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氮化硼薄膜内应力的红外光谱研究 被引量：12
1
作者 赵永年 邹广田 +3 位作者 王波 何志 朱品文 陶艳春 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第7期1136-1139,共4页
用射频（ＲＦ）磁控溅射制备了立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜．ＦＴＩＲ光谱和电子衍射实验表明：该薄膜是纯的，其结晶度很高．ＦＴＩＲ光谱研究指出，基板负偏压是ｃ－ＢＮ相形成的重要因素，但也由此产生了ｃ－ＢＮ薄膜的应力，且负偏... 用射频（ＲＦ）磁控溅射制备了立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜．ＦＴＩＲ光谱和电子衍射实验表明：该薄膜是纯的，其结晶度很高．ＦＴＩＲ光谱研究指出，基板负偏压是ｃ－ＢＮ相形成的重要因素，但也由此产生了ｃ－ＢＮ薄膜的应力，且负偏压越高，产生的应力越大．比较透射谱和反射谱的结果，ｃ－ＢＮ薄膜表面层的应力小于内部的．按照ｃ－ＢＮ形成的压力模型，表面应力小到一定程度可能影响ｃ－ＢＮ的继续生长．一个特制的分层结构ＢＮ薄膜保留了由于应力造成的ｃ－ＢＮ的裂纹，这个裂纹分布在一些同心圆上，中心是缺陷或杂质，同心圆之间有明显的分界线，把ｃ－ＢＮ表层分割成许多应力区． 展开更多
关键词 立方 内应力 红外光谱 氮化硼薄膜
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氮化硼薄膜的场致发射特性 被引量：5
2
作者 顾广瑞 何志 +3 位作者 李英爱 王翠 冯伟 赵永年 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第1期44-48,共5页
研究了氮化硼 (BN)薄膜的场发射特性与不同基底偏压和不同膜厚的关系。在磁控溅射反应器中 ,使用高纯六角氮化硼 (h BN)靶 ,通入Ar和N2 的混合气体 ,制备出了纳米BN薄膜。溅射是在基底加热 470℃和总压力为 1 .2Pa的条件下进行的。在超... 研究了氮化硼 (BN)薄膜的场发射特性与不同基底偏压和不同膜厚的关系。在磁控溅射反应器中 ,使用高纯六角氮化硼 (h BN)靶 ,通入Ar和N2 的混合气体 ,制备出了纳米BN薄膜。溅射是在基底加热 470℃和总压力为 1 .2Pa的条件下进行的。在超高真空系统中测量了不同膜厚和不同基底偏压的BN薄膜的场发射特性 。 展开更多
关键词 BN薄膜 场致发射 氮化硼薄膜 基板偏压 薄膜厚度 磁控溅射
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立方氮化硼薄膜制备与性质研究新进展 被引量：5
3
作者 张兴旺 游经碧 陈诺夫 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期385-390,共6页
立方氮化硼(c-BN)具有优异的物理和化学性质,在力学,光学和电子学等方面有着广泛的应用前景．自上世纪80年代开始,低压沉积c-BN薄膜的研究迅速发展,到90年代中期达到高潮,随后进展缓慢,c-BN薄膜研究转入低潮．近年来,c-BN薄膜研究在几... 立方氮化硼(c-BN)具有优异的物理和化学性质,在力学,光学和电子学等方面有着广泛的应用前景．自上世纪80年代开始,低压沉积c-BN薄膜的研究迅速发展,到90年代中期达到高潮,随后进展缓慢,c-BN薄膜研究转入低潮．近年来,c-BN薄膜研究在几方面取得了突破,如获得与衬底粘附良好、厚度超过1μm的c-BN厚膜;成功实现了c-BN单晶薄膜的异质外延生长;此外,在c-BN薄膜力学性质和过渡层微结构研究方面也取得了进展．本文主要评述最近几年c-BN薄膜研究在以上几方面取得的最新进展． 展开更多
关键词 立方氮化硼薄膜 异质外延 应力 粘附性
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立方氮化硼薄膜中的氧杂质 被引量：4
4
作者 杨杭生 邱发敏 聂安民 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期748-752,共5页
采用等离子体增强化学气相生长技术制备立方氮化硼薄膜,系统研究了背底真空度和生长过程中氧气的存在对立方氮化硼薄膜中氧杂质含量的影响.发现把背底真空度提高至1×10-5Pa仍然不能有效消除立方氮化硼薄膜中的氧杂质.随着立方氮化... 采用等离子体增强化学气相生长技术制备立方氮化硼薄膜,系统研究了背底真空度和生长过程中氧气的存在对立方氮化硼薄膜中氧杂质含量的影响.发现把背底真空度提高至1×10-5Pa仍然不能有效消除立方氮化硼薄膜中的氧杂质.随着立方氮化硼薄膜中氧杂质的增加,其红外吸收谱的Lorentz拟合发现,在1230～1280cm-1附近出现由氧原子与硼原子结合形成的B-O键的反对称伸缩振动引起的吸收峰.该吸收峰的强度与薄膜中的氧杂质含量有较好的线性关系,因此可以通过分析该吸收峰的强度半定量地测定立方氮化硼薄膜中的氧杂质含量。 展开更多
