全环绕栅极场效应晶体管的Ⅰ-Ⅴ模型紧凑建模

1

作者 王诗淳 冯俊杰 +4 位作者 张保钦 韩玉杰 徐传忠 曾霞 于飞 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第10期9-18,共10页

基于表面电势提出了一种无结型全环绕栅极场效应晶体管的Ⅰ-Ⅴ模型。以一维泊松方程为基础,结合相应的边界条件,采用四阶龙格库塔算法对两个解析模型中基于物理原理的非线性超越方程组依次求解,建立了表面电势、中点电势与栅极电压相关... 基于表面电势提出了一种无结型全环绕栅极场效应晶体管的Ⅰ-Ⅴ模型。以一维泊松方程为基础,结合相应的边界条件,采用四阶龙格库塔算法对两个解析模型中基于物理原理的非线性超越方程组依次求解,建立了表面电势、中点电势与栅极电压相关的数值模型。随后,根据数值模型中以中间参数形式表示的表面电势结果,利用Pao-Sah积分推导出全环绕栅极场效应晶体管的漏极电流。所提出的Ⅰ-Ⅴ模型结果与数值和实验数据均显示出良好的一致性,验证了该建模方法用于全环绕栅极场效应晶体管的可行性。此外,该方法实现了解析模型与数值模型的结合,在精度和效率之间实现了很好的平衡。 展开更多

关键词 无结型全环绕栅极场效应晶体管 Ⅰ-Ⅴ模型 表面电势 Pao-Sah模型

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垂直氮化镓沟槽栅极场效应管的优化设计

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作者 杨华恺 刘新科 +2 位作者 姜梅 何仕杰 贺威 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第1期19-23,共5页

在传统的氮化镓沟槽栅极场效应管的基础上,通过引入AlGaN层,在异质结界面处形成二维电子气减小器件的导通电阻,并对漂移层的厚度和掺杂浓度进行讨论,使用TCAD软件对器件进行设计优化。最终优化后的漂移层厚度为6μm,掺杂浓度为5×10... 在传统的氮化镓沟槽栅极场效应管的基础上,通过引入AlGaN层,在异质结界面处形成二维电子气减小器件的导通电阻,并对漂移层的厚度和掺杂浓度进行讨论,使用TCAD软件对器件进行设计优化。最终优化后的漂移层厚度为6μm,掺杂浓度为5×10^(16)cm^(-3)。器件获得了较低的导通电阻R_(on)=0.47 mΩ·cm^(2),较高的击穿电压V_(BR)=2880 V和品质因子FOM=17.6 GW·cm^(-2)。结果显示出了沟槽栅极垂直氮化镓场效应管在高压大电流应用场景下的优势。 展开更多

关键词 氮化镓 沟槽栅极场效应晶体管 Baliga品质因子 击穿电压 导通电阻

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U型槽刻蚀工艺对GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管电学特性的影响 被引量：2

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作者 陈扶 唐文昕 +3 位作者 于国浩 张丽 徐坤 张宝顺 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期263-269,共7页

U型槽的干法刻蚀工艺是GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件关键的工艺步骤,干法刻蚀后GaN的侧壁状况直接影响GaN MOS结构中的界面态特性和器件的沟道电子输运.本文通过改变感应耦合等离子体干法刻蚀工艺中的射频... U型槽的干法刻蚀工艺是GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件关键的工艺步骤,干法刻蚀后GaN的侧壁状况直接影响GaN MOS结构中的界面态特性和器件的沟道电子输运.本文通过改变感应耦合等离子体干法刻蚀工艺中的射频功率和刻蚀掩模,研究了GaN垂直沟槽型MOSFET电学特性的工艺依赖性.研究结果表明,适当降低射频功率,在保证侧壁陡直的前提下可以改善沟道电子迁移率,从35.7 cm^2/(V·s)提高到48.1 cm^2/(V·s),并提高器件的工作电流.沟道处的界面态密度可以通过亚阈值摆幅提取,射频功率在50 W时界面态密度降低到1.90×10^12 cm^-2·eV^-1,比135 W条件下降低了一半.采用SiO2硬刻蚀掩模代替光刻胶掩模可以提高沟槽底部的刻蚀均匀性.较薄的SiO2掩模具有更小的侧壁面积,高能离子的反射作用更弱,过刻蚀现象明显改善,制备出的GaN垂直沟槽型MOSFET沟道场效应迁移率更高,界面态密度更低. 展开更多

