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PVP对还原氮化法合成氮化铌薄膜结构与性能影响研究
1
作者 石岚天 魏颖娜 +6 位作者 王学沛 李周昌 王聪 刘梓君 庞绍志 卢婧 魏恒勇 《江苏陶瓷》 CAS 2020年第4期37-40,共4页
本文以五氯化铌为前驱体原料,以无水乙醇为氧供体,首先通过溶胶-凝胶法制备出五氧化二铌溶胶,引入成膜助剂PVP得到镀膜溶液,在石英基片上镀膜制备出前驱体薄膜,利用还原氮化技术合成出氮化铌薄膜。利用XRD、SEM和UVVIS-NIR和四探针测试... 本文以五氯化铌为前驱体原料,以无水乙醇为氧供体,首先通过溶胶-凝胶法制备出五氧化二铌溶胶,引入成膜助剂PVP得到镀膜溶液,在石英基片上镀膜制备出前驱体薄膜,利用还原氮化技术合成出氮化铌薄膜。利用XRD、SEM和UVVIS-NIR和四探针测试仪等测试手段,研究了PVP分子量及其用量对氮化铌薄膜微观结构及性能的影响。结果表明:当PVP用量为0.5 g,分子量为130万时,薄膜中物相为Nb_4N_5,薄膜基本无开裂,表面光滑,在250~550 nm范围内有一个明显的透过带,可见光透过率较大,方块电阻为500Ω/□。 展开更多
关键词 聚乙烯吡咯烷酮 还原氮化 氮化铌薄膜
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美国海军研究实验室制备出氮化铌薄膜
2
《新材料产业》 2017年第8期77-77,共1页
美国海军研究实验室（NRL）已经证明能够生长过渡金属氮化物Nb2N（氮化铌）薄膜。该薄晶体材料具有与氮化镓（GaN）相似的结构，但其电学和物理性质却显着不同。
关键词 美国海军研究实验室 氮化铌薄膜 实验室制备 过渡金属氮化物 晶体材料 物理性质 氮化镓
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阴极弧等离子体沉积NbN薄膜 被引量：1
3
作者 宋教花 张涛 +2 位作者 侯君达 邓志威 李永良 《真空》 CAS 北大核心 2001年第1期28-31,共4页
利用磁过滤等离子体沉积装置 ,结合金属等离子体沉积技术 ,在 Si基底上分别用动态离子束增强沉积和非增强沉积的方法来制备 Nb N膜 ,对二者予以比较 ,并探讨了非增强沉积过程中基底温度对 Nb N膜层的影响。温度升高使膜层中 N的含量先... 利用磁过滤等离子体沉积装置 ,结合金属等离子体沉积技术 ,在 Si基底上分别用动态离子束增强沉积和非增强沉积的方法来制备 Nb N膜 ,对二者予以比较 ,并探讨了非增强沉积过程中基底温度对 Nb N膜层的影响。温度升高使膜层中 N的含量先呈上升趋势 ,随后又稍微降低 ;温度升高促进晶粒生长 ,使晶粒尺寸变大 ,从室温到约 30 0℃的温度下得到的薄膜在 (2 2 0 )峰表现出很强的择优取向 ,5 0 0℃的沉积温度下 ,(2 2 0 )峰变的很弱 ,(2 0 0 )峰表现出择优取向 ,5 0 0℃时膜层中得到单一的 δ- Nb N相 ;表面形貌方面 ,温度越低 ,薄膜越不完整 ,在 5 0 0℃左右才能得到光滑完整的 Nb N膜。与非增强沉积相比 ,增强沉积不需加热 ,在低温下就能得到光滑致密的 Nb N膜 ,膜层中 N的含量更高 ,且没有明显的择优取向。 展开更多
关键词 等离子体沉积 动态离子束增强沉积 温度 氮化铌薄膜 硅 性能 制备
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沉积温度对NbN膜层微观结构的影响 被引量：3
4
作者 宋教花 张涛 +3 位作者 侯君达 邓志威 李永良 马芙蓉 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期41-44,共4页
利用有磁过滤器的等离子体沉积装置 ,在不同温度的Si基底上沉积氮化铌 (NbN)薄膜 ,通过XRD ,XPS ,SEM等分析 ,研究了NbN薄膜的表面形貌与微观结构跟温度的关系 .发现沉积温度对择优取向有较强的影响 :从室温到约 30 0℃得到的薄膜在 (2 ... 利用有磁过滤器的等离子体沉积装置 ,在不同温度的Si基底上沉积氮化铌 (NbN)薄膜 ,通过XRD ,XPS ,SEM等分析 ,研究了NbN薄膜的表面形貌与微观结构跟温度的关系 .发现沉积温度对择优取向有较强的影响 :从室温到约 30 0℃得到的薄膜在 (2 2 0 )峰表现出很强的择优取向 ,50 0℃ (2 2 0 )峰变得很弱 ,(2 0 0 )峰表现出择优取向 ,但不明显 .同时 ,膜层中N和Nb的原子比先随温度的升高而升高 ,后稍有降低 .温度升高 ,δ NbN的晶粒变大 .室温到 30 0℃很难得到完整的NbN膜 ,而在 50 0℃得到的薄膜完整且光滑 ,膜层中得到单一的δ 展开更多
关键词 等离子体沉积 氮化铌薄膜 沉积温度 微观结构 择扰取向 表面形貌 基底温度
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改进铜铌溅射型QWR超导腔性能的探讨 被引量：4
5
作者 孟铁军 赵夔 +5 位作者 谢大弢 张保澄 王莉芳 朱凤 储祥蔷 陈佳洱 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1515-1519,共5页
通过直流偏压二级溅射方法 ,在无氧铜腔体表面溅射一层铌膜 ,研制了铜铌溅射型射频超导 1 4波长谐振腔(quarterwaveresonator,QWR) ,该腔主要用于重离子的加速 ,是北京放射性核束装置中后加速部分的预研项目 .目前国际上很多实验室都在... 通过直流偏压二级溅射方法 ,在无氧铜腔体表面溅射一层铌膜 ,研制了铜铌溅射型射频超导 1 4波长谐振腔(quarterwaveresonator,QWR) ,该腔主要用于重离子的加速 ,是北京放射性核束装置中后加速部分的预研项目 .目前国际上很多实验室都在研究进一步提高铜铌溅射型QWR超导腔的性能 ,通过多种方法的实验研究 ,发现在无氧铜衬底与铌膜之间加入一层氮化铌 (NbN)薄膜 ,可以使得表面铌膜的超导温度转变点由原来的 8 8K提高到了接近9 6K ,该方法有可能成为提高QWR腔加速性能的重要途径 。 展开更多
关键词 铜铌溅射型QWR超导腔 直流偏压二级溅射 谐振腔 氮化铌薄膜 超导温度 加速性能 加速器
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