关键词 立方氮化硼薄膜 等离子体增强化学气相生长 红外光谱 氧杂质
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纳米厚度氮化硼薄膜的场发射特性 被引量：2
5
作者 顾广瑞 李英爱 +4 位作者 陶艳春 何志 殷红 李卫青 赵永年 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第1期10-13,共4页
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～135nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜。红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h BN)相(1380cm-1和780cm-1)。在超高真空系统中测量了不同膜厚BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发... 利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～135nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜。红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h BN)相(1380cm-1和780cm-1)。在超高真空系统中测量了不同膜厚BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与膜厚关系很大,阈值电场随着厚度的增加而增大。由于BN薄膜和Si基底界面间存在功函数差,使得Si基底中电子转移到BN薄膜的导带,在外电场作用下隧穿BN表面势垒,发射到真空。 展开更多
关键词 纳米氮化硼薄膜 场发射特性 薄膜厚度 功函数 场发射平板显示器
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立方氮化硼薄膜内应力的电镜观察和红外光谱研究 被引量：2
6
作者 赵永年 王波 +2 位作者 何志 陶艳春 邹广田 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期341-341,共1页
立方氮化硼（ｃＢＮ）是优异力学、电学、热学、光学和半导体性能的新材料。由于高温高压合成的体材料粒度小而硬，不易改变形状，除超硬性外，其它方面的优异性能的应用受到限制。因此人们把ｃＢＮ广泛应用的希望寄托在薄膜材料上。ｃ... 立方氮化硼（ｃＢＮ）是优异力学、电学、热学、光学和半导体性能的新材料。由于高温高压合成的体材料粒度小而硬，不易改变形状，除超硬性外，其它方面的优异性能的应用受到限制。因此人们把ｃＢＮ广泛应用的希望寄托在薄膜材料上。ｃＢＮ薄膜研究已有２０年的历史了，各国科学家用多种物理气相沉积和化学气相沉积方法研究ｃＢＮ薄膜的制备。到目前为止，ｃＢＮ薄膜制备研究中主要解决的问题之一是附着力问题。沉积的ｃＢＮ薄膜从真空室中取出后由于附着力不好，短则几分钟长则几小时薄膜就会爆裂掉。这是阻碍ｃＢＮ薄膜应用的主要问题之一。附着力问题可能与薄膜的内应力有关。本文首次对ｃＢＮ薄膜内的应力在二维分布做了电镜观察和红外光谱分析。用一个射频（ＲＦ）磁控溅射装置研究ｃＢＮ薄膜的制备，具体制备条件在作者的“磁控溅射方法制备ｃＢＮ薄膜”一文（刊登在９６中国材料研讨会论文摘要集中）已描述。实验中得到为三个不同负偏压情况下得到的ＢＮ薄膜的红外光谱。１１００ｃｍ－１附近的吸收峰是ｃＢＮ相的特征吸收峰。比较尖锐的吸收峰表明薄膜是纯的结晶好的ｃＢＮ薄膜。电子衍射分析也证实了这一结论。１３８０ｃｍ－１和７８０ｃｍ－１是ｈＢＮ相的特征吸收峰。用显微镜观察到了一个? 展开更多
关键词 立方氮化硼薄膜 应力分布 红外光谱 半导体薄膜
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立方氮化硼薄膜表面的XPS研究 被引量：2
7
作者 邓金祥 陈浩 +5 位作者 陈光华 刘钧锴 宋雪梅 朱秀红 王波 严辉 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3187-3189,3194,共4页
研究立方氮化硼薄膜表面的性质对于研究立方氮化硼薄膜的成核机理和应用,具有重要的价值.本文用XPS对立方氮化硼薄膜表面进行研究,并对有关问题进行了讨论.XPS分析表明,立方氮化硼薄膜表面除了B、N外,还含有C和O.从XPS谱图计算得到含有... 研究立方氮化硼薄膜表面的性质对于研究立方氮化硼薄膜的成核机理和应用,具有重要的价值.本文用XPS对立方氮化硼薄膜表面进行研究,并对有关问题进行了讨论.XPS分析表明,立方氮化硼薄膜表面除了B、N外,还含有C和O.从XPS谱图计算得到含有立方相的氮化硼薄膜的N/B为0.90,较接近于氮化硼的理想化学配比1:1;不含立方相的氮化硼薄膜的N/B为0.86,离氮化硼的理想化学配比1:1较远.计算表明立方氮化硼薄膜的顶层六角相的厚度约为0.8nm. 展开更多
