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Cd在Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体中的有效扩散系数与扩散激活能
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作者 刘洪涛 桑文斌 +4 位作者 李万万 张斌 闵嘉华 詹峰 曹泽淳 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1577-1580,共4页
为了计算Cd在Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体中的有效扩散系数DCd与扩散激活能QCd,利用Cd在CZT晶体中的扩散特性,设计了在不同Cd压下对CZT的退火实验,推导出了晶体电阻率与Cd有效扩散系数之间的函数关系,经过计算,首次获得了在1073K,973K和873K... 为了计算Cd在Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体中的有效扩散系数DCd与扩散激活能QCd,利用Cd在CZT晶体中的扩散特性,设计了在不同Cd压下对CZT的退火实验,推导出了晶体电阻率与Cd有效扩散系数之间的函数关系,经过计算,首次获得了在1073K,973K和873K温度时Cd原子在CZT晶体中的有效扩散系数DCd,分别为1.464×10-10cm2/s,1.085×10-11cm2/s和4.167×10-13cm2/s。将扩散数据经过拟合后得到了Cd原子在CZT晶片中有效扩散系数的表达式:2.33×exp(–2.38eV/kT)(873K^1073K),其中扩散激活能QCd为2.38eV。 展开更多
关键词 Cd0.9Zn0.1Te(CZT) 有效扩散系数dcd 扩散激活能Qcd 数值拟合
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