锁相环中差分环形压控振荡器的性能设计与研究

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作者 郭升伟 柴一峰 +2 位作者 王炳林 谭圣霞 朱中华 《电力系统装备》 2025年第2期25-27,共3页

基于TSMC180nm BCD CMOS工艺设计了一种差分环形压控振荡器。电路采用三级延时单元环形结构作为核心,结合Maneatis对称负载,显著提升了延时单元的线性度、对称性及稳定性。此外,设计中集成了偏置电路和缓冲电路,偏置电路的设计关键在于... 基于TSMC180nm BCD CMOS工艺设计了一种差分环形压控振荡器。电路采用三级延时单元环形结构作为核心,结合Maneatis对称负载,显著提升了延时单元的线性度、对称性及稳定性。此外,设计中集成了偏置电路和缓冲电路,偏置电路的设计关键在于提升输出阻抗,通过优化尾电流源来实现,从而加强电路稳定性与抗干扰性。缓冲电路则实现了0~1.8V电压输出,确保信号占空比接近50%,并增强了驱动能力以适应后续并转串模块的需求。使用Cadence Spectre在1.8V电源电压下的模拟仿真结果显示,该VCO具备180~795MHz的宽频率调节范围,在1MHz频偏处相位噪声达到–92.7534dBc/Hz,在典型工作频率600MHz时输出抖动低于1ps。这些性能指标表明,VCO具有更好的稳定性和噪声性能,适合高精度锁相环。 展开更多

关键词 环形压控振荡器 锁相环 延时单元 偏置电路

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一种用于锁相环的环形压控振荡器设计

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作者 李娜 陆锋 +1 位作者 王星 张国贤 《中国集成电路》 2024年第3期36-39,49,共5页

本文基于SMIC 65nm标准CMOS工艺提出了一种用于锁相环的环形压控振荡器的电路设计。包括了环形振荡器和缓冲整形电路。该环形压控振荡器有四级延时单元,并且延时单元采用了Maneatis对称负载。该电路在Cadence Spectre进行了仿真。结果表... 本文基于SMIC 65nm标准CMOS工艺提出了一种用于锁相环的环形压控振荡器的电路设计。包括了环形振荡器和缓冲整形电路。该环形压控振荡器有四级延时单元,并且延时单元采用了Maneatis对称负载。该电路在Cadence Spectre进行了仿真。结果表明,在电源电压1.8V时,频率调整范围为0.277GHz~1.33GHz,具有良好的线性度。频偏为1MHz时的相位噪声为-92.46dBc/Hz@1MHz,有良好的噪声性能。缓冲整形电路将压控振荡器的输出波形转换为轨到轨电压,使占空比等于50%,并提高了驱动能力。振荡器的稳定频率分别为400/500MHz。 展开更多

关键词 环形压控振荡器 锁相环 延迟单元 比较器

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低功耗CMOS差分环形压控振荡器设计 被引量：11

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作者 谢连波 桑红石 +2 位作者 方海涛 朱海博 高伟 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2013年第5期104-107,共4页

提出了一个基于0.18μm标准CMOS工艺实现的四级差分环形压控振荡器.全差分环形压控振荡器采用带对称负载的差分延时单元.仿真结果表明,压控振荡器的频率范围在最坏情况为0.21～1.18GHz;偏离中心频率10MHz情况下,压控振荡器的相位噪声为-... 提出了一个基于0.18μm标准CMOS工艺实现的四级差分环形压控振荡器.全差分环形压控振荡器采用带对称负载的差分延时单元.仿真结果表明,压控振荡器的频率范围在最坏情况为0.21～1.18GHz;偏离中心频率10MHz情况下,压控振荡器的相位噪声为-118.13dB/Hz;1.8V电源电压下,中心频率为600MHz时,压控振荡器的功耗仅有4.16mW;版图面积约为0.006mm2,可应用于锁相环和频率综合器设计中. 展开更多

关键词 低功耗 CMOS差分环形压控振荡器 锁相环 相位噪声

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一种低电压低功耗的环形压控振荡器设计 被引量：14

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作者 伍翠萍 何波 +1 位作者 于奇 陈达 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2008年第5期69-72,共4页