关键词 立方氮化硼薄膜 表面 X射线光电子能谱
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立方氮化硼薄膜的气相沉积及过渡层对其附着性能的影响 被引量：3
8
作者 贺琦 潘俊德 +1 位作者 徐重 Russell F.Messier 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期364-368,共5页
本文采用非平衡磁控溅射物理气相沉积工艺,在单晶硅基片上合成了立方氮化硼薄膜,并且通过采用过渡层提高了立方氮化硼薄膜的附着力,过渡层分别是碳化硼(B4C)薄膜以及碳化硼(B4C)薄膜与B C N梯度层的复合层(BC/B C N)。同时,不同过渡层... 本文采用非平衡磁控溅射物理气相沉积工艺,在单晶硅基片上合成了立方氮化硼薄膜,并且通过采用过渡层提高了立方氮化硼薄膜的附着力,过渡层分别是碳化硼(B4C)薄膜以及碳化硼(B4C)薄膜与B C N梯度层的复合层(BC/B C N)。同时,不同过渡层的存在使立方氮化硼薄膜的剥落机理产生变化。 展开更多
关键词 立方氮化硼薄膜 气相沉积法 附着性能 非平衡磁控溅射技术 过渡层
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衬底上立方氮化硼薄膜的大面积生长 被引量：2
9
作者 马锡英 贺德衍 陈光华 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期67-71,共5页
采用热丝辅助射频等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）方法在较大面积（≥５ｃｍ２）镍衬底上生长立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜．所用气体为硼烷、氨气和氢气的混合气体．实验发现，灯丝温度及其分布是影响ｃ－ＢＮ薄膜生长的主要因素．Ｘ射... 采用热丝辅助射频等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）方法在较大面积（≥５ｃｍ２）镍衬底上生长立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜．所用气体为硼烷、氨气和氢气的混合气体．实验发现，灯丝温度及其分布是影响ｃ－ＢＮ薄膜生长的主要因素．Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析表明，样品中立方相的成分随温度的升高而增加，当温度达到２０００℃时，样品中主要为立方相成分，无六方相（ｈ－ＢＮ）或其它杂相形成．用扫描电镜（ＳＥＭ）对样品表面不同位置形貌观察发现，立方相晶粒大小均匀且分布致密．Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）测得样品中Ｂ原子与Ｎ原子的组分比大约为１１．当温度达到２０００℃以上时，样品中立方相成分减小，说明在合适的温度下，可制备具有理想化学配比的大面积ｃ－ＢＮ薄膜． 展开更多
关键词 大面积生长 CVD 薄膜 立方氮化硼薄膜 生长
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立方氮化硼薄膜的制备及研究 被引量：3
10
作者 王明娥 马国佳 董闯 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期950-955,共6页
通过工艺对比,考察了过渡层在降低立方氮化硼薄膜内应力方面的作用,并研究了薄膜的力学性能。结果表明B-C-N三元过渡层的添加有效地降低了薄膜内应力。X射线光电子能谱结果显示在B-C-N三元过渡层内形成了成分的逐渐变化,同时各元素间杂... 通过工艺对比,考察了过渡层在降低立方氮化硼薄膜内应力方面的作用,并研究了薄膜的力学性能。结果表明B-C-N三元过渡层的添加有效地降低了薄膜内应力。X射线光电子能谱结果显示在B-C-N三元过渡层内形成了成分的逐渐变化,同时各元素间杂化成键。过渡层的添加使得在硅片基底上成功制备了性能稳定的立方氮化硼厚膜。 展开更多
关键词 立方氮化硼薄膜 B-C-N过渡层 应力 X射线光电子能谱
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氮化硼薄膜的厚度对场发射特性的影响 被引量：1
11
作者 顾广瑞 李英爱 +8 位作者 刘艳梅 陶艳春 何志 殷红 李卫青 冯伟 白玉白 田野 赵永年 《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期352-355,共4页
