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Ce激活氯化钠在真空紫外光激发下的发光性质
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作者 艾孜提艾力·阿布力克木 古扎阿艺·居曼 艾尔肯·斯地克 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期622-624,共3页
采用水热蒸发法制备了NaCl∶Ce3+荧光粉,并通过X射线衍射(XRD)研究了材料的晶体结构。测量并分析材料在室温下的真空紫外激发光谱及相应的发射光谱。结果表明309和324nm的发射峰,对应于Ce3+离子的5d→4f(2 F5/2,2 F7/2)跃迁;激发谱显示... 采用水热蒸发法制备了NaCl∶Ce3+荧光粉,并通过X射线衍射(XRD)研究了材料的晶体结构。测量并分析材料在室温下的真空紫外激发光谱及相应的发射光谱。结果表明309和324nm的发射峰,对应于Ce3+离子的5d→4f(2 F5/2,2 F7/2)跃迁;激发谱显示6个峰,峰位分别为148,190,205,216,232和247nm。148nm的激发峰是基质吸收引起的;190,205,216,232和247nm是Ce3+的4f→5d跃迁引起的。 展开更多
关键词 水热蒸发法 NaCl∶Ce3+ 真空紫外光谱 稀土
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三价铈离子掺杂氯化钾的光致发光性能 被引量:2
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作者 艾孜提艾力.阿布力克木 艾尔肯.斯地克 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第16期2203-2204,2209,共3页
采用水热蒸发法制备了KCl∶Ce3+荧光粉。测量并分析了材料在室温下的真空紫外激发光谱及相应的发射光谱。结果表明激发谱显示6个峰,峰位分别为149、194、206、219、233和251nm。其中149nm的激发峰是基质吸收引起的;194、206、219、233和... 采用水热蒸发法制备了KCl∶Ce3+荧光粉。测量并分析了材料在室温下的真空紫外激发光谱及相应的发射光谱。结果表明激发谱显示6个峰,峰位分别为149、194、206、219、233和251nm。其中149nm的激发峰是基质吸收引起的;194、206、219、233和251nm是Ce3+离子的4f→5d跃迁引起的。发射峰显示双峰结构,峰位分别是311和326nm。此峰对应于Ce3+离子的5d→4f(2F5/2,2F7/2)跃迁。 展开更多
关键词 水热蒸发法 KCl∶Ce3+ 发光性能 闪烁体
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