提出了锁相环的核心部件压控振荡器(VCO)的一种设计方案.该压控振荡器采用全差分环形压控振荡器结构,其延迟单元使用交叉耦合晶体管对来进行频率调节.基于SMIC0.18μmCMOS工艺,用Hspice对电路进行了仿真.仿真结果表明,该压控振荡器具有... 提出了锁相环的核心部件压控振荡器(VCO)的一种设计方案.该压控振荡器采用全差分环形压控振荡器结构,其延迟单元使用交叉耦合晶体管对来进行频率调节.基于SMIC0.18μmCMOS工艺,用Hspice对电路进行了仿真.仿真结果表明,该压控振荡器具有良好的线性度,较宽的线性范围以及高的工作频率,在1.8V的低电源电压下,振荡频率的变化范围为402～873MHz,中心频率在635MHz,功耗仅为6mW,振荡在中心频率635MHz时的均方根抖动为3.91ps. 展开更多

关键词 环形压控振荡器 锁相环 交叉耦合晶体管对 均方根抖动

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带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器设计 被引量：6

5

作者 李小飞 刘宏 +2 位作者 袁圣越 汪明亮 田彤 《现代电子技术》 北大核心 2015年第18期98-101,共4页

基于UMC 65 nm CMOS工艺,设计了一款应用于锁相环频率综合器中的带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器。环形压控振荡器采用3级交叉耦合延时单元构成。仿真结果表明,压控振荡器输出频率范围为735~845 MHz;在温度补偿下,温度变化从-60~1... 基于UMC 65 nm CMOS工艺,设计了一款应用于锁相环频率综合器中的带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器。环形压控振荡器采用3级交叉耦合延时单元构成。仿真结果表明,压控振荡器输出频率范围为735~845 MHz;在温度补偿下,温度变化从-60~100oC时,振荡器输出频率漂移中心频率790 MHz±10 MHz;当振荡频率为790 MHz时,在偏离其中心频率1 MHz处,压控振荡器的相位噪声为-99 d Bc/Hz;1.2 V电源供电情况下,压控振荡器的功耗为0.96 m W;版图面积约为0.005 mm^2。 展开更多

关键词 低功耗 CMOS环形压控振荡器 温度补偿 系统设计

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低相位噪声CMOS环形压控振荡器的研究与设计 被引量：7

6

作者 陈永洁 刘忠 +1 位作者 危长明 王守军 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期873-877,共5页

针对个人电脑和通讯系统对频率合成器中振荡器的低相位噪声的要求,对基本的环形振荡器结构进行改进,设计了两种宽带低相位噪声CMOS环形压控振荡器(VCO),在800 MHz振荡频率、1 MHz频偏下,测试的相位噪声分别为-123 dBc/Hz和-110 dBc/Hz... 针对个人电脑和通讯系统对频率合成器中振荡器的低相位噪声的要求,对基本的环形振荡器结构进行改进,设计了两种宽带低相位噪声CMOS环形压控振荡器(VCO),在800 MHz振荡频率、1 MHz频偏下,测试的相位噪声分别为-123 dBc/Hz和-110 dBc/Hz。两个VCO的调谐范围分别为450～1 017 MHz和559～935 MHz。 展开更多

关键词 压控振荡器 环形压控振荡器 相位噪声

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环形压控振荡器的噪声分析 被引量：1

7

作者 肖轶 戴庆元 张开伟 《电子器件》 CAS 2007年第3期908-910,共3页

在振荡器的设计中,为了得到更高性能,分析其相位噪声是十分重要的.利用Razavi对具有普遍意义的品质因数的定义将Leeson针对LC振荡器提出的相位噪声模型应用到环形振荡器上对其进行噪声分析.文中以一个2GHz环形振荡器为例,采用TSMC0.25μ... 在振荡器的设计中,为了得到更高性能,分析其相位噪声是十分重要的.利用Razavi对具有普遍意义的品质因数的定义将Leeson针对LC振荡器提出的相位噪声模型应用到环形振荡器上对其进行噪声分析.文中以一个2GHz环形振荡器为例,采用TSMC0.25μm CMOS工艺参数,用Cadence的spectre仿真器进行仿真.电源电压为2.5V,偏离中心频率1MHz处的相位噪声为-86.6dBc/Hz.仿真的结果与噪声模型所的结果基本吻合. 展开更多