关键词 GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管 U型槽 射频功率 刻蚀掩模

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栅极对微/纳等离子体场效应晶体管性能影响的仿真研究

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作者 赵海全 黄瑞涵 +4 位作者 陈飞良 魏亚洲 赵键澎 李沫 张健 《真空电子技术》 2022年第6期43-48,93,共7页

得益于等离子体器件和半导体工艺技术的不断融合,微/纳等离子体场效应器件已逐步得到了人们的重视与关注,近年来在输出功率、开关速度等性能方面得到了极大提升。但该种器件存在工作电压高、电极易损坏等问题,直接影响了其工作寿命和可... 得益于等离子体器件和半导体工艺技术的不断融合,微/纳等离子体场效应器件已逐步得到了人们的重视与关注,近年来在输出功率、开关速度等性能方面得到了极大提升。但该种器件存在工作电压高、电极易损坏等问题,直接影响了其工作寿命和可靠性,阻碍了实用化发展。目前有研究初步发现,引入栅极结构可以调控微/纳等离子体场效应器件电极间隙内的电子浓度与分布,是降低器件工作电压、增大器件输出电流的有效方法。本文设计了不同栅极宽度与栅极数目结构的微/纳等离子体场效应晶体管,解决了Comsol仿真存在的大气压亚微米级别间隙下仿真不收敛的问题,实现了对栅压、栅极宽度、栅极数目对器件工作性能的影响研究。结果表明,增大栅极负压、加宽栅极宽度、增多栅极数目能有效地降低器件工作电压、提升工作电流,对于提高微/纳等离子体场效应晶体管实用化有重要的帮助。 展开更多

关键词 微/纳等离子体场效应晶体管 场发射 栅极 Comsol 工作电压 输出电流

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3000V 10A 4H-SiC结型场效应晶体管的设计与制造 被引量：6

5

作者 刘涛 陈刚 +6 位作者 黄润华 柏松 陶永洪 汪玲 刘奥 李赟 赵志飞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期187-190,共4页

介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC衬底上生长掺杂浓度(ND)为1.0×1015 cm-3,厚度为50μm的N-外延层,并采用本实验室开发的SiC JFET工... 介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC衬底上生长掺杂浓度(ND)为1.0×1015 cm-3,厚度为50μm的N-外延层,并采用本实验室开发的SiC JFET工艺进行了器件工艺加工。通过测试,当栅极偏压VG=-6V时,研制的SiC JFET可以阻断3 000V电压;当栅极偏压VG=7V、漏极电压VD=3V时,正向漏极电流大于10A,对应的电流密度为100A/cm2。 展开更多

关键词 4H型SiC 垂直沟道结型场效应晶体管 沟槽刻蚀

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电解液栅型碳纳米管场效应晶体管的实验研究

6

作者 吕建伟 王万录 +3 位作者 廖克俊 王永田 万步勇 孔纪兰 《重庆大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期149-152,共4页

由于碳纳米管具有独特的结构和性能,因而一直受到人们的关注。对于包括碳纳米管场效应管在内的分子元件的研究方面尤其令人注目。笔者研究了具有电解液栅的碳纳米管场效应晶体管,研究中所用的碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法 (CVD)合... 由于碳纳米管具有独特的结构和性能,因而一直受到人们的关注。对于包括碳纳米管场效应管在内的分子元件的研究方面尤其令人注目。笔者研究了具有电解液栅的碳纳米管场效应晶体管,研究中所用的碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法 (CVD)合成的。衬底材料是平面玻璃,Fe/Ni混合物用作催化剂。对具有Ag电极的多壁碳纳米管晶体管作了优化设计制造,并利用KCl溶液作为栅极。实验结果表明,电解液栅型碳纳米管晶体管(FET)呈现出良好的电流-电压特性曲线。在栅压 2V时,其跨导约为 0. 5mA/V。并对获得的研究结果进行了讨论。 展开更多

