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深度等离子体反应刻蚀技术制备擒纵机构
1
作者
叶伟
崔立堃
+1 位作者
王旭飞
方坤
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第8期570-573,共4页
采用磁控溅射法在单晶硅基片上制备铝膜,并结合光刻技术将擒纵机构图形转移到铝膜。利用铝膜不与刻蚀气体反应的特性,将其取代光刻胶作为深度等离子体反应刻蚀制备擒纵机构时硅基片的掩蔽层,并且采用干氧的方法在擒纵机构表面生成一层S...
采用磁控溅射法在单晶硅基片上制备铝膜,并结合光刻技术将擒纵机构图形转移到铝膜。利用铝膜不与刻蚀气体反应的特性,将其取代光刻胶作为深度等离子体反应刻蚀制备擒纵机构时硅基片的掩蔽层,并且采用干氧的方法在擒纵机构表面生成一层SiO2薄膜。详细研究了深度等离子体反应刻蚀的刻蚀宽度对擒纵机构的影响,并对擒纵机构表面进行了详细的SEM分析和EDS能谱分析。研究结果表明,采用铝膜作为掩蔽层能够对擒纵机构的表面和断面起到很好的保护作用,擒纵机构获得优良的表面质量,且在刻蚀窗口宽度为75μm时,获得最优的擒纵机构零件。
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关键词
单晶硅
深度
等
离子
体
反应
刻蚀
擒纵机构
微机械加工
光刻
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职称材料
基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析
被引量：
6
2
作者
王家畴
荣伟彬
+1 位作者
李昕欣
孙立宁
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期636-641,共6页
针对纳米定位平台的构型和定位精度问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度纳米级定位平台。介绍了定位平台的相关制作工艺,并对关键工艺进行了分析,总结了导致器件失效的主要原因,探讨了减...
针对纳米定位平台的构型和定位精度问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度纳米级定位平台。介绍了定位平台的相关制作工艺,并对关键工艺进行了分析,总结了导致器件失效的主要原因,探讨了减少失效的方法。同时,提出了一种可行的面内侧面压阻加工方法。通过对深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺参数的调整,成功地刻蚀出大尺寸、大深宽比的结构释放窗口,释放了最小线宽为2.5μm,厚度为50μm的梳齿结构。
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关键词
体硅工艺
深度反应离子刻蚀
背片技术
面内侧面压阻
纳米级定位平台
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职称材料
硅基片微型通孔加工技术
被引量：
5
3
作者
赵钢
褚家如
徐藻
《微细加工技术》
2004年第2期60-65,共6页
介绍了硅基片微型通孔的用途及在微机电系统发展中的重要性,从原理、过程、优缺点等方面详细叙述了激光打孔法、湿法刻蚀法、深度反应离子刻蚀法(DRIE)和光辅助电化学刻蚀法(PAECE)等四种硅基片微型通孔的加工方法,并对各种方法进行了比...
介绍了硅基片微型通孔的用途及在微机电系统发展中的重要性,从原理、过程、优缺点等方面详细叙述了激光打孔法、湿法刻蚀法、深度反应离子刻蚀法(DRIE)和光辅助电化学刻蚀法(PAECE)等四种硅基片微型通孔的加工方法,并对各种方法进行了比较,提出了各种方法的适用范围。
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关键词
微型通孔
微机电系统
深度反应离子刻蚀
法
光辅助电化学
刻蚀
法
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职称材料
题名
深度等离子体反应刻蚀技术制备擒纵机构
1
作者
叶伟
崔立堃
王旭飞
方坤
机构
陕西理工大学机械工程学院
轻工业钟表研究所精密机电事业部
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第8期570-573,共4页
基金
陕西省科技厅工业攻关项目(2016GY-050)
陕西省教育厅重点实验室重点科研攻关项目(12JS033)
文摘
采用磁控溅射法在单晶硅基片上制备铝膜,并结合光刻技术将擒纵机构图形转移到铝膜。利用铝膜不与刻蚀气体反应的特性,将其取代光刻胶作为深度等离子体反应刻蚀制备擒纵机构时硅基片的掩蔽层,并且采用干氧的方法在擒纵机构表面生成一层SiO2薄膜。详细研究了深度等离子体反应刻蚀的刻蚀宽度对擒纵机构的影响,并对擒纵机构表面进行了详细的SEM分析和EDS能谱分析。研究结果表明,采用铝膜作为掩蔽层能够对擒纵机构的表面和断面起到很好的保护作用,擒纵机构获得优良的表面质量,且在刻蚀窗口宽度为75μm时,获得最优的擒纵机构零件。
关键词
单晶硅
深度
等
离子
体
反应
刻蚀
擒纵机构
微机械加工
光刻
Keywords
monocrystalline silicon
deep plasma reaction etching
escapement
micromachining
lithography
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析
被引量：
6
2
作者
王家畴
荣伟彬
李昕欣
孙立宁
机构
哈尔滨工业大学机器人研究所
中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期636-641,共6页
基金
国家杰出青年基金资助项目(No.50725518)
国家“863”高技术研究发展计划资助项目(No.2007AA04Z315)
长江学者和创新团队发展计划资助项目
文摘
针对纳米定位平台的构型和定位精度问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度纳米级定位平台。介绍了定位平台的相关制作工艺,并对关键工艺进行了分析,总结了导致器件失效的主要原因,探讨了减少失效的方法。同时,提出了一种可行的面内侧面压阻加工方法。通过对深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺参数的调整,成功地刻蚀出大尺寸、大深宽比的结构释放窗口,释放了最小线宽为2.5μm,厚度为50μm的梳齿结构。
关键词
体硅工艺
深度反应离子刻蚀
背片技术
面内侧面压阻
纳米级定位平台
Keywords
silicon hulk mieromachining
Deep Reactive Ion Etching（DRIE）
paste silicon technology
sidewall piezoresistor in plane
nano-positioning stage
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
硅基片微型通孔加工技术
被引量：
5
3
作者
赵钢
褚家如
徐藻
机构
中国科学技术大学精密机械与精密仪器系
出处
《微细加工技术》
2004年第2期60-65,共6页
基金
2003年中国科学技术大学青年基金资助项目(KB0910)
文摘
介绍了硅基片微型通孔的用途及在微机电系统发展中的重要性,从原理、过程、优缺点等方面详细叙述了激光打孔法、湿法刻蚀法、深度反应离子刻蚀法(DRIE)和光辅助电化学刻蚀法(PAECE)等四种硅基片微型通孔的加工方法,并对各种方法进行了比较,提出了各种方法的适用范围。
关键词
微型通孔
微机电系统
深度反应离子刻蚀
法
光辅助电化学
刻蚀
法
Keywords
micro through-hole
MEMS
DRIE
PAECE
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
深度等离子体反应刻蚀技术制备擒纵机构
叶伟
崔立堃
王旭飞
方坤
《微纳电子技术》
北大核心
2017
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析
王家畴
荣伟彬
李昕欣
孙立宁
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
6
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
硅基片微型通孔加工技术
赵钢
褚家如
徐藻
《微细加工技术》
2004
5
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职称材料
已选择
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