关键词 环形压控振荡器 相位噪声 线性模型 时间抖动 锁相环 延迟单元

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基于电感峰值技术的环形压控振荡器设计 被引量：3

8

作者 梁仲凯 罗胜钦 《电子测量技术》 2010年第5期4-6,21,共4页

为解耦RC常数的限制,将电感峰值技术应用于环形振荡器中。对传统的环形振荡器结构进行改进,设计了两款GHz级别的CMOS环形压控振荡器(VCO)。采用0.13μmCMOS制造工艺,在0.13V电源电压下进行Spice仿真。仿真测试结果表明,两个应用了电感... 为解耦RC常数的限制,将电感峰值技术应用于环形振荡器中。对传统的环形振荡器结构进行改进,设计了两款GHz级别的CMOS环形压控振荡器(VCO)。采用0.13μmCMOS制造工艺,在0.13V电源电压下进行Spice仿真。仿真测试结果表明,两个应用了电感峰值技术的VCO均有很高的振荡频率,分别达到3～7.5GHz和7.5～8.6GHz,还具有良好的线性度及抑制电源纹波的能力,电源电压波动敏感度分别为0.015%/1%@2.65GHz和0.024%/1%@8.43GHz。 展开更多

关键词 压控振荡器 环形压控振荡器 电感峰值技术

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带温度电压补偿的高精度环形压控振荡器设计

9

作者 付文杰 《电子世界》 2015年第23期24-26,共3页

采用CSMC 0.35um CMOS工艺,设计了带有温度反馈调节和电压反馈调节的三级高精度全差分式压控振荡器。由于具有温度电压反馈调节,使压控振荡器能够在电源电压、温度大幅度改变的环境下保持良好稳定的频率输出。主要参数性能有:在27℃温度... 采用CSMC 0.35um CMOS工艺,设计了带有温度反馈调节和电压反馈调节的三级高精度全差分式压控振荡器。由于具有温度电压反馈调节,使压控振荡器能够在电源电压、温度大幅度改变的环境下保持良好稳定的频率输出。主要参数性能有:在27℃温度下,电源电压2.5~5.5V变化时,压控振荡器输出频率变化小于1360ppm;在4V电压下,工作温度-30℃~80℃变化时,压控振荡器频率变化小于1770ppm;压控电压在±100m V之间变化时,可实现输出频率233.3MHz^518.4MHz;在5.5V电压下,工作电流小于3m A。 展开更多

关键词 压控振荡器 环形压控振荡器 温度补偿 电压补偿 高精度

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一种全差分环形压控振荡器的研究与设计

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作者 奚素霞 《中国科技成果》 2009年第1期26-28,共3页

提出了锁相环的核心部件压控振荡器（VCO）的一种设计方案。该压控振荡器采用全差分环形压控振荡器结构，其延迟单元使用交叉耦合晶体管来进行频率调节。基于SMIC 0．18μm CMOS工艺，用Hspice对电路进行了仿真。仿真结果表明，该压控... 提出了锁相环的核心部件压控振荡器（VCO）的一种设计方案。该压控振荡器采用全差分环形压控振荡器结构，其延迟单元使用交叉耦合晶体管来进行频率调节。基于SMIC 0．18μm CMOS工艺，用Hspice对电路进行了仿真。仿真结果表明，该压控振荡器具有良好的线性度，较宽的线性范围以及高的工作频率，在1．8V的低电源电压下，振荡频率的变化范围为402～875MHz，中心频率在635MHz，功耗仅为6mW，振荡在中心频率635MHz时的均方根抖动为5．91ps。 展开更多

关键词 环形压控振荡器 锁相环 交叉耦合晶体管对 均方根抖动

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高速锁相环的核心部件压控振荡器的设计 被引量：1

11

作者 应一帜 范忠 《重庆邮电学院学报（自然科学版）》 2006年第4期475-478,共4页

提出了高速锁相环的核心部件压控振荡器(VCO)的一种设计方案,该VCO采用环路振荡器结构,主要由3级电流模驱动逻辑(CSL)反相器延迟单元、Cascode偏置电路以及输出缓冲整形电路这3大部分组成。仿真结果表明采用了CSL结构作为延时单元的压... 提出了高速锁相环的核心部件压控振荡器(VCO)的一种设计方案,该VCO采用环路振荡器结构,主要由3级电流模驱动逻辑(CSL)反相器延迟单元、Cascode偏置电路以及输出缓冲整形电路这3大部分组成。仿真结果表明采用了CSL结构作为延时单元的压控振荡器具有良好的线性度,较宽的线性范围以及高的工作频率。 展开更多