关键词 碳纳米管 场效应晶体管 电解液栅极 I-V特性 跨导

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氢离子敏场效应晶体管温度特性的实验研究

7

作者 李和太 崔志武 +1 位作者 于立新 刘洪 《微处理机》 1990年第2期45-49,共5页

引言氢离子敏场效应晶体管（HISFET）是一种被用来测量溶液中氢离子浓度（pH 值）的新型半导体化学传感元件。它的结构与普通绝缘栅场效应晶体管类似。栅绝缘膜为二氧化硅（SiO₂）和氮化硅（Si<sub>3</... 引言氢离子敏场效应晶体管（HISFET）是一种被用来测量溶液中氢离子浓度（pH 值）的新型半导体化学传感元件。它的结构与普通绝缘栅场效应晶体管类似。栅绝缘膜为二氧化硅（SiO₂）和氮化硅（Si₃N₄）双层结构,无金属栅极。用硅平面工艺制作。 展开更多

关键词 场效应晶体管 金属栅极 子敏 绝缘栅 平面工艺 传感元件 半导体化学 绝缘膜 氮化硅膜 氢离子浓度

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基于MATLAB的石墨烯场效应晶体管电学特性研究 被引量：1

8

作者 徐建丽 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2015年第9期108-110,共3页

石墨烯场效应晶体管的结构参数是对晶体管电学特性有重要影响。利用MATLAB软件平台仿真研究了石墨烯场效应晶体管势垒层厚度、栅极长度、平面掺杂浓度、温度等结构参数对晶体管结构电学特性的影响规律,并根据研究选择最佳的结构参数,为... 石墨烯场效应晶体管的结构参数是对晶体管电学特性有重要影响。利用MATLAB软件平台仿真研究了石墨烯场效应晶体管势垒层厚度、栅极长度、平面掺杂浓度、温度等结构参数对晶体管结构电学特性的影响规律,并根据研究选择最佳的结构参数,为石墨烯场效应晶体管加工工艺提供依据。 展开更多

关键词 石墨烯 场效应晶体管 电学特性 栅极长度 垒层厚度 平面掺杂浓度 温度

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导通类型可调的无掺杂MOS场效应晶体管 被引量：2

9

作者 李权 靳晓诗 《微处理机》 2021年第5期9-11,共3页

针对传统场效应晶体管在某些领域上的局限性,提出一种导通类型可调且无掺杂的新型MOS场效应晶体管,可以在不同栅压条件下作为不同类型的MOS场效应晶体管使用,实现不同工作条件下由N-MOSFET到P-MOSFET的相互转换。新器件采用非单一控制... 针对传统场效应晶体管在某些领域上的局限性,提出一种导通类型可调且无掺杂的新型MOS场效应晶体管,可以在不同栅压条件下作为不同类型的MOS场效应晶体管使用,实现不同工作条件下由N-MOSFET到P-MOSFET的相互转换。新器件采用非单一控制栅设计,具有双侧对称浮动栅极结构,作为改变场效应管导通类型的的控制端。通过改变控制栅的电位高低来改变正向导通电流与反向漏电流的大小,实现更小的漏电流和更大的导通电流。通过仿真对新器件的工作情况展开分析,并对设计参数进行优化。 展开更多