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～124nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1380cm-1和780cm-1)结构.在超高真空系统中测量了不同膜厚的场发射特性,发现阈值电压随着厚度... 利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～124nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1380cm-1和780cm-1)结构.在超高真空系统中测量了不同膜厚的场发射特性,发现阈值电压随着厚度的增加而增大.厚度为54nm的BN薄膜样品阈值电场为10V/μm,当外加电场为23V/μm时,最高发射电流为240μA/cm2.BN薄膜场发射F-N曲线表明,在外加电场作用下,电子隧穿了BN薄膜表面势垒发射到真空. 展开更多
关键词 氮化硼薄膜 薄膜厚度 场发射特性 薄膜结构 阈值电压 表面粗糙度 场发射显示器
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氮气分压对氮化硼薄膜场发射特性的影响 被引量：1
12
作者 顾广瑞 吴宝嘉 +3 位作者 李全军 金哲 盖同祥 赵永年 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第2期120-123,共4页
利用射频磁控溅射方法 ,真空室中充入高纯N2 (99.99% )和高纯Ar(99.99% )的混合气体 ,在n型 (10 0 )Si基底上沉积了氮化硼 (BN)薄膜。红外光谱分析表明 ,BN薄膜结构为六角BN(h -BN)相 (1380cm-1和 780cm-1)。在超高真空 (<10 -7Pa)... 利用射频磁控溅射方法 ,真空室中充入高纯N2 (99.99% )和高纯Ar(99.99% )的混合气体 ,在n型 (10 0 )Si基底上沉积了氮化硼 (BN)薄膜。红外光谱分析表明 ,BN薄膜结构为六角BN(h -BN)相 (1380cm-1和 780cm-1)。在超高真空 (<10 -7Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性 ,发现沉积时氮气分压的变化对BN薄膜的场发射特性有很大影响。随着氮气分压的增加 ,阈值电场逐渐升高 ,这是由于表面粗糙度的变化造成的。充入 10 %N2 情况下沉积的BN薄膜样品的场发射特性较好 ,开启电场为 9V/μm ,当电场升高到 2 4V/μm ,场发射电流为 32 0 μA/cm2 。所有样品的场发射FN曲线均近似为直线 。 展开更多
关键词 氮气分压 氮化硼薄膜 场发射 射频磁控溅射法 红外光谱分析 开启电场 隧道效应
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表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响 被引量：1
13
作者 李卫青 顾广瑞 +5 位作者 李英爱 何志 冯伟 刘丽华 赵春红 赵永年 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期2183-2185,共3页
用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后对薄膜在真空度低于5×10-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理,分别用红外光谱、原子力显微镜以及不同退火温度的场发射试验对薄膜... 用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后对薄膜在真空度低于5×10-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理,分别用红外光谱、原子力显微镜以及不同退火温度的场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明表面热处理对BN薄膜的表面形貌没有明显影响,样品场发射特性的变化可能与表面负电子亲和势有关,未进行热处理的样品阈值电场较低,可能归因于表面负电子亲和势效应,阈值电场为8V/μm,发射电流为80μA,热处理温度为800℃时,负电子亲和势仍然存在,直到热处理温度达到1000℃时,表面负电子亲和势才消失. 展开更多
关键词 氮化硼薄膜 表面热处理 场发射 发射电流 阈值电场
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偏压对磁控溅射沉积立方氮化硼薄膜的影响 被引量：1
14