关键词 高速锁相环 压控振荡器(VCO) 环形压控振荡器 电流模驱动逻辑(CSL)

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CMOS可调谐环形压控振荡电路的设计

12

作者 曾德友 凌朝东 张艳红 《电力科学与技术学报》 CAS 2007年第2期72-75,共4页

介绍作为芯片内部时钟源的环形压控振荡器（VCO）,采用恒流源反相器为核心,应用互补型开关作为可变电阻器,并通过控制电压来调节电阻值,从而达到频率可调谐的目的.在Cadence Spectre下采用CSMC 0.6μm CMOS工艺进行仿真模拟,得到调谐范... 介绍作为芯片内部时钟源的环形压控振荡器（VCO）,采用恒流源反相器为核心,应用互补型开关作为可变电阻器,并通过控制电压来调节电阻值,从而达到频率可调谐的目的.在Cadence Spectre下采用CSMC 0.6μm CMOS工艺进行仿真模拟,得到调谐范围为3-1.0 MHz波形较好的信号.该电路易于集成、功耗低. 展开更多

关键词 环形压控振荡器 互补型开关 CSMC0.6μm CMOS 时钟源

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12管低相噪CMOS环形振荡器

13

作者 刘琳琳 吕志强 来逢昌 《微处理机》 2008年第3期33-36,共4页

提出了一种12管宽线性调谐范围低噪声低功耗的环形振荡器结构。电路设计采用0.18μm的标准CMOS工艺,电源电压为1.8V。SpectreRF仿真结果显示该环形振荡器在27.17MHz到2.062GHz的宽调谐范围内具有良好的线性度。在频率为900MHz、偏移频率... 提出了一种12管宽线性调谐范围低噪声低功耗的环形振荡器结构。电路设计采用0.18μm的标准CMOS工艺,电源电压为1.8V。SpectreRF仿真结果显示该环形振荡器在27.17MHz到2.062GHz的宽调谐范围内具有良好的线性度。在频率为900MHz、偏移频率为600kHz时,该环形振荡器的相位噪声为-111.1dBc/Hz,功耗为38mW。通过SpectreRF仿真与目前流行的环形振荡器进行比较,本文提出的环形振荡器结构简单、性能优越。 展开更多

关键词 CMOS工艺 环形压控振荡器 调谐范围 相噪 功耗

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一种新颖的正交输出伪差分环形VCO的设计 被引量：4

14

作者 房军梁 张长春 +3 位作者 陈德媛 郭宇锋 刘蕾蕾 方玉明 《南京邮电大学学报（自然科学版）》 北大核心 2014年第2期100-104,共5页

设计了一种基于标准0.18μm CMOS工艺的4级延迟单元的全差分环形压控振荡器。提出了一种新颖的环形振荡器电路结构,通过结合控制耦合强度与改变负载电阻值的方法,改善了单一技术在有限的电压范围内的调谐线性度,实现整个电压范围内的高... 设计了一种基于标准0.18μm CMOS工艺的4级延迟单元的全差分环形压控振荡器。提出了一种新颖的环形振荡器电路结构,通过结合控制耦合强度与改变负载电阻值的方法,改善了单一技术在有限的电压范围内的调谐线性度,实现整个电压范围内的高调谐线性度;采用双通路技术提高了振荡频率,同时运用交叉耦合正反馈减少输出电平翻转时间,改善相位噪声特性,提高性能。后仿真结果表明,在电源电压为1.8 V时,VCO的中心频率为2.8 GHz,核心电路的功耗为18.36 mW,调谐范围为2.05 GHz^3.35 GHz,当频率为2.8 GHz时,相位噪声为-89.6 dBc/Hz@1 MHz。 展开更多