关键词 浮动栅极 导电类型可调 场效应晶体管

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高性能折叠I型栅无结场效应晶体管

10

作者 高云翔 靳晓诗 《微处理机》 2018年第5期11-14,共4页

为顺应集成电路设计对器件提出更高性能要求的趋势,提出一种高性能折叠I型栅无结场效应晶体管,主要研究此类产品在不同栅极长度下的电学特性,讨论栅极的几何形状改变对器件性能产生的影响。通过与普通的双栅、三栅无结场效应晶体管的仿... 为顺应集成电路设计对器件提出更高性能要求的趋势,提出一种高性能折叠I型栅无结场效应晶体管,主要研究此类产品在不同栅极长度下的电学特性,讨论栅极的几何形状改变对器件性能产生的影响。通过与普通的双栅、三栅无结场效应晶体管的仿真结果的对比,突出FIG JL FET在电学性能上所具备的优势,并给出栅极设计参数的最佳优化方案。仿真实验结果表明,相比于其他的栅型结构,折叠I型栅无结场效应晶体管具有更低的反向泄漏电流,Ion-Ioff比也得到很大提升,而且几乎没有亚阈值的衰减。作为一款高性能器件,深具发展潜力。 展开更多

关键词 折叠I形栅极 无结场效应晶体管 反向泄漏电流 亚阈值

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利用深度反转层反馈晶体管直接测量场效应管阈值电压

11

作者 John Ellis 《世界电子元器件》 2002年第7期48-49,共2页

简介 传统上,采用多晶硅栅极的场效应管利用场区LOCOS边缘的重叠来连接在薄的栅氧化区(图1)制造的N+型或P+型源极区和漏极区.由于深亚微米工艺发展使得栅极氧化区的厚度仅有7nm或更薄,而凹形衬底又是高度掺杂的,因此场阈值(25伏或更高)... 简介 传统上,采用多晶硅栅极的场效应管利用场区LOCOS边缘的重叠来连接在薄的栅氧化区(图1)制造的N+型或P+型源极区和漏极区.由于深亚微米工艺发展使得栅极氧化区的厚度仅有7nm或更薄,而凹形衬底又是高度掺杂的,因此场阈值(25伏或更高)变得比栅极氧化区的击穿电压(15伏或更低)还要高. 展开更多

关键词 多晶硅栅极 栅极氧化层 深度反转层反馈 晶体管 场效应管 阈值电压

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纳米能源所等研发出无栅极摩擦电子学晶体管

12

《今日电子》 2017年第12期19-19,共1页

近年来，移动互联网和智能终端的快速发展刺激了智能传感技术在人机交互、人工智能和可穿戴设备等领域的研究。同时，由于场效应晶体管具有低成本和大规模化等特点，因而被广泛地应用于电子器件、人机交互和健康监测等领域。但传统场效... 近年来，移动互联网和智能终端的快速发展刺激了智能传感技术在人机交互、人工智能和可穿戴设备等领域的研究。同时，由于场效应晶体管具有低成本和大规模化等特点，因而被广泛地应用于电子器件、人机交互和健康监测等领域。但传统场效应晶体管需要通过栅电极接入电信号用干传感和控制，栅电极的制备工艺复杂，容易损坏，在一定程度上限制了其在可穿戴智能器件上的发展。 展开更多

关键词 场效应晶体管 电子学 摩擦 栅极 研发 能源 纳米 人机交互

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低栅极电压控制下带有phenyltrimethoxysilane单分子自组装层的有机薄膜晶体管场效应特性研究 被引量：3

13

作者 袁广才 徐征 +4 位作者 赵谡玲 张福俊 许娜 孙钦军 徐叙瑢 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期4941-4947,共7页

制作了底栅极顶接触有机薄膜晶体管器件,60 nm的pentacene被用作有源层,120 nm热生长的SiO2作为栅极绝缘层.通过采用不同自组装修饰材料对器件的有源层与栅极绝缘层之间的界面进行修饰,如octadecyltrichlorosilane(OTS),phenyltrimethox... 制作了底栅极顶接触有机薄膜晶体管器件,60 nm的pentacene被用作有源层,120 nm热生长的SiO2作为栅极绝缘层.通过采用不同自组装修饰材料对器件的有源层与栅极绝缘层之间的界面进行修饰,如octadecyltrichlorosilane(OTS),phenyltrimethoxysilane(PhTMS),来比较界面修饰层对器件性能的影响.同时对带有PhTMS修饰层的OTFTs器件低栅极电压调制下的场效应行为及其载流子的传输机理进行研究.结果得到,当|VGS|<0.1 V时,载流子在如此小的栅极电压调制下已经不能过多在半导体有源层与栅极绝缘层之间的界面处积聚,使OTFTs器件的输出电流保持相对的平衡.但是,器件的调制栅压在-0.001V时,器件仍然有好的输出特性,当VDS为-20 V时,器件的场效应迁移率为3.22×10-3cm2/Vs,开关电流比为1.43×102,阈值电压为0.66 V. 展开更多