作者 徐锋 左敦稳 +2 位作者 张旭辉 户海峰 王珉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期853-857,共5页
合适的衬底偏压是物理气相沉积制备cBN的必须条件,本文采用基于蒙特卡洛方法的SRIM软件对PVD过程中离子轰击衬底进行了分析,并进行了相关的实验研究。仿真与实验结果显示,随着离子轰击能量的增加,离子轰击深度和范围扩大,有利于cBN的成... 合适的衬底偏压是物理气相沉积制备cBN的必须条件,本文采用基于蒙特卡洛方法的SRIM软件对PVD过程中离子轰击衬底进行了分析,并进行了相关的实验研究。仿真与实验结果显示,随着离子轰击能量的增加,离子轰击深度和范围扩大,有利于cBN的成核与生长,但是过大的轰击能量会导致薄膜表面N与B元素的不匹配以及薄膜立方相的下降。同时,在PVD气氛中适量添加N2可以弥补薄膜表面N元素的损失,有利于提高立方相含量。 展开更多
关键词 立方氮化硼薄膜 磁控溅射 衬底偏压 离子轰击 立方相
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高质量立方氮化硼薄膜的射频磁控溅射制备及其性能表征 被引量：1
15
作者 蔡志海 杜玉萍 +5 位作者 谭俊 张平 赵军军 黄安平 许仕龙 严辉 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期9-12,共4页
运用射频磁控溅射法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜 ,并对射频功率、气体分压比及衬底偏压等参数对膜中立方氮化硼 (c -BN)含量的影响进行了研究。采用傅立叶红外光谱 (FTIR)、拉曼光谱、X射线光电子能谱 (XPS)和原子力显微镜 (AFM )对c ... 运用射频磁控溅射法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜 ,并对射频功率、气体分压比及衬底偏压等参数对膜中立方氮化硼 (c -BN)含量的影响进行了研究。采用傅立叶红外光谱 (FTIR)、拉曼光谱、X射线光电子能谱 (XPS)和原子力显微镜 (AFM )对c -BN薄膜进行了表征和分析。结果表明 :30 0W的射频功率是制备c -BN薄膜的最佳条件 ;当气体分压比Ar/N2 =5 1时 ,制备的薄膜中c -BN含量相对最高 ;立方氮化硼的形成存在偏压阈值 (约 80V ) ,低于此偏压c -BN很难形成。拉曼光谱分析进一步确认了BN薄膜的晶相结构。AFM和XPS分析结果表明c -BN薄膜结晶良好 ,晶粒尺寸细小 ,具有很好的化学配比 ,B原子与N原子的含量比为 1l。 展开更多
关键词 立方氮化硼薄膜 射频磁控溅射 拉曼光谱分析
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常温下脉冲激光沉积氮化硼薄膜研究 被引量：1
16
作者 王金斌 张灿云 +1 位作者 钟向丽 杨国伟 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期436-439,共4页
由于氮化硼特别是立方氮化硼 (c BN)的独特性质和广泛的应用前景 ,一直受到材料研究工作者的广泛关注。本研究利用脉冲激光在室温下沉积出立方氮化硼薄膜 ,傅立叶变换红外光谱和X射线衍射分析表明在所制备的氮化硼薄膜中 ,立方相的含量... 由于氮化硼特别是立方氮化硼 (c BN)的独特性质和广泛的应用前景 ,一直受到材料研究工作者的广泛关注。本研究利用脉冲激光在室温下沉积出立方氮化硼薄膜 ,傅立叶变换红外光谱和X射线衍射分析表明在所制备的氮化硼薄膜中 ,立方相的含量很高 ;同时 ,该研究还观察到了氮化硼的另一种高压相—爆炸结构氮化硼 (Explosive BN ,E BN)。本研究同时还讨论了氮化硼薄膜生长的原理。 展开更多
关键词 脉冲光辉沉积 室温 立方氮化硼薄膜 爆炸结构氮化硼
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氮化硼薄膜的红外光谱研究 被引量：2
17
作者 邓金祥 王瑶 +4 位作者 张晓康 周涛 汪旭洋 姚倩 陈光华 《光散射学报》 2008年第1期56-59,共4页
用磁控溅射法制备六角氮化硼薄膜,在衬底温度、衬底偏压、工作气压等条件一定的情况下改变工作气体(氮气+氩气)中氮气的比例,以制备高质量的六角氮化硼薄膜,薄膜以红外吸收光谱标识。实验结果表明,工作气体中氮气的比例对制得的六角氮... 用磁控溅射法制备六角氮化硼薄膜,在衬底温度、衬底偏压、工作气压等条件一定的情况下改变工作气体(氮气+氩气)中氮气的比例,以制备高质量的六角氮化硼薄膜,薄膜以红外吸收光谱标识。实验结果表明,工作气体中氮气的比例对制得的六角氮化硼薄膜有很大影响,在氮气比例为20%时得到理想的六角氮化硼薄膜。 展开更多
关键词 氮化硼薄膜 红外光谱 氮气比例