关键词 环形压控振荡器 双通路 相位噪声 线性度

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一种全差分双路延迟环形VCO的设计 被引量：4

15

作者 谷银川 黄鲁 张步青 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期747-750,共4页

采用SMIC 40nm CMOS工艺,设计了一款采用双路延迟结构和新型延迟单元的高性能全差分环形压控振荡器。仿真结果表明,该VCO电路可实现高振荡频率和宽调谐电压,调节频率范围为5.5~8GHz,控制电压调节范围为0~VDD。谐振频率为6.25GHz时,消耗... 采用SMIC 40nm CMOS工艺,设计了一款采用双路延迟结构和新型延迟单元的高性能全差分环形压控振荡器。仿真结果表明,该VCO电路可实现高振荡频率和宽调谐电压,调节频率范围为5.5~8GHz,控制电压调节范围为0~VDD。谐振频率为6.25GHz时,消耗功耗为4.4mW,相位噪声为-85dBc@1MHz。该VCO可应用于高速IO时钟恢复及频率发生器电路中。 展开更多

关键词 环形压控振荡器 双路延迟 调谐范围 CMOS

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采用0.25μmCMOS工艺、适用于LVDS驱动器的高性能多相时钟生成器的设计 被引量：7

16

作者 陈钰 洪志良 朱江 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1069-1074,共6页

提出了一种适用于 L VDS驱动器的电荷泵锁相环 (PL L)多相时钟生成器的设计方法 ,特别是在压控环形振荡器 (VCO)设计中采用了高温度补偿和高电源抑制比的新技术 ,使得 VCO的固定频率基本不受温度和电源电压变化的影响 .采用 U MC的 0 .2... 提出了一种适用于 L VDS驱动器的电荷泵锁相环 (PL L)多相时钟生成器的设计方法 ,特别是在压控环形振荡器 (VCO)设计中采用了高温度补偿和高电源抑制比的新技术 ,使得 VCO的固定频率基本不受温度和电源电压变化的影响 .采用 U MC的 0 .2 5 μm CMOS工艺模型 ,在 Cadence的环境下用 spectre S仿真器模拟 ,结果表明设计的 PL L 对于不同的 PVT:SSS、TTT、FFF、SFS、FSF(头两个字母表示工艺变化引起的模型参数的变化 ,第三个字母表示系统工作条件 :T为 75℃ ,3.3V;S为 12 5℃ ,3.0 V;F为 0℃ ,3.6 V) ,均能得到符合标准要求的7相时钟信号 ,其中 VCO固定频率所对应的温度系数为 32 ppm/℃ ,电源反射比为 0 .2 % / 展开更多

关键词 多相时钟生成器 环形压控振荡器 CMOS工艺 集成电路设计 LVDS驱动器

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一种低抖动电荷泵锁相环的设计 被引量：4

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作者 白杨 张万荣 +4 位作者 江之韵 胡瑞心 卓汇涵 陈昌麟 赵飞义 《电子器件》 CAS 北大核心 2015年第3期516-520,共5页

采用动态鉴频鉴相器、基于常数跨导轨到轨运算放大器的电荷泵、差分型环形压控振荡器,设计了一种低抖动的电荷泵锁相环。基于SMIC 0.18-μm CMOS工艺,利用Cadence软件完成了电路的设计与仿真。结果表明,动态的鉴频鉴相器,有效消除了死... 采用动态鉴频鉴相器、基于常数跨导轨到轨运算放大器的电荷泵、差分型环形压控振荡器,设计了一种低抖动的电荷泵锁相环。基于SMIC 0.18-μm CMOS工艺,利用Cadence软件完成了电路的设计与仿真。结果表明,动态的鉴频鉴相器,有效消除了死区。新型的电荷泵结构,在输出电压为0.5 V^1.5 V时将电流失配减小到了2%以下。压控振荡器在频率为1 MHz时输出的相位噪声为-94.87 d B在1 MHz,调谐范围为0.8 GHz^1.8 GHz。锁相环锁定后输出电压波动为2.45 m V,输出时钟的峰峰值抖动为12.5 ps。 展开更多

关键词 电荷泵锁相环 低抖动 常数跨导轨到轨运算放大器 环形压控振荡器

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用于2.5Gbps千兆以太网发接器的时钟倍频器设计 被引量：5