关键词 有机薄膜晶体管 自组装单分子层 场效应迁移率 低栅极调制电压

原文传递

绝缘栅双极型晶体管IGBT 被引量：2

14

作者 冯玉生 《河南机电高等专科学校学报》 CAS 1995年第1期58-61,64,共5页

八十年代发展起来的新型复合器件——绝缘栅双极型晶体管IGBT,采用了双导电机制;它的输入级为一种利用MOS栅控的场效应晶体管,具有MOSFET的高输入阻抗和电压控制的特性;输出级为双极型功率晶体管GTR,具有输出阻抗低和电流密度大的特点,... 八十年代发展起来的新型复合器件——绝缘栅双极型晶体管IGBT,采用了双导电机制;它的输入级为一种利用MOS栅控的场效应晶体管,具有MOSFET的高输入阻抗和电压控制的特性;输出级为双极型功率晶体管GTR,具有输出阻抗低和电流密度大的特点,而且它的开关速度又远远高于GTR。共等效电路图如图一所示,因此这种器件可以用逻辑电平信号直接驱动控制较大的功率。具有电压型控制的特点:输入阻抗高、需要的驱动功率小,控制电路简单、导通热胆小饱和压降小、开关损耗低、通断速度快工作频率高、电流容量大耐电流冲击范围宽等诸多的优点。由于IGBT集中了MOSFET与GTR的优点于一体,而扬弃了它们的缺点,故而发展迅速,正日益广泛运用于变换器、逆变器、开关电源等回路中。IGBT取代功率双极型晶体管和功率场效应晶体管已是发展的必然趋势。 展开更多

关键词 双极型晶体管 功率IGBT 绝缘栅 栅极驱动电路 MOSFET 导电机制 控制电路 功率场效应晶体管 开关损耗 电流密度

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沟槽栅场终止型IGBT瞬态数学模型 被引量：7

15

作者 汪波 罗毅飞 +1 位作者 刘宾礼 普靖 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第12期50-57,共8页

沟槽栅场终止型代表了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的最新结构。由于沟槽栅结构与平面栅结构在基区载流子输运、栅极结电容计算等方面存在较大的不同,沿用平面栅结构的建模方法不可避免会存在较大的偏差。基于对沟槽栅场终止型IGBT结构特... 沟槽栅场终止型代表了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的最新结构。由于沟槽栅结构与平面栅结构在基区载流子输运、栅极结电容计算等方面存在较大的不同,沿用平面栅结构的建模方法不可避免会存在较大的偏差。基于对沟槽栅场终止型IGBT结构特点及模型坐标系的分析,考虑载流子二维效应将基区分成PNP和PIN两部分,根据PIN部分的沟槽栅能否被PNP部分的耗尽层覆盖分析了栅极结电容计算方法,提出一种沟槽栅场终止型IGBT瞬态数学模型,并进行仿真与实验验证。 展开更多

关键词 绝缘栅双极型晶体管 沟槽栅 瞬态数学模型 栅极结电容

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单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117 被引量：4

16

作者 李宏 张培平 《国外电子元器件》 2001年第5期40-42,共3页

:IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能特点和参数限制 ,同时剖析了它的内部结构和工作原理 。