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工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响
18
作者 邓金祥 陈光华 +2 位作者 严辉 王波 宋雪梅 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期378-380,共3页
用射频溅射法将立方氮化硼（C-BN）薄膜沉积在p型Si（100）衬底上,薄膜的成分由傅里叶变换红外吸收谱和X射线衍射谱标识.在其他条件不变的情况下,研究了工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响.研究结果表明,工作气压是影响c-BN薄膜生长的... 用射频溅射法将立方氮化硼（C-BN）薄膜沉积在p型Si（100）衬底上,薄膜的成分由傅里叶变换红外吸收谱和X射线衍射谱标识.在其他条件不变的情况下,研究了工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响.研究结果表明,工作气压是影响c-BN薄膜生长的重要参数,要得到一定立方相体积分数的氮化硼薄膜,必须要有合适的工作气压.工作气压等于或高于2.00Pa时,立方相不能形成;工作气压为 0.67Pa时,得到了立方相体积分数为92％的立方氮化硼薄膜. 展开更多
关键词 制备 立方氮化硼薄膜 射频溅射 工作气压
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氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响
19
作者 李卫青 顾广瑞 +5 位作者 李英爱 何志 冯伟 刘丽华 赵春红 赵永年 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期2196-2198,共3页
用RF磁控溅射的方法在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理,用红外光谱、原子力显微镜、光电子能谱以及场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明氢等离子体使BN薄膜表面NEA增加,阈值电场降低... 用RF磁控溅射的方法在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理,用红外光谱、原子力显微镜、光电子能谱以及场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明氢等离子体使BN薄膜表面NEA增加,阈值电场降低,发射电流明显增大.氧等离子体处理对BN薄膜的场发射特性影响不大,只是发射电流略有降低,这只能是由于氧化层存在的原因. 展开更多
关键词 氮化硼薄膜 场发射 表面处理 阈值电场 发射电流
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氮化硼薄膜沉积中的相变化研究
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作者 赵永年 何志 +2 位作者 王波 陶艳春 邹广田 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期343-343,共1页
立方氮化硼（ｃＢＮ）具有力学、电学、热学、光学和半导体性能。它在硬度和热导率方面仅次于金刚石，而在化学稳定性、抗高温氧化和半导体性能方面优于金刚石。ｃＢＮ是自然界里没有的新型材料，可以用高温高压和低气压条件下两种方法... 立方氮化硼（ｃＢＮ）具有力学、电学、热学、光学和半导体性能。它在硬度和热导率方面仅次于金刚石，而在化学稳定性、抗高温氧化和半导体性能方面优于金刚石。ｃＢＮ是自然界里没有的新型材料，可以用高温高压和低气压条件下两种方法合成，后一种方法可以制备出厚度和形状可变的薄膜材料，可以充分地利用ｃＢＮ各种优异性能。ｃＢＮ薄膜的制备包括离子溅射、离子镀、磁控溅射、激光蒸镀等多种方法的物理气相沉积（ＰＶＤ）和包括ＲＦ辉光、电子回旋共振、感应耦合等离子体等方法在内的化学气相沉积（ＣＶＤ）。在近２０年的研究中，消除六角氮化硼（ｈＢＮ），提高ｃＢＮ含量一直是人们关注的主要问题。ｈＢＮ薄膜的沉积是比较容易的，ｃＢＮ的生长相对而言比较困难。本工作通过变化各种沉积条件，研究从ｈＢＮ薄膜向ｃＢＮ薄膜的过渡，以求得纯ｃＢＮ薄膜生长。本工作研制了一套磁控弧光放电增强等离子体活化反应离子镀装置，并用它研究ＢＮ薄膜沉积中的相转变问题。这个装置采用电子枪蒸发硼，用低气压下磁场中热电子弧光放电离化气体的方法，在基底加负偏压沉积ＢＮ薄膜，这个装置的特点是利用电子在磁场中的回旋运动增加碰撞几率和弧光的大电流而产生高离化度等离子体，这一特点对于控制薄膜生长? 展开更多
关键词 立方氮化硼薄膜 PVD法 相转变 沉积 半导体薄膜
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