利用电化学方法在N型0.01Ω·cm单晶抛光硅片上制备纳米有序多孔硅,研究电流密度对其形貌及光学性能的影响;并通过对硅基体进行预处理达到消除多孔硅表面小孔硅的目的.结果表明,随着电流密度的增大,多孔硅的孔径、孔隙率以及光学厚...利用电化学方法在N型0.01Ω·cm单晶抛光硅片上制备纳米有序多孔硅,研究电流密度对其形貌及光学性能的影响;并通过对硅基体进行预处理达到消除多孔硅表面小孔硅的目的.结果表明,随着电流密度的增大,多孔硅的孔径、孔隙率以及光学厚度均增大.给经过预处理的硅基体施加75 m A/cm2的电流密度,多孔硅的表面孔径达到50 nm,与体孔径大小一致;在光学检测中对酒精溶液表现出良好的敏感性,检测浓度能够低至5×10-5 mol/L.展开更多
文摘利用电化学方法在N型0.01Ω·cm单晶抛光硅片上制备纳米有序多孔硅,研究电流密度对其形貌及光学性能的影响;并通过对硅基体进行预处理达到消除多孔硅表面小孔硅的目的.结果表明,随着电流密度的增大,多孔硅的孔径、孔隙率以及光学厚度均增大.给经过预处理的硅基体施加75 m A/cm2的电流密度,多孔硅的表面孔径达到50 nm,与体孔径大小一致;在光学检测中对酒精溶液表现出良好的敏感性,检测浓度能够低至5×10-5 mol/L.