关键词 栅极驱动器 集成电路 IR2117 场效应晶体管 MOSFET IGBT

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沟槽功率MOS器件的多晶Si填槽工艺研究 被引量：3

17

作者 秦晓静 周建伟 康效武 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期365-368,共4页

介绍了多晶Si薄膜的成膜机理及其在集成电路中的应用,针对沟槽功率MOSFET集成电路制造中两种主流多晶Si工艺的优点和不足进行了分析和对比。从栅氧化层厚度分布和Arriving Angle模型两个方面分析了沟槽中多晶Si空洞的形成机制。阐述了... 介绍了多晶Si薄膜的成膜机理及其在集成电路中的应用,针对沟槽功率MOSFET集成电路制造中两种主流多晶Si工艺的优点和不足进行了分析和对比。从栅氧化层厚度分布和Arriving Angle模型两个方面分析了沟槽中多晶Si空洞的形成机制。阐述了金属通过多晶Si空洞穿透Si衬底导致器件失效的理论,并通过失效器件的FIB分析对理论加以证实。最后基于Arriving Angle模型理论,在试验中改变沟槽顶端和底部宽度,将沟槽刻蚀成倒梯形的结构,以多晶Si填充沟槽经历高温退火工艺再进行SEM分析。分析结果证实,改变沟槽顶端和底部宽度可彻底消除沟槽中多晶Si的空洞,提高器件的可靠性。 展开更多

关键词 集成电路 沟槽 功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管 多晶硅 晶粒 栅极

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一种新的量子效应──克里岑效应

18

作者 沙振舜 《大学物理》 1982年第12期1-2,共2页

关键词 量子效应 场效应晶体管 量子化效应 电磁测量 漏极电流 霍尔电压 霍尔电阻 栅极电压

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尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响 被引量：2

19

作者 陈开宇 刘佩林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期680-682,共3页

介绍了沟槽MOSFET(TMOS)的器件特性。为获得更小的Rdson(导通电阻)·A(面积)值,讨论了在元胞间距尺寸缩小到1.4μm时,由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后,器件穿通风险加大。提出在不增加掩模版的前提下通过优化工艺... 介绍了沟槽MOSFET(TMOS)的器件特性。为获得更小的Rdson(导通电阻)·A(面积)值,讨论了在元胞间距尺寸缩小到1.4μm时,由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后,器件穿通风险加大。提出在不增加掩模版的前提下通过优化工艺,利用突起式结构以及沟槽式接触技术克服这一潜在风险,最终通过试验验证,得到了高稳定性低导通电阻的低压TMOS。 展开更多

关键词 沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管 突起式多晶硅 器件穿通 沟槽式接触 多晶硅去除量

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超低导通电阻沟槽栅LDMOS器件研究 被引量：2

20

作者 吝晓楠 吴团庄 +7 位作者 许超奇 李仁伟 张仪 薛璐洁 陈淑娴 林峰 刘斯扬 孙伟锋 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期1995-2002,共8页

本文提出了一种具有超低特征导通电阻的沟槽栅横向双扩散场效应晶体管(Trench Gate Lateral Double-diffused MOSFET,TG-LDMOS).本结构源极和漏极都在表面,与BCD(Bipolar CMOS DMOS)工艺相兼容.通过引入介质沟槽、垂直栅极、栅极下方的... 本文提出了一种具有超低特征导通电阻的沟槽栅横向双扩散场效应晶体管(Trench Gate Lateral Double-diffused MOSFET,TG-LDMOS).本结构源极和漏极都在表面,与BCD(Bipolar CMOS DMOS)工艺相兼容.通过引入介质沟槽、垂直栅极、栅极下方的源极多晶硅以及栅极右侧的厚氧化层,将传统集成型功率器件的一维耐压拓宽为二维耐压,包括横向耐压与纵向耐压两个方向.其中,纵向耐压不占用横向元胞尺寸,进而在相同耐压水平上,使TG-LDMOS具有分立功率器件耐压效率高、导通电阻低的特点.本结构通过仿真优化做到了击穿电压(VB)为52 V,特征导通电阻(Ron,sp)为10 mΩ·mm^(2).结果表明,TG-LDMOS突破了硅器件的极限关系,与硅极限相比特征导通电阻降低了48%. 展开更多

关键词 横向双扩散场效应晶体管 沟槽 横向元胞尺寸 击穿电压 特征导通电阻

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