采用垂直梯度凝固(VGF)法生长的InP单晶晶锭中部出现气孔,观察了气孔的形成过程,解释了气孔的产生机理,分析了晶体中气孔对晶体质量的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光谱、化学腐蚀法和霍尔测试系统对InP样品的均匀性、结构特性、发光特性、位错密度和电学特性进行测试分析。结果表明,气孔周围磷含量较高,气孔周围XRD摇摆曲线的平均半峰全宽为65.97″,比化学配比InP晶片高1.3倍;位错密度为2134 cm-2,比化学配比InP晶片高10倍;迁移率为837 cm2·V-1·s-1,比化学配比InP晶片低50.3%。磷气孔破坏了晶体的化学配比和晶格完整性,晶格排列较差,气孔附近位置结晶质量差。磷气孔对周围位置产生一定应力,导致周围位错堆积,气孔使晶片的迁移率下降。 展开更多
关键词 垂直梯度凝固(VGF) 单晶生长 磷化铟(InP) 气孔 晶体质量
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一种高晶体质量高阻GaN外延层的生长方法
16
《电脑与电信》 2014年第11期24-24,共1页
成果描述：本发明涉及一种生长高晶体质量高阻GaN外延层的方法。本发明通过在蓝宝石衬底上预沉积低温AIN并退火处理（简称为“AIN预处理门”），降低GaN中氧杂质的浓度，减少需要被补偿的背景电子浓度，因此仅需在GaN外延层中引入较少... 成果描述：本发明涉及一种生长高晶体质量高阻GaN外延层的方法。本发明通过在蓝宝石衬底上预沉积低温AIN并退火处理（简称为“AIN预处理门”），降低GaN中氧杂质的浓度，减少需要被补偿的背景电子浓度，因此仅需在GaN外延层中引入较少的刃型位错来补偿即可获得高阻GaN外延层。 展开更多
关键词 生长方法 晶体质量 GaN 外延层 高阻 电子浓度 蓝宝石衬底 退火处理
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SPRI2004年度科学技术奖获奖论文——“水分-蔗糖交互作用,晶体质量和白糖的贮存稳定性”的摘要
17
作者 苏毅 《广西轻工业》 2004年第3期16-16,共1页
关键词 水分-蔗糖 交互作用 晶体质量 白糖 贮存稳定性 结块现象
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铌酸锂晶体质量影响因素的讨论
18
作者 董觉民 《江西有色金属》 1989年第1期12-15,34,共5页
本文论述了LN晶体质量影响因素和提高其内在质量可能性。
关键词 铌酸锂晶体 晶体质量
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快速合成立方六面体金刚石大单晶晶体的质量研究 被引量：5
19
作者 陈奎 张莉 +2 位作者 臧传义 郑喜贵 朱永刚 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期620-624,634,共6页
利用高温高压温度梯度法,在优质六面体金刚石大单晶稳定生长的基础上,合理调整晶床高度为5 mm,在1300～1350℃温度区域30 h合成优质六面体晶体重量达2.04克拉,生长速度高达13.6 mg/h。三种晶体样品(本实验合成晶体,日本住友公司合成晶体... 利用高温高压温度梯度法,在优质六面体金刚石大单晶稳定生长的基础上,合理调整晶床高度为5 mm,在1300～1350℃温度区域30 h合成优质六面体晶体重量达2.04克拉,生长速度高达13.6 mg/h。三种晶体样品(本实验合成晶体,日本住友公司合成晶体,元素六公司合成晶体)经显微红外吸收(IR)测试,本实验合成晶体{100}晶面的平均氮含量为240 ppm,高于日本住友和元素六晶体样品的氮含量;三种晶体样品经激光拉曼测试,均在1332 cm-1左右出现了较强的金刚石拉曼标准峰,利用高斯模拟计算出本实验合成晶体拉曼峰的半高宽值为5.570cm-1,大于日本住友晶体样品而小于元素六合成的晶体样品;对三种晶体样品的生长速度、氮含量分布和晶格结晶程度分析,由于本实验合成六面体晶体的生长速度远大于二者,使晶体的晶格结晶程度稍差于日本住友样品而优于元素六晶体,结合激光拉曼图谱分析本实验合成的六面体晶体中有少量杂质存在,或许这些杂质的存在正是导致其{100}晶面氮含量高于日本住友样品氮含量的主要原因。 展开更多
关键词 高温高压 生长速度 氮含量 晶体质量
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过渡层对Ge衬底GaAs外延层晶体质量的影响 被引量：1
20
作者 李晓婷 赛小锋 +2 位作者 汪韬 曹希斌 石刚 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2007年第6期58-61,共4页
利用低压金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在Ge衬底上生长GaAs外延层。通过改变GaAs过渡层的生长温度对GaAs外延层进行了表征,利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪研究了表面形貌和晶体质量,优化出满足高效太阳能电池要求的高质量GaAs单晶... 利用低压金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在Ge衬底上生长GaAs外延层。通过改变GaAs过渡层的生长温度对GaAs外延层进行了表征,利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪研究了表面形貌和晶体质量,优化出满足高效太阳能电池要求的高质量GaAs单晶层生长条件。 展开更多
关键词 GAAS/GE 过渡层 生长温度 晶体质量
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