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一种有效减小沟道电荷注入效应的二阶开关电容低通滤波器的设计
1
作者
佟晓娜
刘建朝
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2003年第B12期74-76,共3页
本文给出了一种二阶开关电容低通滤波器的设计,重点分析了其减小沟道电荷注入效应的两种方法。Hspice仿真结果表明:这种电路结构几乎不受沟道电荷注入效应的影响。
关键词
沟道电荷注入效应
二阶开关电容
低通滤波器
CMOS电路
数模混合集成电路
HSPICE仿真
电路精度
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职称材料
1.5位/级结构在流水线型ADC中的设计与应用
被引量:
1
2
作者
王磊
于云华
石寅
《中国集成电路》
2004年第6期48-50,共3页
本文首先阐述了沟道电荷注入效应的产生机理,然后分析可以有效消除沟道电荷注入效应的开关-电容结构的底板采样技术,最后给出流水线型ADC中采用开关-电容结构的1.5位/级电路设计及仿真结果。
关键词
沟道电荷注入效应
底板采样
流水线
ADC
1.5位/级结构
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职称材料
题名
一种有效减小沟道电荷注入效应的二阶开关电容低通滤波器的设计
1
作者
佟晓娜
刘建朝
机构
西安微电子技术研究所
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2003年第B12期74-76,共3页
文摘
本文给出了一种二阶开关电容低通滤波器的设计,重点分析了其减小沟道电荷注入效应的两种方法。Hspice仿真结果表明:这种电路结构几乎不受沟道电荷注入效应的影响。
关键词
沟道电荷注入效应
二阶开关电容
低通滤波器
CMOS电路
数模混合集成电路
HSPICE仿真
电路精度
分类号
TN713.4 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
1.5位/级结构在流水线型ADC中的设计与应用
被引量:
1
2
作者
王磊
于云华
石寅
机构
中国科学院半导体研究所
出处
《中国集成电路》
2004年第6期48-50,共3页
文摘
本文首先阐述了沟道电荷注入效应的产生机理,然后分析可以有效消除沟道电荷注入效应的开关-电容结构的底板采样技术,最后给出流水线型ADC中采用开关-电容结构的1.5位/级电路设计及仿真结果。
关键词
沟道电荷注入效应
底板采样
流水线
ADC
1.5位/级结构
分类号
TN792 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
一种有效减小沟道电荷注入效应的二阶开关电容低通滤波器的设计
佟晓娜
刘建朝
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2003
0
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职称材料
2
1.5位/级结构在流水线型ADC中的设计与应用
王磊
于云华
石寅
《中国集成电路》
2004
1
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职称材料
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