18

作者 陈钰 洪志良 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期256-261,共6页

提出了一种电荷泵锁相环电路实现的适用于 2 .5Gbps千兆以太网发接器要求的高速时钟倍频器的设计方法。为了获得高速时钟 ,设计中采用了双环路的 VCO结构 ,并且运用动态 D触发器来实现高速分频器。同时为了使得 PLL性能更加稳定 ,对电... 提出了一种电荷泵锁相环电路实现的适用于 2 .5Gbps千兆以太网发接器要求的高速时钟倍频器的设计方法。为了获得高速时钟 ,设计中采用了双环路的 VCO结构 ,并且运用动态 D触发器来实现高速分频器。同时为了使得 PLL性能更加稳定 ,对电路作了进一步改进 :在 VCO的延迟单元中加了温度补偿部分 ,又采用箝位技术消除电荷泵中电荷重新分配引入的影响。运用 UMC0 .18μm,1.8V CMOS工艺模型 ,在 Cadence的环境下用 spectre S仿真器模拟 ;结果表明设计的时钟倍频电路对于不同的 PV T( P表示工艺变化引起的模型参数的变化 ,VT表示系统工作条件温度和电源电压的变化 )均能得到符合满足 2 .5Gbps千兆以太网发接器要求的时钟倍频信号 ,即使在最坏情况下电路也能保持很好的相位跟踪特性 ,输出静态相位误差平均为 50 ps,整个电路的功耗平均为 35m W。 展开更多

关键词 千兆以太网 发接器 时钟倍频器 锁相环 环形压控振荡器 电荷泵 VCO结构

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基于CMOS工艺的622 MHz电荷泵锁相环设计 被引量：1

19

作者 窦建华 张锋 潘敏 《现代电子技术》 2006年第9期75-77,共3页

设计了由饱和区MOS电容调谐的环形压控振荡器(RVCO),并将其用于电荷泵锁相环(CPPLL)电路,其中电荷泵部分采用了能消除过冲注入电流的新型电荷泵电路,并采用SmartSpice软件和0.6μm混合信号的CMOS工艺参数进行了仿真。仿真结果表明,此锁... 设计了由饱和区MOS电容调谐的环形压控振荡器(RVCO),并将其用于电荷泵锁相环(CPPLL)电路,其中电荷泵部分采用了能消除过冲注入电流的新型电荷泵电路,并采用SmartSpice软件和0.6μm混合信号的CMOS工艺参数进行了仿真。仿真结果表明,此锁相环的锁定时间为5.2μs,锁定范围约为100 MHz,输出中心频率622 MHz的最大周对周抖动为71ps,功耗为198 mW。此电荷泵锁相环电路可以应用于STM 1和STM 4两个速率级别的同步数字体系(SDH)系统。 展开更多

关键词 锁相环 电荷泵 环形压控振荡器 锁定范围

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一种高性能全差分双环路VCO的设计 被引量：3

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作者 杨丽燕 段吉海 邓翔 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期637-641,共5页

设计了一种基于SMIC 0.18μm RF 1P6MCMOS工艺的高性能全差分环形压控振荡器(ring-VCO),采用双环连接方式,并运用交叉耦合正反馈来提高性能。在1.8V电源电压下对电路进行仿真,结果表明:1)中心频率为500MHz的环形VCO频率调谐范围为341～6... 设计了一种基于SMIC 0.18μm RF 1P6MCMOS工艺的高性能全差分环形压控振荡器(ring-VCO),采用双环连接方式,并运用交叉耦合正反馈来提高性能。在1.8V电源电压下对电路进行仿真,结果表明:1)中心频率为500MHz的环形VCO频率调谐范围为341～658MHz,增益最大值Kvco为-278.8MHz/V,谐振在500MHz下VCO的相位噪声为-104dBc/Hz@1MHz,功耗为22mW;2)中心频率为2.5GHz的环形VCO频率调谐范围为2.27～2.79GHz,增益最大值Kvco为-514.6MHz/V,谐振在2.5GHz下VCO的相位噪声为-98dBc/Hz@1MHz,功耗为32mW。该VCO适用于低压电路、高精度锁相环等。 展开更多

关键词 环形压控振荡器 交叉正反馈 调谐范围 相位噪声

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