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硅中的氮氧复合物和碳氧复合物 被引量:9
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作者 刘培东 余思明 +2 位作者 李立本 张锦心 阙端麟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第11期698-703,共6页
前文[1]指出,硅中的氮氧复合物实质上是氮对-硅-氧复合体.本文运用这一结构模型预测了新的实验事实,并用实验进行了验证,同时分析了硅中的碳氧复合物,提出了硅中碳与氧,氮与氧相互作用的新见解.
关键词 氮氧复合物 复合物
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硅中的氮氧复合物及其施主行为 被引量:4
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作者 刘培东 张锦心 +1 位作者 李立本 阙端麟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第12期1064-1070,共7页
含氮CZ硅的电学性能完全有别于含氮的FZ硅和无氮的CZ硅,研究表明,含氮CZ硅能形成一种与氮有关的新施主,它随氮氧复合物的形成而形成,随氮氧复合物的消失而消失.文章进一步研究了氮—新施主的结构模型,并对氮—新施主的形... 含氮CZ硅的电学性能完全有别于含氮的FZ硅和无氮的CZ硅,研究表明,含氮CZ硅能形成一种与氮有关的新施主,它随氮氧复合物的形成而形成,随氮氧复合物的消失而消失.文章进一步研究了氮—新施主的结构模型,并对氮—新施主的形成和消除与热处理条件的关系进行了探讨. 展开更多
关键词 氮氧复合物 施主行为 电学性能
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硅中的氮氧复合物及其施主行为
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作者 张锦心 刘培东 李立本 《浙江大学学报(自然科学版)》 CSCD 2000年第6期660-664,共5页
含氮 CZ硅的电学性能完全有别于含氮的 FZ硅和无氮的 CZ硅 .研究表明 ,含氮 CZ硅能形成一种与氮有关的新施主 ,它随氮氧复合物的形成而形成 ,随氮氧复合物的消失而消失 .文章进一步研究了氮 -新施主的形成和消除与热处理条件的关系 。
关键词 -复合物 -新施主 CZ硅 半导体材料 热处理
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直拉硅中氮与氧的相互作用 被引量:1
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作者 刘培东 李立本 +1 位作者 阙端麟 余思明 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 1995年第2期112-115,共4页
应用红外光谱技术研究了CZ硅中氮与氧的相互作用,实验发现硅中氮的行为不仅与热处理温度有关,而且与热处理时间、样品的热历史等因素有关,由此得出,硅中氮与氧的相互作用实际上分为三个阶段:(1)氮氧复合物的形成,(2)氮氧... 应用红外光谱技术研究了CZ硅中氮与氧的相互作用,实验发现硅中氮的行为不仅与热处理温度有关,而且与热处理时间、样品的热历史等因素有关,由此得出,硅中氮与氧的相互作用实际上分为三个阶段:(1)氮氧复合物的形成,(2)氮氧复合物的脱溶,(3)以氮为中心的氧沉淀的长大。 展开更多
关键词 氮氧复合物 沉淀 热处理
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